DCSCR器件的结构、制造方法及电子设备技术

一种DCSCR器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，通过第一阱位于衬底上表面；第一阱为闭合的方环；第二阱、第三阱和第四阱设置于第一阱中且从第一侧至第二侧依次设置；第四阱为闭合的方环；深阱的上表面的边缘与第四阱的底部接触；第五阱位于深阱上表面且设置于第四阱中；第一有源区和第二有源区设置于第一阱中；第三有源区和第四有源区位于第二阱中且从外至内依次设置；第三有源区为闭合的方环状；第五有源区和第六有源区设置于第四阱中；第七有源区和第八有源区设置于第五阱中；从而形成3个ESD泄放路径，增大触发电压，提高过流能力的同时，减小导通电阻、钳位电压和版图面积，减少了闩锁效应的可能性。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体，尤其涉及一种dcscr器件的结构、制造方法及电子设备。

技术介绍

1、随着半导体工艺尺寸的缩小，对纳米工艺来说，器件的工作电压与击穿电压的差距越来越小，集成电路的静电泄放(dlectro-static discharge，esd)问题越来越显著。尤其在一些射频应用中，若要实现高等级的人体放电模式(human boday model，hbm)保护能力，可控硅整流器(silicon-controlled rectifier，scr)器件是较为常用的选择，而scr器件的寄生电容较小且过流能力较大，故改进为寄生电容小且导通速度快的二极管直连触发的可控硅整流器(diode-connect silicon-controlled rectifier，dcscr)器件，但是dcscr器件触发电压比较小，通常情况下，芯片端口的工作电压在0v到电源电压之间，从而普通器件端口的esd结构需要保证端口电压在0v和电源电压之间时esd器件没有漏电流。

2、图1为相关的dcscr器件剖面结构图，该结构包括p型衬底1、深n阱8、n阱2、n阱9、p阱7、n掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种DCSCR器件的结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的DCSCR器件的结构，其特征在于，所述第一有源区与所述第二有源区在所述第二阱的第一侧交替间隔分布，并共同拼接为闭合的方环状；且分布有m/2个所述第一有源区与m/2个所述第二有源区，其中m是偶数。

3.如权利要求1所述的DCSCR器件的结构，其特征在于，所述第一有源区、所述第二有源区与所述第三有源区之间、所述第三有源区与所述第四有源区之间、所述第三有源区与所述第五有源区之间、所述第五有源区与所述第六有源区之间、所述第六有源区与所述第七有源区之间、所述第七有源区与所述第八有源区之间、所述第八有源区...

【技术特征摘要】

1.一种dcscr器件的结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的dcscr器件的结构，其特征在于，所述第一有源区与所述第二有源区在所述第二阱的第一侧交替间隔分布，并共同拼接为闭合的方环状；且分布有m/2个所述第一有源区与m/2个所述第二有源区，其中m是偶数。

3.如权利要求1所述的dcscr器件的结构，其特征在于，所述第一有源区、所述第二有源区与所述第三有源区之间、所述第三有源区与所述第四有源区之间、所述第三有源区与所述第五有源区之间、所述第五有源区与所述第六有源区之间、所述第六有源区与所述第七有源区之间、所述第七有源区与所述第八有源区之间、所述第八有源区与所述第一有源区、所述第二有源区之间均设置浅沟槽隔离；所述浅沟槽隔离为绝缘物质。

4.如权利要求1所述的dcscr器件的结构，其特征在于，所述第一类型掺杂为p掺杂，所述第二类型掺杂为n掺杂。

5.如权利要求1所述的dcscr器件的结构，其特征在于，所述dcscr器件的线宽为40nm。

6.如权利要求1所述的dcscr器件的结构，其特征在于，所述第四有源区作为dcscr器件的阳极；所述第一有源区、所述第二有源区、所述第七有源区接地且作为dcscr器件的阴极；所述第三有源区与所述第六有源区电连接；所述第五有源区与所述第八有源区电连接。

7.一种dcscr器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

8.根据权利要求7所述的dcscr器件的制造方法，其特征在于，第一有源区与第二有源区在所述第二阱第一侧交替间隔分布，并共同拼接为闭合的方环...

【专利技术属性】
技术研发人员：李会羽，董小雨，陈锡均，黄曦原，
申请(专利权)人：深圳市国微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：