存储器制造技术

本实用新型专利技术涉及电子器件技术领域，提供一种存储器，包括封闭腔体、设于封闭腔体内的若干存储芯片以及设于封闭腔体内且用于向存储芯片提供退火热源的若干加热件。本实用新型专利技术的存储器将存储芯片与加热件封装在一个封闭腔体内，确保退火时的隔温要求，同时，加热件则为存储芯片提供热源以满足其退火需求。这样，在极端环境下，或者，不适宜将存储芯片拆卸进行退火的条件下，本申请的存储器能够实现自主地退火，避免对存储器进行拆卸来实现退火维护。

【技术实现步骤摘要】
存储器
本技术涉及电子器件
，尤其提供一种存储器。
技术介绍
存储器作为数据存储载体，是电子系统的重要组成部分。近年来存储器向着低功耗、高密度的方向发展，工艺尺寸也越来越小。目前使用的主流存储器为Flash和DRAM，由于存储单元结构，其工艺尺寸减小使得器件易受外界辐射粒子的影响，出现晶体管漏电、绝缘特性下降等结构退化使得存储信息保持时间降低，器件失效。这些氧化层缺陷引起的失效，可以通过退火来得到恢复。因此，需要进行退火来消除上述问题。然而，现有的退火方式是将存储器取下，并放置在退火炉中进行退火。但是，在极端条件或是不适宜将存储器取下的情况，存储器则无法通过退火恢复。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种存储器，旨在解决现有的存储器无法实现自主退火的问题。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种存储器，包括封闭腔体、设于所述封闭腔体内的若干存储芯片以及设于所述封闭腔体内且用于向各所述存储芯片提供退火热源的若干加热件。在一个实施例中，所述存储芯片和所述加热件的数量均为一个，所述存储芯片和所述加热件自上而下层叠设于所述封闭腔体内。在一个实施例中，所述存储芯片的数量至少为两个，所述加热件的数量至少为一个，各所述存储芯片与各所述加热件自下而上依次交替层叠设置于所述封闭腔体内。在一个实施例中，所述存储芯片设于所述封闭腔体的底部内侧，所述加热件设于所述封闭腔体的顶部内侧。在一个实施例中，所述存储芯片设于所述封闭腔体的底部内侧，所述加热件围设于所述存储芯片的外侧。在一个实施例中，所述存储器还包括第一辅助加热件，所述第一辅助加热件设于所述封闭腔体的顶部内侧。在一个实施例中，所述存储器还包括第二辅助加热件，所述第二辅助加热件围设于所述存储芯片的外侧。在一个实施例中，所述存储器还包括第二辅助加热件，所述第二辅助加热件围设于所述存储芯片的外侧。在一个实施例中，所述加热件为加热芯片、电阻丝以及碳棒中的一种或多种。在一个实施例中，所述加热芯片包括芯片本体、设于所述芯片本体上的且独立工作的若干加热单元以及设于所述芯片本体上的若干温度传感器。本技术的有益效果：本技术的提供的存储器，将存储芯片与加热件封装在一个封闭腔体内，确保退火时的隔温要求，同时，加热件则为存储芯片提供热源以满足其退火需求。这样，在极端环境下，或者，不适宜将存储芯片拆卸进行退火的条件下，本申请的存储器能够实现自主地退火，避免对存储器进行拆卸来实现退火维护。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例一提供的存储器的剖面图；图2为本技术实施例一提供的存储器的另一剖面图；图3为本技术实施例一提供的存储器的又一剖面图；图4为本技术实施例一提供的存储器的再一剖面图；图5为本技术实施例一提供的存储器的的加热件的结构示意图；图6为本技术实施例二提供的存储器的剖面图；图7为本技术实施例三提供的存储器的剖面图；图8为本技术实施例四提供的存储器的剖面图。其中，图中各附图标记：封闭腔体10、存储芯片20、加热件30、第一辅助加热件40、第二辅助加热件50、罩体11、基板12、芯片本体31、加热单元32、温度传感器33。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。请参考图1，本技术实施提供的存储器，包括封闭腔体10、设于封闭腔体10内的若干存储芯片20以及设于封闭腔体10内且用于向存储芯片20提供退火热源的若干加热件30。这里，封闭腔体10可以是封装壳体，用于隔绝内部温度，避免封闭腔体外的元器件受到高温影响，而加热件30则为存储芯片20提供退火热源。本技术实施例提供的存储器，将存储芯片20与加热件30封装在一个封闭腔体10内，确保退火时的隔温要求，同时，加热件30则为存储芯片20提供热源以满足其退火需求。这样，在极端环境下，或者，不适宜将存储芯片20拆卸进行退火的条件下，本申请的存储器能够实现自主地退火，避免对存储器进行拆卸来实现退火维护。请参考图1，在本实施例中，封闭腔体10包括罩体11以及封堵于罩体11的开口端的基板12，基板12直接与外部的控制电路电性连接。即利用罩体11和基板12围合形成封闭空间，降低内部热量向外扩散的效率。优选地，基板12为低热阻基板。实施例一请参考图1，在本实施例中，存储芯片20和加热件30的数量均为一个，存储芯片20和加热件30自上而下层叠设于封闭腔体10内。具体地，通过3D堆叠方式，采用金字塔结构的形式，将存储芯片20置于加热件30上。即加热件30工作时，将热量直接传输至存储芯片20上，实现退火过程。优选地，加热件30为加热芯片，将存储芯片20层叠于加热芯片上，并且，存储芯片20的引脚直接连接于基板12上，减少存储芯片20的引脚的长度，有利于存储芯片20的信号完整性。同时，加热芯片的引脚直接连接于封闭腔体10的基板12上，而基板12直接与外部控制电路电性连接，这样，加热芯片的开关以及升温速率可由通过外部控制电路进行操控。优选地，请参考图2，为了进一步提高退火过程中，升温速率，在封闭腔体10的顶部内侧设置一第一辅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于：包括封闭腔体、设于所述封闭腔体内的若干存储芯片以及设于所述封闭腔体内且用于向各所述存储芯片提供退火热源的若干加热件。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于：包括封闭腔体、设于所述封闭腔体内的若干存储芯片以及设于所述封闭腔体内且用于向各所述存储芯片提供退火热源的若干加热件。


2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于：所述存储芯片和所述加热件的数量均为一个，所述存储芯片和所述加热件自上而下层叠设于所述封闭腔体内。


3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于：所述存储芯片的数量至少为两个，所述加热件的数量至少为一个，各所述存储芯片与各所述加热件自下而上依次交替层叠设置于所述封闭腔体内。


4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于：所述存储芯片设于所述封闭腔体的底部内侧，所述加热件设于所述封闭腔体的顶部内侧。


5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于：所述存储芯片设于所述封闭腔体的底部内侧，所述加热件...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓玉良，唐越，殷中云，方晓伟，杨彬，苏通，李昂阳，朱晓锐，
申请(专利权)人：深圳市国微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44