功率放大电路制造技术

本发明专利技术构成一种在抑制与温度上升相伴的增益的劣化的同时抑制了放大特性的线性的劣化的功率放大电路(201)，其具备：功率放大器(PA)，对高频信号进行功率放大；功率放大器用温度检测电路(101)，包含与功率放大器热耦合的温度检测元件；偏置控制信号产生电路(21)，基于从功率放大器用温度检测电路输出的温度检测信号(Vdi)，产生对功率放大器的偏置控制信号；以及调节器电路(12)，使温度检测信号稳定化。而且，功率放大器、功率放大器用温度检测电路以及调节器电路形成在第一集成电路(10)，偏置控制信号产生电路(21)形成在第二集成电路(20)。第一集成电路的基板材料的截止频率比第二集成电路的基板材料高。

【技术实现步骤摘要】
功率放大电路
本专利技术涉及对高频信号进行功率放大的功率放大电路。
技术介绍
例如，无线通信设备具备对发送信号进行功率放大并向天线输出的功率放大电路。对发送信号进行功率放大的功率放大器的放大率具有温度依赖性，由于功率放大器自身发出的热，放大率伴随时间经过而变化。在专利文献1示出了根据这样的功率放大器自身发出的热而补偿适当的放大率的电路。专利文献1的温度补偿电路构成为，对功率放大器的基准温度下的热进行检测，产生与此后的温度上升相应的电压信号，并用该电压信号使针对功率放大器的晶体管的偏置电压变化，由此控制功率放大器的放大率。在先技术文献专利文献专利文献1：美国专利第10056874号例如，在无线LAN的通信电路中，对发送信号进行功率放大的功率放大电路和在专利文献1记载的温度补偿电路一同构成在单个半导体芯片。然而，关于上述温度补偿电路的形成，大多使用容易进行微细加工的Si类基板。在包含这样的温度补偿电路的同一半导体芯片形成了功率放大电路的情况下，由于Si类基板的截止频率f(t)低，因此存在如下的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率放大电路，具备：/n功率放大器，对高频信号进行功率放大；/n温度检测电路，包含对所述功率放大器的温度进行检测的温度检测元件；/n偏置控制信号产生电路，基于从所述温度检测电路输出的温度检测信号，产生对所述功率放大器的偏置控制信号；以及/n调节器电路，使所述温度检测信号稳定化，/n所述功率放大器、所述温度检测元件以及所述调节器电路形成在第一集成电路，/n所述偏置控制信号产生电路形成在第二集成电路。/n

【技术特征摘要】
20181228 JP 2018-2468031.一种功率放大电路，具备：
功率放大器，对高频信号进行功率放大；
温度检测电路，包含对所述功率放大器的温度进行检测的温度检测元件；
偏置控制信号产生电路，基于从所述温度检测电路输出的温度检测信号，产生对所述功率放大器的偏置控制信号；以及
调节器电路，使所述温度检测信号稳定化，
所述功率放大器、所述温度检测元件以及所述调节器电路形成在第一集成电路，
所述偏置控制信号产生电路形成在第二集成电路。


2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述第一集成电路的基板材料是截止频率比所述第二集成电路的基板材料高的材料。


3.根据权利要求1或2所述的功率放大电路，其中，
所述调节器电路具备：
电流镜电路，将输入晶体管以及输出晶体管的控制端子彼此连接而构成；以及
第一晶体管，第一端子以及第二端子中的至少一者连接于所述输入晶体管的电流路径，控制端子连接于所述输出晶体管的电流路径。


4.根据权利要求3所述的功率放大电路，其中，
所述调节器电路还包含具有第一端子、第二端子以及控制端子的第二晶体管，
在所述输入晶体管的电流路径插入所述第二晶体管的第一端子以及第二端子，
在所述第二晶体管的第一端子与控制端子之间连接所述第一晶体管的第一端子以及第二端子，
所述功率放大器具备功率放大用晶体管和对所述功率放大用晶体管的控制端子施加偏置电压的偏置用晶体管，
所述第二晶体管是与所述偏置用晶体管相同种类的晶体管。


5.根据权利要求4所述的功率放大电路，其中，
施加于所述第二晶体管的电源电压是与施加于所述偏置用晶体管的电源电压相同的电压。


6.根据权利要求1至3中的任一项所述的功率放大电路，其中，
所述功率放大器具备：
功率放大用晶体管；
偏置用晶体管，对所述功率放大用晶体管的控制端子施加偏置电压；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林俊介，河野孝透，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP