晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，能够抑制碎片附着于器件。晶片的加工方法具有如下的步骤：保护膜包覆步骤(ST1)，利用保护膜包覆晶片的层叠体；第1激光加工步骤(ST3)，向间隔道的宽度方向的两端照射激光束，从而在间隔道形成两条激光加工槽；第2激光加工步骤(ST4)，通过沿着间隔道照射激光束，将两条激光加工槽之间的层叠体与保护膜一起去除；切削步骤(ST5)，利用切削刀具对间隔道的露出基材的区域进行切削；以及保护膜去除步骤(ST2)，在实施了保护膜包覆步骤(ST1)之后且实施第1激光加工步骤(ST3)之前，向比形成两条激光加工槽的位置靠间隔道的内侧的位置照射激光束来去除保护膜。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，该晶片在基材上层叠有层叠体，并且具有交叉的具有规定宽度的多个间隔道。
技术介绍
作为将在由交叉的多个间隔道划分的区域中分别形成有器件的晶片分割为各个器件的方法，提出了如下的加工方法(例如，参照专利文献1)：为了防止激光加工所产生的碎片的附着，在实施激光加工之前利用保护膜包覆晶片的正面，并通过激光加工将晶片分割为各个器件。在专利文献1所示的加工方法中，器件包含低介电常数绝缘膜(以下，称为Low-k膜)，为了防止Low-k膜的剥离，在间隔道的宽度方向的两端通过激光加工形成两条激光加工槽之后，利用切削刀具对间隔道的宽度方向的中央进行切削加工。专利文献1：日本特开2005-64230号公报但是，在专利文献1所示的加工方法中，在对层叠有TEG(TestElementsGroup)和Low-k膜中的至少一方的间隔道的宽度方向的中央进行切削时，会产生由TEG或Low-k膜引起的切削刀具的堵塞。因此，可考虑在利用切削刀具对晶片进行切削之前向两条激光加工槽之间照射激光束来去除TEG或Low-k本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，该晶片在基材上层叠有层叠体，并且具有多个间隔道，该间隔道具有规定的宽度，其中，/n该晶片的加工方法具有如下的步骤：/n保护膜包覆步骤，利用保护膜包覆该层叠体的正面；/n第1激光加工步骤，在实施了该保护膜包覆步骤之后，在使激光束在间隔道的内侧分别聚光于该间隔道的宽度方向的两端的状态下沿着该间隔道照射激光束，在该间隔道形成两条激光加工槽；/n第2激光加工步骤，在实施了该第1激光加工步骤之后，通过沿着该间隔道照射激光束而将该两条激光加工槽之间的层叠体与保护膜一起去除，使该基材露出；以及/n切削步骤，在实施了该第2激光加工步骤之后，利用切削刀具对该间隔道的露出该基材的区域进行切...

【技术特征摘要】
20190107 JP 2019-0008371.一种晶片的加工方法，该晶片在基材上层叠有层叠体，并且具有多个间隔道，该间隔道具有规定的宽度，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
保护膜包覆步骤，利用保护膜包覆该层叠体的正面；
第1激光加工步骤，在实施了该保护膜包覆步骤之后，在使激光束在间隔道的内侧分别聚光于该间隔道的宽度方向的两端的状态下沿着该间隔道照射激光束，在该间隔道形成两条激光加工槽；
第2激光加工步骤，在实施了该第1激光加工步骤之后，通过沿着该间隔道照射激光束而将该两条激光加工槽之间的层叠体...

【专利技术属性】
技术研发人员：小田中健太郎，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP