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本发明公开了一种红外探测器芯片的接触电极制备方法，所述方法，包括：在钝化层表面涂覆光刻胶，并进行光刻及显影，形成适于制备接触孔的光刻胶图形；腐蚀钝化层；对钝化层远离碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀；去除光刻胶以及附着于光刻胶上的金属层。采用本发...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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