【技术实现步骤摘要】
一种基于碱抛的选择性发射极电池正面保护方法
本专利技术涉及一种基于碱抛的选择性发射极电池正面保护方法，属于太阳能电池加工
技术介绍
对于现有的常规PERC电池，其较高的量产效率主要得益于背面优异的钝化效果。对于其下一步提效方向，也就是降低其正面的复合速率，其中SE结构可以满足。SE结构是在金属栅线与硅片接触部分进行重掺杂，而电极以外位置保持轻掺杂，这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，从而使电池性能整体得到提高。目前，实现结构的技术手段包括：湿法掩膜法、印刷磷源法、激光掺杂等。其中激光掺杂技术对于PERC电池产线而言最为简单，工艺流程中只需增加激光掺杂一个步骤，并且与常规产线兼容性强，因此“PERC+SE”电池技术成为行业研究热点。另外PERC电池主要采用ALD法背面制备三氧化二铝薄膜的方式，这就要求背表面具有良好的平整性，引进碱抛光工艺解决了背面镀膜的平整性问题，提高了少子寿命，并增加背表面反射率，是进一步提高PERC电池效率的一种有效手段，因此同样需要“PERC+SE”技术与碱抛光具有良好的兼容性。在SE电池片印刷过程中，为了确保印刷细栅线在激光区域内，采用激光打出mark对位点的方式来进行印刷校准，产业化中一般采用方形激光光斑制备mark点进行对位。为了保证印刷对位的高精准性，需要保证mark点在碱抛中不被抛光，但是由于mark点存在没有氧化层覆盖的热损伤区域，该区域在碱抛中容易被抛光，从而引发后续印刷中mark点无法抓准的问题，且存在mark点漏电...
【技术保护点】
1.一种基于碱抛的选择性发射极电池正面保护方法，其特征在于包括如下步骤：/n⑴准备硅片浸没在80-85℃的热水槽中，经1-2min的氧化反应后，则形成了一层氧化膜，再经清洗及烘干操作待用；/n⑵向存有质量分数为3%盐酸的盐酸槽中通入浓度为1-10mg/L的臭氧，将清洗烘干处理好的硅片放入盐酸槽中反应35-45S；/n⑶对步骤（2）的硅片进行高温退火步骤，退火参数控制如下：氧浓度范围为1×10
【技术特征摘要】
1.一种基于碱抛的选择性发射极电池正面保护方法，其特征在于包括如下步骤：
⑴准备硅片浸没在80-85℃的热水槽中，经1-2min的氧化反应后，则形成了一层氧化膜，再经清洗及烘干操作待用；
⑵向存有质量分数为3%盐酸的盐酸槽中通入浓度为1-10mg/L的臭氧，将清洗烘干处理好的硅片放入盐酸槽中反应35-45S；
⑶对步骤（2）的硅片进行高温退火步骤，退火参数控制如下：氧浓度范围为1×1017-3×1017atoms/cm3，维持压力为100mbar，温度为750～800℃，持续反应1000～1200S；
⑷设置盐酸-双氧水槽，盐酸-双氧水槽中去离子水:盐酸:双氧水=4:1:1，槽内温度控制为70-75℃，将退火后的硅片放入水浴中反应4-5min；
⑸在硅片的上料装置上设置臭氧喷淋，将臭氧发生器产生的臭氧喷入硅片的扩散面，臭氧通过扩散方法在晶硅基体外表面氧化生长出均匀的氧化硅薄层；
⑹将处理好的硅片放入浓硝酸槽中进行处理，形成致密氧化层薄膜，槽中硝酸浓度不小于68%，反应温度为85-90℃，反应时间1-2min；
⑺将处理后的硅片进行抛光处理。
2.根据权利要求1所述的基于碱抛的选择性发射极电池正面保护方法，其特征在于：所述步骤（7）中抛光处理在质量分数为5%的KOH碱槽进行。
3.根据权利要求1所述的基于碱抛的选择性发射极电池正面保护方法，其特征在于包括如下步骤：
⑴准备硅片浸没在81℃的热水槽中，经1min的氧化反应后，则形成了一层氧化膜，再经清洗及烘干操作待用；
⑵向存有质量分数为3%盐酸的盐酸槽中通入浓度为3mg/L的臭氧，将清洗烘干处理好的硅片放入盐酸槽中反应38S；
⑶对步骤（2）的硅片进行高温退火步骤，退火参数控制如下：氧浓度范围为1×1017atoms/cm3，维持压力为100mbar，温度为750℃，持续反应1000S；
⑷设置盐酸-双氧水槽，盐酸-双氧水槽中去离子水:盐酸:双氧水=4:1:1，槽内温度控制为70℃，将退火后的硅片放入水浴中反应4min；
⑸在硅片的上料装置上设置臭氧喷淋，将臭氧发生器产生的臭氧喷入硅片的扩散面，臭氧通过扩散方法在晶硅基体外表面氧化生长出均匀的氧化硅薄层；
⑹将处理好的硅片放入浓硝酸槽中进行处理，形成致密氧化层薄膜，槽中硝酸浓度不小于68%，反应温度为85℃，反应时间1min；
⑺将处理后的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王茜茜，职森森，刘晓瑞，邢飞，翁航，沙玮惠，吴仕梁，路忠林，张凤鸣，
申请(专利权)人：江苏日托光伏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。