一种硅异质结太阳电池用TCO薄膜的制作方法和设备技术

本发明专利技术公开了一种硅异质结太阳电池用TCO薄膜的制作方法和设备，硅片导入腔和/或沉积腔和/或缓冲腔安装有真空泵、加热器和冷凝泵，利用真空泵、加热器和冷凝泵，真空泵和冷凝泵配合使用，设备能够快速排除腔室内的水气，降低腔室中的水气分压，并将水气分压保持在1x10

【技术实现步骤摘要】
一种硅异质结太阳电池用TCO薄膜的制作方法和设备
本专利技术涉及半导体光电转换领域，具体为一种硅异质结太阳电池用TCO薄膜的制作方法和设备。
技术介绍
硅异质结(Siliconheterojunction:SHJ)太阳电池中，N型单晶硅片前表面和后表面分别沉积I/N和I/P非晶硅或者微晶硅、或者处于非晶硅和微晶硅之间的过渡相薄膜叠层，在I/N和I/P叠层薄膜上面分别沉积透明导电氧化物(Transparentconductiveoxide:TCO)。TCO薄膜既具有减少表面光反射的功能，提高太阳电池对太阳光吸收，又具有导电传输层的功能，收集光生载流子。TCO薄膜一般采用离子束镀膜、溅射、或者加热蒸镀的方式在太阳电池表面进行沉积，例如，反应性等离子体沉积设备(Reactiveplasmadeposition:RPD)、磁控溅射(Sputtering)、蒸镀(Evaporation)等方法，这些设备中多采用氩气和氧气作为原料气体产生等离子体，使靶材蒸发或者升华，在SHJ太阳电池前驱体表面形成镀膜。由于I/N和I/P非晶硅薄膜厚度非常薄，通常只本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅异质结太阳电池用TCO薄膜的制作设备，其特征在于：设备中设置多个功能分离的真空腔室，至少包含硅片导入腔、缓冲腔、沉积腔，沉积腔和/或缓冲腔安装气体分析仪，能够检测多种气体在真空和薄膜沉积状态下的分压和相对含量，硅片导入腔和/或沉积腔和/或缓冲腔安装有真空泵、加热器和冷凝泵，利用真空泵、加热器和冷凝泵，真空泵和冷凝泵配合使用，设备能够快速排除腔室内的水气，降低腔室中的水气分压，并将水气分压保持在1x10

【技术特征摘要】
20200323 CN 20201020915851.一种硅异质结太阳电池用TCO薄膜的制作设备，其特征在于：设备中设置多个功能分离的真空腔室，至少包含硅片导入腔、缓冲腔、沉积腔，沉积腔和/或缓冲腔安装气体分析仪，能够检测多种气体在真空和薄膜沉积状态下的分压和相对含量，硅片导入腔和/或沉积腔和/或缓冲腔安装有真空泵、加热器和冷凝泵，利用真空泵、加热器和冷凝泵，真空泵和冷凝泵配合使用，设备能够快速排除腔室内的水气，降低腔室中的水气分压，并将水气分压保持在1x10-3Pa以下；所述沉积腔和/或缓冲腔还安装有水气供给装置，能够向相应腔室内供应水气，从而将水气分压稳定在1x10-5Pa以上，避免TCO薄膜产生脱落。


2.根据权利要求1所述的一种硅异质结太阳电池用TCO薄膜的制作设备，其特征在于：设备中设置的多个功能分离的真空腔室还包括硅片导出腔。


3.根据权利要求2所述的一种硅异质结太阳电池用TCO薄膜的制作设备，其特征在于：设备中设置的多个功能分离的真空腔室为硅片导入腔、第一缓冲腔、沉积腔、第二缓冲腔和硅片导出腔。


4.根据权利要求3所述的一种硅异质结太阳电池用TCO薄膜的制作设备，其特征在于：所述硅片导入腔、第一缓冲腔、沉积腔、第二缓冲腔和硅片导出腔相互隔离或连通。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘正新，谢毅，石建华，孟凡英，周华，
申请(专利权)人：中威新能源成都有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51