一种新型IGBT负压关断电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型IGBT负压关断电路，属于IGBT领域，包括电源电路、IGBT驱动芯片、上桥驱动电路、下桥驱动电路和IGBT晶体管，IGBT驱动芯片的输出引脚分别连接上桥驱动电路和下桥驱动电路，电源电路输出15V电压给上桥驱动电路，输出‑8V电压给下桥驱动电路，上桥驱动电路和下桥驱动电路分别与IGBT晶体管的门极连接，IGBT晶体管的集电极连接高压电源，发射极接地，电源电路的开关频率与IGBT晶体管的开关频率为四倍差。本实用新型专利技术当输出电流瞬变引起输出电压波动时，电源模块能迅速检测到这种变化，并迅速作出反应，稳定输出电压。

【技术实现步骤摘要】
一种新型IGBT负压关断电路
本技术涉及IGBT
，特别是指一种新型IGBT负压关断电路。
技术介绍
绝缘门极双极型晶体管(IsolatedGateBipolarTransistor简称IGBT)是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件，具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好驱动电路简单、通态电压低、耐压高和承受电流大等优点，因此现今应用相当广泛。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率场效应管的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率场效应管具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率场效应管的这些主要缺点。虽然最新一代功率场效应管器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT内部集成了MOSFET和晶体管。特点是响应速度快、工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型IGBT负压关断电路，包括电源电路、IGBT驱动芯片、上桥驱动电路、下桥驱动电路和IGBT晶体管，其特征在于：所述IGBT驱动芯片的输出引脚分别连接上桥驱动电路和下桥驱动电路，所述电源电路输出15V电压给上桥驱动电路，输出-8V电压给下桥驱动电路，所述上桥驱动电路和下桥驱动电路分别与所述IGBT晶体管的门极连接，所述IGBT晶体管的集电极连接高压电源，发射极接地，所述电源电路的开关频率与IGBT晶体管的开关频率为四倍差。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型IGBT负压关断电路，包括电源电路、IGBT驱动芯片、上桥驱动电路、下桥驱动电路和IGBT晶体管，其特征在于：所述IGBT驱动芯片的输出引脚分别连接上桥驱动电路和下桥驱动电路，所述电源电路输出15V电压给上桥驱动电路，输出-8V电压给下桥驱动电路，所述上桥驱动电路和下桥驱动电路分别与所述IGBT晶体管的门极连接，所述IGBT晶体管的集电极连接高压电源，发射极接地，所述电源电路的开关频率与IGBT晶体管的开关频率为四倍差。


2.根据权利要求1所述的一种新型IGBT负压关断电路，其特征在于：所述电源电路的开关频率为400kHz。


3.根据权利要求1所述的一种新型IGBT负压关断电路，其特征在于：所述IGBT驱动芯片的信号地与IGBT晶体管的功率地分开设计，公共地线加粗。

【专利技术属性】
技术研发人员：窦志源，卢艳，张捷，苏璐梅，
申请(专利权)人：西安纬通电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61