【技术实现步骤摘要】
一种埋平面电阻线路板的平面电阻膜的蚀刻工艺
本专利技术涉及电子器件生产
,特别是一种埋平面电阻线路板的平面电阻膜的蚀刻工艺。
技术介绍
据权威的电子电路行业的工程技术人员统计,在集成电路设计时,在元器件的数量上,电阻约占30%,电容约占40%,而其他元器件总共只占30%左右。由于电阻、电容占元器件的大多数,这样便给印制板的装联工序,如插接安装和表面贴装工艺,增添了许多麻烦。另外,如果把电阻放到电路板表面,通过引线连接到电路,会大大增加电路的复杂性,而且电路的性能也会下降。由此,埋平面电阻便应运而生了,这给印制板设计和制作带来了一次空前的技术革命。埋电阻,又称埋阻,或薄膜电阻,是将特殊的电阻材料压合在绝缘基材上,然后通过印刷、蚀刻等工艺,形成设计所需电阻值的内(外)层材料,然后压合在印制板内(上),形成平面电阻层的一种技术。现有的埋平面电阻线路板在制作平面电阻时是通过五水硫酸铜及浓硫酸配置成的蚀刻液对膜电阻层进行蚀刻的,操作时无专用设备,需要操作人员佩戴专用手套将线路板浸入蚀刻液中进行手动蚀刻,操作不便,且蚀刻温 ...
【技术保护点】
1.一种埋平面电阻线路板的平面电阻膜的蚀刻工艺,用于对双面覆铜板上的复合电极层进行蚀刻,形成微带线及内埋电阻,复合电极层包括内侧的膜电阻层及外侧的第二电解铜箔层,其特征在于:所述埋平面电阻线路板的平面电阻膜的蚀刻工艺包括以下步骤:/n步骤S1:用碱性蚀刻液对复合电极层的表面进行第一次蚀刻,蚀刻掉非线路区域的第二电解铜箔层;/n步骤S2:用酸性蚀刻液在酸性蚀刻机上对复合电极层的表面进行第二次蚀刻,蚀刻掉非线路区域的膜电阻层,酸性蚀刻液包括氯化铜溶液及盐酸,氯化铜的质量浓度为140-180g/L,盐酸的当量浓度为2.0-2.6N,酸性蚀刻液的比重为1.28-1.32;/n步骤S ...
【技术特征摘要】
1.一种埋平面电阻线路板的平面电阻膜的蚀刻工艺,用于对双面覆铜板上的复合电极层进行蚀刻,形成微带线及内埋电阻,复合电极层包括内侧的膜电阻层及外侧的第二电解铜箔层,其特征在于:所述埋平面电阻线路板的平面电阻膜的蚀刻工艺包括以下步骤:
步骤S1:用碱性蚀刻液对复合电极层的表面进行第一次蚀刻,蚀刻掉非线路区域的第二电解铜箔层;
步骤S2:用酸性蚀刻液在酸性蚀刻机上对复合电极层的表面进行第二次蚀刻,蚀刻掉非线路区域的膜电阻层,酸性蚀刻液包括氯化铜溶液及盐酸,氯化铜的质量浓度为140-180g/L,盐酸的当量浓度为2.0-2.6N,酸性蚀刻液的比重为1.28-1.32;<...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐正保,夏杏军,
申请(专利权)人:浙江万正电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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