铜微粒子烧结体制造技术

本发明专利技术所要解决的课题在于提供一种接合构件，所述接合构件将铜微粒子设为半导体装置零件的接合构件，且在200℃以上的高温条件下的运行中，不会在半导体装置内产生龟裂或剥离等。本发明专利技术通过提供一种铜微粒子烧结体来解决所述课题，所述铜微粒子烧结体用于半导体装置零件接合，其特征在于：当将铜微粒子烧结体在150℃下的维氏硬度设为Hvb，将所述铜微粒子烧结体在25℃下的维氏硬度设为Hva时，(Hvb/Hva)×100的值为5％以上、20％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铜微粒子烧结体
本专利技术涉及一种铜微粒子烧结体，其可用作用于半导体装置零件的接合的接合构件。
技术介绍
自环境保护的观点出发，在产业上广泛施加有害物质的使用限制，尤其在安装材料中，基于欧洲联盟的电气、电子设备中限制使用某些有害物质(theRestrictionoftheuseofcertainhazardoussubstancesinelectricalandelectronicequipment，RoHS)指令的施行，焊接材料的无铅化得到了强力推进。其结果，作为代替现有的锡-铅共晶焊料(熔点183℃)的接合用材料，发现并广泛使用锡-银-铜系焊料(熔点217℃)。然而，在如要求耐热性与导热性的安装、例如将控制大电流的SiC芯片接合于散热基底那样的用途中，要求在200℃以上的高温条件下的可靠性，但现实情况为未发现代替锡-铅焊料的性能的接合用材料而仍在使用包含高含量(90％)的铅的焊料(熔点310℃)。作为不使用铅的高耐热性的接合方法而受到期待的是一种使用金属微粒子的接合技术。金属微粒子与整体金属相比每单位重量的比表面积格外高，因此相互融合而使表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜微粒子烧结体，用于半导体装置零件接合，所述铜微粒子烧结体的特征在于：/n当将铜微粒子烧结体在150℃下的维氏硬度设为Hvb，/n将所述铜微粒子烧结体在25℃下的维氏硬度设为Hva时，/n(Hvb/Hva)×100的值为5％以上、20％以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171218 JP 2017-2417621.一种铜微粒子烧结体，用于半导体装置零件接合，所述铜微粒子烧结体的特征在于：
当将铜微粒子烧结体在150℃下的维氏硬度设为Hvb，
将所述铜微粒子烧结体在25℃下的维氏硬度设为Hva时，
(Hvb/Hva)×...

【专利技术属性】
技术研发人员：长田裕仁，佐野义之，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP