操作存储器控制器和存储器系统的方法以及存储器系统技术方案

提供了一种操作存储器控制器和存储器系统的方法、以及存储器系统。所述对控制非易失性存储器设备的存储器控制器进行控制的方法包括：经由第一接口从外部控制器接收第一数据和第一物理地址；将第一数据存储在非易失性存储器缓冲器中；以及控制非易失性存储器设备的写入操作，其中在非易失性存储器的第一物理区域中编程所述存储在非易失性存储器缓冲器中的第一数据，该第一物理区域对应于第一物理地址。

【技术实现步骤摘要】
操作存储器控制器和存储器系统的方法以及存储器系统相关专利的交叉引用本申请要求于2018年12月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0165532号的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思涉及一种存储器系统，更具体地，涉及一种包括非易失性存储器设备的存储器系统、操作该存储器系统的方法、以及包括在该存储器系统中的存储器控制器。
技术介绍
即使在不再供电时，非易失性存储器也保持存储的数据。闪存是可以电擦除和重新编程的非易失性存储器的示例。包括诸如嵌入式多媒体卡(eMMC)、通用闪存(UFS)、固态驱动器(SSD)和存储卡的闪存的存储设备已被广泛用于存储和传送大量数据。然而，如果经历太多编程周期，则可能降低闪存的写入可靠性。此外，由于擦除操作只能在逐块的基础上执行，因此闪存可能具有比其他类型的非易失性存储器更低的写入性能。因此，需要一种用于改进非易失性存储器设备的写入可靠性和写入性能的方法和装置。
技术实现思路
本专利技术构思的至少一个实施例提供了一种包括多个存储器控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作控制非易失性存储器设备的第一存储器控制器的方法，所述方法包括：/n由所述第一存储器控制器经由所述第一存储器控制器的第一接口从所述第一存储器控制器外部的第二存储器控制器接收第一数据和第一物理地址；/n由所述第一存储器控制器将所述第一数据存储在所述第一存储器控制器的非易失性存储器缓冲器中；以及/n由所述第一存储器控制器在与所述第一物理地址对应的所述非易失性存储器设备的第一物理区域中编程存储在所述非易失性存储器缓冲器中的所述第一数据。/n

【技术特征摘要】
20181219 KR 10-2018-01655321.一种操作控制非易失性存储器设备的第一存储器控制器的方法，所述方法包括：
由所述第一存储器控制器经由所述第一存储器控制器的第一接口从所述第一存储器控制器外部的第二存储器控制器接收第一数据和第一物理地址；
由所述第一存储器控制器将所述第一数据存储在所述第一存储器控制器的非易失性存储器缓冲器中；以及
由所述第一存储器控制器在与所述第一物理地址对应的所述非易失性存储器设备的第一物理区域中编程存储在所述非易失性存储器缓冲器中的所述第一数据。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在将所述第一数据存储在所述非易失性存储器缓冲器中之后，所述第一存储器控制器向所述第二存储器控制器提供写入完成信号。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述编程包括确定经由所述第一存储器控制器的第二接口将所述第一数据和第二数据发送到所述非易失性存储器设备的顺序，其中在接收所述第一数据之后从所述第一存储器控制器接收所述第二数据。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述编程包括所述第一存储器控制器在所述第二存储器控制器不操作时将所述第一数据和所述第一物理地址发送到所述非易失性存储器设备。


5.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述接收包括从第二存储器控制器接收第二物理地址和第二数据，所述第二物理地址对应于所述非易失性存储设备的第二物理区域，
其中，所述编程包括将第三物理地址和第三数据发送到所述非易失性存储器设备，
所述第三物理地址指示包括所述第一物理区域和所述第二物理区域的第三物理区域，并且所述第三数据包括所述第一数据和所述第二数据。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述编程包括：
从所述非易失性存储器设备读取存储在所述第一物理区域中的第二数据；以及
在所述第一物理区域中编程第三数据，所述第三数据包括存储在所述非易失性存储器缓冲器中的第一数据以及所述第二数据。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述控制所述写入操作包括：
从所述非易失性存储器缓冲器读取所述第一数据；
在所述第一物理区域中编程所述第一数据；
从所述非易失性存储器缓冲器中重新读取所述第一数据；以及
在所述第一物理区域中重新编程所述第一数据。


8.根据权利要求1所述的方法，还包括：当在所述第一物理区域中编程所述第一数据时，将关于所述第一数据的编程状态信息提供给所述第二存储器控制器。


9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
从所述第二存储器控制器接收读取命令，所述读取命令包括第二物理地址；
从所述非易失性存储器缓冲器或所述非易失性存储器设备读取第二数据，所述第二数据对应于所述第二物理地址；以及
将所述第二数据提供给所述第二存储器控制器。


10.根据权利要求1所述的方法，还包括：在内部存储器或所述非易失性存储器缓冲器中存储关于存储在所述非易失性存储器缓冲器中的数据的管理信息。


11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述管理信息包括与所述数据相对应的物理地址、是否执行所述数据的编程、编程结果、完成所述编程的时间点以及在完成所述编程的时间点时的温度中的至少一个。


12.根据权利要求10所述的方法，还包括：
从所述第二存储器控制器接收断电通知信号；
响应于所述断电通知信号的接收，向所述第二存储器控制器提供所述管理信息；...

【专利技术属性】
技术研发人员：文贵妍，朴成奎，慎钒揆，洪英硕，郑宰溶，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR