红外探测器芯片的接触电极制备方法技术

本发明专利技术公开了一种红外探测器芯片的接触电极制备方法，所述方法，包括：在钝化层表面涂覆光刻胶，并进行光刻及显影，形成适于制备接触孔的光刻胶图形；腐蚀钝化层；对钝化层远离碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀；去除光刻胶以及附着于光刻胶上的金属层。采用本发明专利技术，结合了钝化层腐蚀工艺和电极剥离工艺，避免了工艺过程中对碲镉汞和钝化层的损伤，并减少了光刻次数，减少了工艺步骤，而且巧妙利用了钝化层腐蚀的侧向腐蚀、大大降低了剥离的工艺难度，提升了成品率。

【技术实现步骤摘要】
红外探测器芯片的接触电极制备方法
本专利技术涉及红外探测器
，尤其涉及一种红外探测器芯片的接触电极制备方法。
技术介绍
碲镉汞红外探测器由于其波长可调，量子效率高，器件性能好，成为高性能制冷型红外探测器的重要材料。经过几十年的发展，红外探测器已经发展到了第三代，在向着大面阵、长波长、双多色器件、高温工作器件等方向进一步拓展这红外器件的性能和探测能力。红外探测器的电极引出是探测器制备中的关键步骤，电极制备工艺主要分为两步：钝化层开孔和电极引出。相关技术中，钝化层开孔可通过钝化孔光刻和钝化孔湿法腐蚀/干法刻蚀两步实现；电极引出可通过电极剥离或电极湿法腐蚀/干法刻蚀工艺实现。其中钝化层开孔工艺中的湿法腐蚀对碲镉汞材料没有损伤，但会因其腐蚀的各项同性易造成侧向腐蚀；干法刻蚀制备钝化孔，基本不存在侧向腐蚀，但是由于等离子轰击作用会对碲镉汞材料造成一定的损伤。电极制备的电极剥离工艺不会对钝化层造成损伤，但是由于碲镉汞探测器所用的电极体系胶厚，且随着红外探测器发展，电极间的距离逐渐减小，剥离难度大，极易出现金属层粘连无法剥离或需要剩余的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外探测器芯片的接触电极制备方法，其特征在于，包括：/n在钝化层表面涂覆光刻胶，并进行光刻及显影，形成适于制备接触孔的光刻胶图形；/n腐蚀所述钝化层；/n对所述钝化层远离所述碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀；/n去除所述光刻胶以及附着于所述光刻胶上的金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种红外探测器芯片的接触电极制备方法，其特征在于，包括：
在钝化层表面涂覆光刻胶，并进行光刻及显影，形成适于制备接触孔的光刻胶图形；
腐蚀所述钝化层；
对所述钝化层远离所述碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀；
去除所述光刻胶以及附着于所述光刻胶上的金属层。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层为硫化锌层。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶图形的厚度大于等于1微米且小于等于4微米。


5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腐蚀所述钝化层，包括：
将所述芯片浸泡于盛放有腐蚀液的烧杯中；
将所述烧杯放置于超声水槽中。


6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述腐蚀液为浓盐酸、浓盐酸和...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世光，张轶，谭振，周立庆，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11