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本发明公开一种基于碱抛的选择性发射极电池正面保护方法，将P型硅片进行制绒清洗，扩散形成高方阻硅片；激光掺杂同时在硅片表面打出mark点，将待氧化的硅片表面制作致密氧化层薄膜；链式去除背面PSG，后经过质量分数为5%的KOH碱槽进行背表面抛光...
该专利属于江苏日托光伏科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏日托光伏科技股份有限公司授权不得商用。

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