光敏传感器及其驱动方法、显示装置制造方法及图纸

一种光敏传感器，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管。其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的控制极均与扫描信号端耦接。第一晶体管的第一极与第一节点耦接，第二极与第二节点耦接。第二晶体管的第一极与第三节点耦接，第二极与第四节点耦接。第三晶体管的第一极与第四节点耦接，第二极与第一节点耦接。第四晶体管的第一极与第二节点耦接，第二极与第三节点耦接。第一晶体管和第二晶体管不接受光照，第三晶体管和第四晶体管接受光照，或者，第三晶体管和第四晶体管不接受光照，第一晶体管和第二晶体管接受光照。

【技术实现步骤摘要】
光敏传感器及其驱动方法、显示装置
本文涉及但不限于显示
，尤指一种光敏传感器及其驱动方法、显示装置。
技术介绍
光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器。显示装置可以通过集成多个光敏传感器来检测不同位置处的外部光的强度。
技术实现思路
本公开提供了一种光敏传感器及其驱动方法、显示装置。一方面，本公开提供了一种光敏传感器，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管；其中，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的控制极均与扫描信号端耦接；所述第一晶体管的第一极与第一节点耦接，所述第一晶体管的第二极与第二节点耦接；所述第二晶体管的第一极与第三节点耦接，所述第二晶体管的第二极与第四节点耦接；所述第三晶体管的第一极与第四节点耦接，所述第三晶体管的第二极与第一节点耦接；所述第四晶体管的第一极与第二节点耦接，所述第四晶体管的第二极与第三节点耦接；所述第一晶体管和第二晶体管不接受光照，所述第三晶体管和第四晶体管接受光照，或者，所述第三晶体管和第四晶体管不接受光照，所述第一晶体管和第二晶体管接受光照。另一方面，本公开提供了一种光敏传感器的驱动方法，应用于如上所述的光敏传感器，所述驱动方法包括：在扫描信号端的信号的控制下，使得第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管均导通；在第一节点和第三节点接收输入信号，在第二节点和第四节点产生输出信号；或者，在第二节点和第四节点接收输入信号，在第一节点和第三节点产生输出信号。另一方面，本公开提供一种显示装置，包括多个如上所述的光敏传感器，所述多个光敏传感器位于显示区域周边的外围区域。本公开利用四个晶体管构造电桥式的光敏传感器，可以在光照下采集稳定的输出信号实现光电转换。本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。附图说明附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。图1为本公开至少一实施例提供的光敏传感器的结构示意图；图2为本公开至少一实施例提供的光敏传感器的信号传输示意图；图3为本公开至少一实施例提供的光敏传感器的排布方式示例图；图4为本公开至少一实施例提供的光敏传感器工作时的等效电阻示意图；图5为本公开至少一实施例提供的光敏传感器的驱动方法的流程图；图6为本公开至少一实施例提供的显示装置的示例图。具体实施方式本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的方案。因此，应当理解，在本公开中示出或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行一种或多种修改和改变。此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本公开实施例的精神和范围内。在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。除非另外定义，本公开使用的技术术语或科学术语为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。本公开中，“多个”可以表示两个或两个以上的数目。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“耦接”、“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的或是间接的。“电性的连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且可以包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本公开中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。本公开实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。示例性地，本公开实施例中使用的薄膜晶体管可以是低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管。由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极可以互换。在本公开实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一个电极称为第一极，另一电极称为第二极，第一极可以为源极或者漏极，第二极可以为漏极或源极，另外，将晶体管的栅极称为控制极。而且，薄膜晶体管或场效应管可以为P型晶体管，或者可以为N型晶体管。本公开实施例提供一种光敏传感器及其驱动方法、显示装置，可以利用晶体管构造电桥式的光敏传感器。图1为本公开至少一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光敏传感器，其特征在于，包括：/n第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管；/n其中，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的控制极均与扫描信号端耦接；所述第一晶体管的第一极与第一节点耦接，所述第一晶体管的第二极与第二节点耦接；所述第二晶体管的第一极与第三节点耦接，所述第二晶体管的第二极与第四节点耦接；所述第三晶体管的第一极与第四节点耦接，所述第三晶体管的第二极与第一节点耦接；所述第四晶体管的第一极与第二节点耦接，所述第四晶体管的第二极与第三节点耦接；/n所述第一晶体管和第二晶体管不接受光照，所述第三晶体管和第四晶体管接受光照，或者，所述第三晶体管和第四晶体管不接受光照，所述第一晶体管和第二晶体管接受光照。/n

【技术特征摘要】
1.一种光敏传感器，其特征在于，包括：
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管；
其中，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的控制极均与扫描信号端耦接；所述第一晶体管的第一极与第一节点耦接，所述第一晶体管的第二极与第二节点耦接；所述第二晶体管的第一极与第三节点耦接，所述第二晶体管的第二极与第四节点耦接；所述第三晶体管的第一极与第四节点耦接，所述第三晶体管的第二极与第一节点耦接；所述第四晶体管的第一极与第二节点耦接，所述第四晶体管的第二极与第三节点耦接；
所述第一晶体管和第二晶体管不接受光照，所述第三晶体管和第四晶体管接受光照，或者，所述第三晶体管和第四晶体管不接受光照，所述第一晶体管和第二晶体管接受光照。


2.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管。


3.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，在所述第一节点和第三节点接收输入信号，在所述第二节点和第四节点产生输出信号；或者，在所述第二节点和第四节点接收输入信号，在所述第一节点和第三节点产生输出信号。


4.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述扫描信号端与栅极驱动电路的任一级移位寄存器单元的输出端耦接。


5.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一晶体管、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：余仁惠，谢洪洲，胡晔，郑上涛，陈美珍，陈信，查文，李增荣，侯清娜，刁凯，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，福州京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11