热跟踪补偿功率放大器的偏置电路制造技术

本申请热跟踪补偿功率放大器的偏置电路、无线通信设备，该偏置电路包括发射极跟随器，所述发射极跟随器的基极连接至偏置电流，集电极连接至电压源，发射极连接至功率晶体管阵列中的多个功率晶体管的每个的基极；第一、第二和第三二极管，所述第一二极管的一端连接所述偏置电流，所述第一二极管的另一端连接所述第二和第三二极管，所述第二和第三二极管的另一端连接到地端，其中，所述第二二极管设置于所述功率晶体管阵列外，所述第三二极管设置于所述功率晶体管内，所述第二二极管与所述第三二极管的面积比为1:9‑9:1。

【技术实现步骤摘要】
热跟踪补偿功率放大器的偏置电路
本专利技术涉及集成电路
，且特别涉及一种热跟踪补偿功率放大器的偏置电路。
技术介绍
射频功率放大器广泛应用在手机、路由器等无线通信设备中，随着信号强度要求越来越高，需要的功率越来越大。在效率没有得到明显提升以及散热没有特殊方法的情况下，射频功率放大器的发热越来越影响到产品的性能。尤其在时分应用情况下，在一段信号帧中，开始时温度较低，随着功率晶体管的继续工作，发热越来越多，温度越来越高，而晶体管的开启电压Vth(thresholdvoltage)以及电流放大倍数β对温度尤为敏感，导致输出功率的增益等指标产生变化，影响信号传输质量以及误码率。现有关于散热以及热补偿技术主要是物理方法提高散热速度，增加接地面积，或者增加其他散热金属片。该方法随着功率越来越大，发热越来越明显，起到的作用越来越弱。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种热跟踪补偿功率放大器的偏置电路，解决现有技术中射频功率放大器的散热问题。本申请提供一种热跟踪补偿功率放大器的偏置电路，包括：发射极跟随器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热跟踪补偿功率放大器的偏置电路，其特征在于，包括：/n发射极跟随器，所述发射极跟随器的基极连接至偏置电流，集电极连接至电压源，发射极连接至功率晶体管阵列中的多个功率晶体管的每个的基极；/n第一、第二和第三二极管，所述第一二极管的一端连接所述偏置电流，所述第一二极管的另一端连接所述第二和第三二极管，所述第二和第三二极管的另一端连接到地端，其中，所述第二二极管设置于所述功率晶体管阵列外，所述第三二极管设置于所述功率晶体管内，所述第二二极管与所述第三二极管的面积比为1:9-9:1。/n

【技术特征摘要】
1.一种热跟踪补偿功率放大器的偏置电路，其特征在于，包括：
发射极跟随器，所述发射极跟随器的基极连接至偏置电流，集电极连接至电压源，发射极连接至功率晶体管阵列中的多个功率晶体管的每个的基极；
第一、第二和第三二极管，所述第一二极管的一端连接所述偏置电流，所述第一二极管的另一端连接所述第二和第三二极管，所述第二和第三二极管的另一端连接到地端，其中，所述第二二极管设置于所述功率晶体管阵列外，所述第三二极管设置于所述功率晶体管内，所述第二二极管与所述第三二极管的面积比为1:9-9:1。


2.如权利要求1所述的热跟踪补偿功率放大器的偏置电路，其特征在于，所述发射极跟随器的发射极与所述多个功率晶体管的基极之间通过电阻器...

【专利技术属性】
技术研发人员：付翔，施颖，
申请(专利权)人：芯朴科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31