【技术实现步骤摘要】
一种高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法
本专利技术涉及一种硅化石墨制备工艺
，更具体地说，涉及一种高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法。
技术介绍
硅化石墨作为一种新颖的工程材料，体现了石墨和碳化硅两种材料的互补性。它不仅具有石墨的高强度、耐高温，良好的导电性及抗热震，还具有碳化硅材料的高硬度、抗氧化、耐腐蚀等优点。硅化石墨的化学性质十分稳定，几乎耐各种酸碱腐蚀，并且可长期在1200℃以上温度使用，特别适合在重载、高温、辐射、腐蚀、大温度冲击等苛刻条件下使用。因此，硅化石墨越来越广泛的应用于核能、环保、国防、新能源、医疗器械、高温、腐蚀、催化等领域。硅化石墨材料中的硅化层厚度及其与基体的结合强度时衡量硅化石墨产品质量的关键指标。而传统硅化石墨材料在去除富余硅后，其表面会残留一定的微小孔隙，从而大大增加其比表面积，同时这些微孔也会吸附H2O、O2等气体，该种氧化物气体在高温下对SiC具有严重的腐蚀性，一旦硅化石墨层失效，石墨基体便会暴露在高温氧化气氛中迅速被氧化。因此，本项专利技术将也贵渗透反应法和化学气相沉积法结...
【技术保护点】
1.一种高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：在真空度为1-10
【技术特征摘要】
1.一种高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：在真空度为1-10-3Pa的高温炉内，将石墨基体置于熔融硅液中进行硅化处理，硅化处理在恒温状态下进行，硅化温度为1500-1800℃，硅化时间为1-5h，随后用机械手将处理后的石墨基体取出，继续升温至1800-2000℃排出石墨基体中残余的硅液，然后降温至沉积温度800～1200℃后，随即向炉内通入反应气体，采用化学气相沉积工艺在处理后的石墨基体表面沉积致密SiC涂层，最后降温至室温取出即可制得。
2.根据权利要求1所述的高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于：所述高温炉的真空度为5-3Pa。
3.根据权利要求1所述的高致密SiC涂层的硅化石墨制备方法，其特征在于：所述硅化温度为1600℃，硅化时间为3h。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛喜利，汪洋，沈丁，董伟，薛明虎，
申请(专利权)人：江苏嘉明碳素新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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