一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架及工艺方法技术

技术编号:24860055 阅读:44 留言:0更新日期:2020-07-10 19:11
本发明专利技术公开了一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架及工艺方法,包括底座、LED芯片、设置在底座上的第一反射杯和第一反射杯以及第一反射杯和第二反射杯之间形成的容置槽,底座内设置有第一散热通道和第二散热通道,第一散热通道和第二散热通道为烟斗型,容置槽的底面上设有镀银层,LED芯片的下表面贴装在镀银层上,镀银层与LED芯片下表面接触的那一面设置有纳米膜。本发明专利技术通过采用纳米膜和改良的离心沉淀工艺,并利用设置在LED支架底座两侧的散热通道,能够有效避免硫元素等穿过荧光胶进入到支架的底部与银发生硫化反应,而且使得LED芯片散热可以良好地从PN引脚导出,有效防止LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架及工艺方法
本专利技术涉及LED封装领域,尤其涉及一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架及工艺方法。
技术介绍
目前TOPLED因为对原物料散热性能的高要求,主要采用高分子有机硅作为白光LED的外封胶,但由于硅胶本笛具有高度的透湿透氧特性,当LED接触到含硫物质时,硫元素会渗透到支架功能区,与支架上的镀银发生化学反应,产生硫化现象。硫化现象是指硫(S)元素在一定温度与湿度的条件下,其-2价的硫与+1价的银发生化学反应生成黑色Ag2S的过程。LED器件中,LED支架的容纳腔表面上会覆盖有镀银层,用于反射LED芯片发出的光线,提高LED器件的光线利用率,空气中的硫元素在侵入LED器件内部后,与容纳腔表面上的镀银层发生硫化反应后,硫化后的LED会出现支架功能区黑化,光通量严重下降,出现明显的色温漂移,随着长时间燃点,温度的升高,硫化银的电导率增加,可能还会出现漏电现象,导致LED完全失效,出现死灯现象。现有技术中,常常在LED支架的反射杯中封装邵氏硬度较大的胶水,该胶水中混合有荧光粉。邵氏硬度较大的胶水,使得胶水与反射杯及底座之间的缝隙较小,硫蒸气难以进入反射杯10底部与镀银层发生硫化反应,并产生黑色物质而吸收光通量,从而使得出光效率较高。然而,邵氏硬度较大的胶水,其内应力较大,在热胀冷缩的冲击作用下,LED芯片正负极的连接导线301容易断点,其冷热冲击测试TS回合数小于100,影响发光。为解决LED芯片正负极的连接导线容易断点问题,现有技术中,或者在反射杯中封装邵氏硬度较小的胶水,该胶水中混合有荧光粉。然而,邵氏硬度较小的胶水,又使得胶水与反射杯及底座之间的缝隙较大,硫蒸气容易进入反射杯底部与镀银层发生硫化反应,并产生黑色物质而吸收光通量,影响出光效率。另外,LED的封装工艺一般采用重力沉淀,采用重力沉淀的LED烘烤后荧光粉胶体牢牢吸在芯片上,影响了芯片的散热,使得芯片散热不能良好地从PN脚导出,导致LED芯片温度过高使芯片衰减加剧。
技术实现思路
本专利技术是为了克服现有技术中LED支架易硫化,芯片散热不能良好地从PN脚导出,导致LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的技术问题,提供一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架及工艺方法,能够有效避免硫元素等穿过荧光胶进入到支架的底部与银发生硫化反应,而且使得LED芯片散热可以良好地从PN引脚导出,有效防止LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的问题。为了实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案:一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架,包括底座、LED芯片、设置在底座上的第一反射杯和第一反射杯以及第一反射杯和第二反射杯之间形成的容置槽,所述底座内设置有第一散热通道和第二散热通道,所述第一散热通道和第二散热通道为烟斗型,所述容置槽的底面上设有镀银层,所述LED芯片的下表面贴装在镀银层上,所述镀银层与LED芯片下表面接触的那一面设置有纳米膜。本方案利用纳米膜具有抗高温、抗氧化和高气密性的特点,对全部镀银层进行涂覆保护,其可以有效避免硫元素或卤族元素穿过荧光胶进入到支架的底部与银发生硫化反应。同时,由于LED支架的底座设有散热通道,使得LED芯片散热可以良好地从PN引脚导出,有效防止LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的问题。作为优选,所述底座有从所述容置槽的底面向外引出的PN引脚,所述第一散热通道的进风口与所述LED芯片的负极PN引脚相连,所述第二散热通道的进风口与所述LED芯片的正极PN引脚相连,所述第一散热通道的进风口处设有第一防硫化薄膜,所述第二散热通道的进风口处设有第二防硫化薄膜。第一防硫化薄膜和第二防硫化薄膜上根据需求设置有若干通风小孔,并均匀喷有防硫化液,避免外界空气中的硫元素进入镀银层发生硫化反应。作为优选,所述第一散热通道的出风口和第二散热通道的出风口分别设置在底座的两侧,所述第一散热通道的出风口和第二散热通道的出风口设置有弹性卡扣件。设置弹性卡扣件可以手动调节第一散热通道和第二散热通道的打开和闭合,以及可以根据散热需求调节通风口的大小,从而调节散热进出风量。作为优选,所述LED支架还包括第一焊线和第二焊线,LED芯片的正极通过所述第一焊线与底座内表面的正极PN引脚连接,LED芯片的负极通过所述第二焊线与底座内表面的负极PN引脚连接。作为优选,所述底座与第一反射杯、第二反射杯和容置槽的底面交接处设有防硫化层,所述防硫化层的厚度大于第一防硫化薄和第二防硫化薄膜。本方案解决了LED支架和PIN角的交接处存在缝隙,使镀银层暴露在空气中容易发生硫化反应的问题。作为优选,所述容置槽内设有灌胶封体,所述灌胶封体为荧光胶体。LED内部产生的光子如果不能全部射到芯片外部就会转换成热能,LED长期点亮的过程中结温的升高导致光通量的输出降低,高温下支架及荧光胶也容易早期劣化,这些都导致的光通维持率的下降。由于灌胶后的LED芯片的表面会沾附有荧光粉胶体,通常采用重力沉淀的LED烘烤后荧光粉胶体牢牢吸在芯片上,影响了芯片的散热,为了解决这个问题,本方案针对这一问题进行改进,有效解决这一问题。本专利技术所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的工艺方法,包括以下步骤:S1:制作LED支架的底座,冲压注塑成型;S2:将反射片设成碗杯状,先在容置槽底面涂抹镀银层,涂抹完镀银层后对LED支架进行晾晒或烘烤;S3:在镀银层与LED芯片下表面接触的那一面涂覆纳米膜,然后将LED芯片固定于所述容置槽底面的镀银层上;S4:对第一焊线和第二焊线进行等离子清洗,对LED支架进行除湿后进行焊线,焊线结束后,对容置槽进行点胶;S5:在进入烘箱烘烤固化成型前,将经过上述步骤后的LED支架放在离心设备里进行离心沉淀,检查离心沉淀后的LED芯片表面的荧光胶体,符合要求则进入下一步骤,如果不符合要求则继续S5步骤;S6:离心沉淀结束后,将LED支架放入烘箱除湿、烘烤固化成型,干燥后进行稳定测试。离心沉淀工艺的LED芯片表面的荧光胶体在离心力的作用下,无法粘附在芯片的表面,从而能保证芯片表面没有其它的物质影响芯片的散热,从而减缓光通量的衰减。作为优选,所述步骤S1中对LED支架的底座进行加工,设置第一散热通道和第二散热通道,并在第一散热通道的进风口处设置第一防硫化薄膜,在所述第二散热通道的进风口处设置第二防硫化薄膜,在第一散热通道和第二散热通道的出风口安装弹性卡扣件,将防硫化层浇筑在底座与第一反射杯、第二反射杯和容置槽的底面交接处,浇筑结束后对LED支架进行烘烤。本专利技术的有益效果是:能够有效避免硫元素等穿过荧光胶进入到支架的底部与银发生硫化反应,而且使得LED芯片散热可以良好地从PN引脚导出,有效防止LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的问题。附图说明图1是本专利技术的一种结构示意图。图2是本专利技术的图1中A处的局部放大图。图中:101.底座,102.第一反射杯,103.第二反射杯,104.灌胶封体,20本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架,其特征在于,所述LED支架包括底座(101)、LED芯片(501)、设置在底座(101)上的第一反射杯(102)和第一反射杯(103)以及第一反射杯和第二反射杯之间形成的容置槽(901),所述底座(101)内设置有第一散热通道(301)和第二散热通道(302),所述第一散热通道(301)和第二散热通道(302)为烟斗型,所述容置槽(901)的底面上设有镀银层(401),所述LED芯片(501)的下表面贴装在镀银层(401)上,所述镀银层(401)与LED芯片(501)下表面接触的那一面设置有纳米膜(601)。/n

