【技术实现步骤摘要】
一种功率管栅极驱动电路
本技术涉及一种功率管栅极驱动电路，属于模拟集成电路
技术介绍
随着电子电力技术的飞速发展，特别是IGBT和MOSFET等高频自关断元器件应用的日益广泛，驱动电路的设计就显得十分重要，尤其是高压集成电路HVIC驱动的设计。采用性能良好的驱动电路能够使功率开关器件工作在理想的开关状态，同时缩短开关时间，减小开关损耗，对系统的运转效率和稳定性都有重要的意义。图1是传统的功率管栅极驱动电路的内部框图。传统的功率管栅极驱动电路一般包括高侧驱动电路与低侧驱动电路。高侧驱动电路工作的电平范围较高，其电源信号为VB，地信号为VS，输入信号为HIN，输出信号为HO；低侧驱动电路工作的电平范围较低，其电源信号为VCC，地信号为GND，输入信号为LIN，输出信号为LO；如图1所示，高、低侧驱动电路分别将高侧输入信号HIN、低侧输入信号LIN进行信号处理之后，输出高侧信号HO、低侧信号LO，分别对高、低侧功率管进行栅极控制，以控制电路的开关状态。但是由于电路的输出信号直接连接至功率管栅极，无保护措施，在母线...
【技术保护点】
1.一种功率管栅极驱动电路，包括分别用于对高侧功率管、低侧功率管进行栅极控制的高侧驱动电路与低侧驱动电路，以及上电保护电路；其特征在于，所述上电保护电路为包含耗尽型JFET器件的JFET上电保护电路，所述JFET上电保护电路通过检测电源电压的值控制耗尽型JFET器件的开关状态，耗尽型JFET器件根据电源电压的改变，调整自身耗尽层宽度以调节电流支路的通断，从而达到在母线上电时防止功率管误开启，母线上电后减少电路功耗的目的。/n
【技术特征摘要】
1.一种功率管栅极驱动电路，包括分别用于对高侧功率管、低侧功率管进行栅极控制的高侧驱动电路与低侧驱动电路，以及上电保护电路；其特征在于，所述上电保护电路为包含耗尽型JFET器件的JFET上电保护电路，所述JFET上电保护电路通过检测电源电压的值控制耗尽型JFET器件的开关状态，耗尽型JFET器件根据电源电压的改变，调整自身耗尽层宽度以调节电流支路的通断，从而达到在母线上电时防止功率管误开启，母线上电后减少电路功耗的目的。
2.如权利要求1所述功率管栅极驱动电路，所述JFET上电保护电路由均为耗尽型P沟道JFET器件的第一JFET器件、第二JFET器件构成；第一JFET器件的栅极连接高侧电源，第一JFET器件的漏极与高侧驱动电路输出端、高侧功率管的栅极连接，第一JFET器件的源极连接高侧地，第二JFET器件的栅极连接低侧电源，第二JFET器件的漏极与低侧驱动电路输出端、低侧功率管的栅极连接，第二JFET器件的源极连接低侧地。
3.如权利要求2所述功率管栅极驱动电路，所述第一JFET器件的栅源击穿电压大于高侧电源与高侧地的电压差值，所述第一JFET器件的栅源夹断电压小于高侧电源与高侧地的电压差值，所述第一JFET器件的最大漏源电压大于高侧输出的高...
【专利技术属性】
技术研发人员：张允武，余思远，项子悦，禹阔，吴彩虹，
申请(专利权)人：无锡安趋电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。