光电探测器与显示基板制造技术

本发明专利技术提供一种光电探测器与显示基板。所述光电探测器包括第一电极、吸收层、缓冲层及第二电极，所述缓冲层设置于所述吸收层与所述第二电极之间，所述吸收层的材料包括铜铟镓硒，所述吸收层用于吸收光并产生电信号。所述吸收层与所述缓冲层的晶格失配度不大于25％。采用铜铟镓硒作为吸收层的材料，有利于提高光电转换效率并增大可吸收光的光谱范围；同时，由于吸收层与缓冲层的晶格失配度较小，使得缓冲层与吸收层晶格匹配，有利于降低缓冲层与所述吸收层的界面缺陷态，降低暗电流，提高光电探测器的信噪比，进而提高检测性能。

【技术实现步骤摘要】
光电探测器与显示基板
本专利技术涉及光电转换领域，尤其涉及一种光电探测器与显示基板。
技术介绍
光电探测器在工业、国防、医学以及日常生活中都有着广泛的应用。常见的光电探测器包括PIN光电探测器、PN光电探测器及MSM(Metal-Semiconductor-Metal，金属-半导体-金属)光电探测器等。以PN光电探测器为例，现有的PN光电探测器的吸收层的光电转换效率较低，且可吸收光的光谱范围也较小，因而在一定程度上限制了PN光电探测器的应用范围。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种光电探测器，所述光电探测器包括第一电极、吸收层、缓冲层及第二电极，所述吸收层的材料包括铜铟镓硒，所述吸收层用于吸收光并产生电信号；所述吸收层与所述缓冲层的晶格失配度不大于25％。进一步的，所述吸收层与所述缓冲层的晶格失配度不大于5％。进一步的，所述缓冲层的材料包括氧化镓。进一步的，所述光电探测器包括设置于所述缓冲层和所述第二电极之间的阻挡层，所述阻挡层用于在形成第二电极时对所述缓冲层进行保护。进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括第一电极、吸收层、缓冲层及第二电极，所述缓冲层设置于所述吸收层与所述第二电极之间，所述吸收层的材料包括铜铟镓硒，所述吸收层用于吸收光并产生电信号；/n所述吸收层与所述缓冲层的晶格失配度不大于25％。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括第一电极、吸收层、缓冲层及第二电极，所述缓冲层设置于所述吸收层与所述第二电极之间，所述吸收层的材料包括铜铟镓硒，所述吸收层用于吸收光并产生电信号；
所述吸收层与所述缓冲层的晶格失配度不大于25％。


2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述吸收层与所述缓冲层的晶格失配度不大于5％。


3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化镓。


4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括设置于所述缓冲层和所述第二电极之间的阻挡层，所述阻挡层用于在形成第二电极时对所述缓冲层进行保护。


5.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述阻挡层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。


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【专利技术属性】
技术研发人员：杜建华，曲峰，罗超，李超，强朝辉，王治，关峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11