【技术特征摘要】
1.一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架,其特征在于,所述LED支架包括底座(101)、LED芯片(501)、设置在底座(101)上的第一反射杯(102)和第一反射杯(103)以及第一反射杯和第二反射杯之间形成的容置槽(901),所述底座(101)内设置有第一散热通道(301)和第二散热通道(302),所述第一散热通道(301)和第二散热通道(302)为烟斗型,所述容置槽(901)的底面上设有镀银层(401),所述LED芯片(501)的下表面贴装在镀银层(401)上,所述镀银层(401)与LED芯片(501)下表面接触的那一面设置有纳米膜(601)。


2.根据权利要求1所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架,其特征在于,所述底座(101)有从所述容置槽(901)的底面向外引出的PN引脚,所述第一散热通道(301)的进风口与所述LED芯片(501)的负极PN引脚相连,所述第二散热通道(302)的进风口与所述LED芯片(501)的正极PN引脚相连,所述第一散热通道(301)的进风口处设有第一防硫化薄膜(802),所述第二散热通道(302)的进风口处设有第二防硫化薄膜(801)。


3.根据权利要求1所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架,其特征在于,所述第一散热通道(301)的出风口和第二散热通道(302)的出风口分别设置在底座(101)的两侧,所述第一散热通道(301)的出风口和第二散热通道(302)的出风口设置有弹性卡扣件(A)。


4.根据权利要求1或2所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架,其特征在于,所述LED支架还包括第一焊线(201)和第二焊线(202),LED芯片(501)的正极通过所述第一焊线(201)与底座(101)内表面的正极PN引脚连接,LED芯片(501)的负极通过所述第二焊线(202)与底座(101)内表面的负极PN引脚连接。


5.根据权利要求1或2所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架,其特征在于,所述底座(101)与第一反射杯(102)、...

【专利技术属性】
技术研发人员:邹志文
申请(专利权)人:宁波凯耀电器制造有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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