【技术实现步骤摘要】
本申请属于基准电压设计，尤其涉及一种电压基准电路、电路板及电子设备。
技术介绍
1、在集成电路芯片中，其模拟电路如adc/dac(模数/数模转换器)、ldo(低压差线性稳压器)等，需要电压基准电路提供基准电压。
2、然而，在相关技术中，电压基准电路包括运算放大器，且运算放大器中设置有较多的mos管，然而mos管有可能会导致电压基准电路的输出电压的噪声变大，会直接影响到应用电路的稳定性。
3、因此，如何降低电压基准电路输出电压的噪声是本领域技术人员目前需要解决的问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种电压基准电路、电路板及电子设备，旨在解决传统技术中电压基准电路输出电压的噪声较大的问题。
2、本申请实施例的第一方面提出了一种电压基准电路，所述电压基准电路包括：
3、电压输出单元，用于根据第一电流输出基准电压，所述第一电流为所述电压输出单元上的电流；
4、电流产生单元，包括第一支路、第二支路以及运算放大器，所述运算放大器连接所述第一支路以及所述第二支路，并用于根据所述第一支路上的第二电流以及所述第二支路上的第三电流调节所述第一电流；
5、其中，所述运算放大器包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管为三极管，且所述第一晶体管的基极连接所述第一支路，所述第二晶体管的基极连接所述第二支路。
6、在本申请的部分实施例中，所述第一支路包括相互串联的第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管
7、其中，所述运算放大器包括第一输入端，所述第一输入端连接在所述第三晶体管以及所述第四晶体管之间。
8、在本申请的部分实施例中，所述第二支路包括依次串联设置的第五晶体管、第一电阻以及第六晶体管，所述第五晶体管远离所述第一电阻的一端连接所述第一电源，所述第六晶体管远离所述第一电阻的一端接地；
9、其中，所述运算放大器包括第二输入端，所述第二输入端连接在所述第五晶体管与所述第一电阻之间。
10、在本申请的部分实施例中，所述电压输出单元包括串联设置的第七晶体管、第二电阻和第八晶体管，所述第七晶体管远离所述第二电阻的一端连接所述第一电源，所述第八晶体管远离所述第一电源的一端接地；
11、其中，所述第七晶体管与所述第二电阻之间的电压为所述基准电压。
12、在本申请的部分实施例中，所述第四晶体管以及所述第六晶体管为三极管，且所述第四晶体管的基极以及第六晶体管的基极共接于地；
13、和/或，所述第八晶体管为三极管，所述第八晶体管的基极接地。
14、在本申请的部分实施例中，所述运算放大器包括第一输出端，所述第一输出端连接所述第三晶体管、所述第五晶体管以及所述第七晶体管，以调节所述第一电流、所述第二电流以及所述第三电流。
15、在本申请的部分实施例中，所述第三晶体管、所述第五晶体管以及所述第七晶体管为相同型号尺寸的mos管，以使所述第一电流、所述第二电流以及所述第三电流的电流强度相等。
16、在本申请的部分实施例中，所述电流产生单元还包括第三电阻，所述第三电阻一端连接所述第一输入端，另一端连接在所述第三晶体管与所述第四晶体管之间；
17、其中，所述第三电阻的电阻值与所述第一电阻的电阻值相等。
18、在本申请的部分实施例中，所述第一输入端为所述运算放大器的负极输入端，所述第二输入端为所述运算放大器的正极输出端。
19、第二方面，本申请还提供一种电路板，所述电路板包括电路基板和上述的电压基准电路，所述电压基准电路集成在所述电路基板上。
20、第三方面，本申请还提供一种电子设备，所述电子设备包括上述的电路板。
21、本技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是：上述的一种电压基准电路、电路板及电子设备中，该电压基准电路包括电压输出单元以及电流产生单元；电压输出单元用于根据电压输出单元上的第一电流输出基准电压；电流产生单元包括第一支路、第二支路以及运算放大器，运算放大器用于根据第一支路上的第二电流以及第二支路上的第三电流调节第一电流；本申请通过设置运算放大器包括第一晶体管和第二晶体管，且第一晶体管和第二晶体管为三极管，第一晶体管的基极连接第一支路，第二晶体管的基极连接第二支路；也就是说，第一晶体管和第二晶体管为运算放大器的输入对管，进而有利于减小基准电压的噪声，特别是能够减小基准电压的1/f噪声。
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1.一种电压基准电路，其特征在于，所述电压基准电路包括：
2.根据权利要求1所述的电压基准电路，其特征在于，所述第一支路包括相互串联的第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管远离所述第四晶体管的一端连接第一电源，所述第四晶体管远离所述第三晶体管的一端接地；
3.根据权利要求2所述的电压基准电路，其特征在于，所述第二支路包括依次串联设置的第五晶体管、第一电阻以及第六晶体管，所述第五晶体管远离所述第一电阻的一端连接所述第一电源，所述第六晶体管远离所述第一电阻的一端接地；
4.根据权利要求3所述的电压基准电路，其特征在于，所述电压输出单元包括串联设置的第七晶体管、第二电阻和第八晶体管，所述第七晶体管远离所述第二电阻的一端连接所述第一电源，所述第八晶体管远离所述第一电源的一端接地；
5.根据权利要求4所述的电压基准电路，其特征在于，所述第四晶体管以及所述第六晶体管为三极管，且所述第四晶体管的基极以及第六晶体管的基极共接于地；
6.根据权利要求4所述的电压基准电路，其特征在于，所述运算放大器包括第一输出端，所述第一输出端连接所述第三
7.根据权利要求6所述的电压基准电路，其特征在于，所述第三晶体管、所述第五晶体管以及所述第七晶体管为相同型号尺寸的MOS管，以使所述第一电流、所述第二电流以及所述第三电流的电流强度相等。
8.根据权利要求7所述的电压基准电路，其特征在于，所述电流产生单元还包括第三电阻，所述第三电阻一端连接所述第一输入端，另一端连接在所述第三晶体管与所述第四晶体管之间；
9.根据权利要求3所述的电压基准电路，其特征在于，所述第一输入端为所述运算放大器的负极输入端，所述第二输入端为所述运算放大器的正极输出端。
10.一种电路板，其特征在于，所述电路板包括电路基板和权利要求1至9任意一项所述的电压基准电路，所述电压基准电路集成在所述电路基板上。
11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求10所述的电路板。
...【技术特征摘要】
1.一种电压基准电路，其特征在于，所述电压基准电路包括：
2.根据权利要求1所述的电压基准电路，其特征在于，所述第一支路包括相互串联的第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管远离所述第四晶体管的一端连接第一电源，所述第四晶体管远离所述第三晶体管的一端接地；
3.根据权利要求2所述的电压基准电路，其特征在于，所述第二支路包括依次串联设置的第五晶体管、第一电阻以及第六晶体管，所述第五晶体管远离所述第一电阻的一端连接所述第一电源，所述第六晶体管远离所述第一电阻的一端接地；
4.根据权利要求3所述的电压基准电路，其特征在于，所述电压输出单元包括串联设置的第七晶体管、第二电阻和第八晶体管，所述第七晶体管远离所述第二电阻的一端连接所述第一电源，所述第八晶体管远离所述第一电源的一端接地；
5.根据权利要求4所述的电压基准电路，其特征在于，所述第四晶体管以及所述第六晶体管为三极管，且所述第四晶体管的基极以及第六晶体管的基极共接于地；
6.根据权利要求4所述的电压基准电路，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：周梦嵘，尚林林，王梨力，
申请(专利权)人：深圳市国微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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