JFET器件的制备方法和JFET器件技术

本申请公开了一种JFET器件的制备方法和JFET器件，该方法包括：提供一衬底，该衬底为P型衬底，该衬底中形成有深N型阱；在衬底上形成场氧层，深N型阱覆盖场氧层的底部；在深N型阱中形成至少两个N型阱，在深N型阱的外周侧形成第一P型阱和第二P型阱；在深N型阱中形成PTOP，PTOP将深N型阱隔断为上部区域和下部区域，PTOP的两端分别与第一P型阱和第二P型阱接触，至少两个N型阱位于上部区域；在深N型阱内N型阱外形成P型重掺杂区，在第一N型阱内形成第一N型重掺杂区，在第二N型阱内形成第二N型重掺杂区。本申请通过在JFET器件的深N型阱中形成N型阱，解决了由于深N型阱的载流子浓度低所导致的JFET器件的导通电流较小的问题。

【技术实现步骤摘要】
JFET器件的制备方法和JFET器件
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种JFET器件的制备方法和JFET器件。
技术介绍
结型场效应晶体管(JunctionField-EffectTransistor，JFET)是由PN结的栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)构成的一种具有放大功能的三端有源器件,其工作原理是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺为在同一芯片(Die)上制作双极晶体管(BipolarJunctionTransistor，BJT)器件、互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，CMOS)器件和DMOS器件的工艺。采用BCD工艺制造的器件广泛应用于电源管理、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域。参考图1，其示出了一种基于BCD工艺制备得到的JFET器件的剖面示意图，如图1所示，该JFET器件包括P型衬底101，P型衬底101中形成有深N型阱(DeepNegative-typeWell，DNW)102，深N型阱中形成有P型阱(Positive-typeWell，PW)104，P型104和深N型阱102之间形成有浮置P型结构(PTOP，P型离子注入)1051、1052，P型衬底101上形成有场氧(LocalOxidationofSilicon，LOCOS)层103，场氧层103两侧的P型衬底101中形成有N型重掺杂区1071、1072。如图1所示，JFET器件通过设置P型阱-PTOP-深N型阱的结构对P型阱和深N型阱进行夹断，相关技术中，可将上述结构改进为P型重掺杂区-PTOP-深N型阱，使深N型阱的深度变浅，以获得更低的夹断电压，然而，在改进的结构中，JFET器件的导通电流较小。
技术实现思路
本申请提供了一种JFET器件的制备方法和JFET器件，可以解决相关技术中提供的JFET器件的导通电流较小的问题。一方面，本申请实施例提供了一种JFET器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底为P型衬底，所述衬底中形成有深N型阱；在所述衬底上形成场氧(LocalOxidationofSilicon，LOCOS)层，所述深N型阱覆盖所述场氧层的底部；在所述深N型阱中形成至少两个N型阱，在所述深N型阱的外周侧形成第一P型阱和第二P型阱；在所述深N型阱中形成PTOP，所述PTOP将所述深N型阱隔断为上部区域和下部区域，所述PTOP的两端分别与第一P型阱和所述第二P型阱接触，所述至少两个N型阱位于所述上部区域；在所述深N型阱内N型阱外形成P型重掺杂区，在所述第一N型阱内形成第一N型重掺杂区，在所述第二N型阱内形成第二N型重掺杂区。可选的，所述衬底上形成有至少四个场氧层；所述衬底上形成有所述在所述衬底上形成场氧层，包括：通过光刻工艺在第一目标区域覆盖光阻，所述第一目标区域是所述衬底上除所述至少四个场氧层对应的区域以外的其它区域；通过场氧工艺在所述衬底上暴露的区域生长场氧层，形成所述至少四个场氧层；去除所述光阻。可选的，沿所述衬底的剖面的长的方向，所述至少四个场氧层包括依次包括第一场氧层、第二场氧层、第三场氧层和第四场氧层，所述至少两个N型阱依次包括第一N型阱和第二N型阱；所述第一场氧层和所述第二场氧层形成于所述第一N型阱上，所述第三场氧层和所述第四场氧层形成于所述第二N型阱上。可选的，所述P型重掺杂区形成于所述第二场氧层和所述第三场氧层之间，所述第一N型重掺杂区形成于所述第一场氧层和所述第二场氧层之间，所述第二N型重掺杂区形成于所述第三场氧层和所述第四场氧层之间。可选的，所述在所述上部区域形成P型重掺杂区，在所述第一N型阱内形成第一N型重掺杂区，在所述第二N型阱内形成第二N型重掺杂区之后，还包括：在所述P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区上形成金属电极。可选的，所述在所述衬底上形成场氧层之前，还包括：在所述衬底上进行N型离子注入，形成所述深N型阱。可选的，所述在所述深N型阱中形成至少两个N型阱，包括：通过光刻工艺在第二目标区域覆盖光阻，所述第二目标区域是所述衬底上除所述至少两个N型阱对应的区域以外的其它区域；对所述衬底上暴露的区域进行N型离子注入，形成所述至少两个N型阱；去除所述光阻。可选的，所述在所述深N型阱的外周侧形成第一P型阱和第二P型阱，包括：通过光刻工艺在第三目标区域覆盖光阻，所述第三目标区域是所述衬底上除所述第一P型阱和所述第二P型阱对应的区域以外的其它区域；对所述衬底上暴露的区域进行P型离子注入，形成所述第一P型阱和所述第二P型阱；去除所述光阻。另一方面，本申请提供了一种JFET器件，包括：衬底，所述衬底为P型衬底，所述衬底中形成有深N型阱，所述深N型阱中形成有至少两个N型阱和PTOP，所述衬底中深N型阱的外周侧形成有第一P型阱和第二P型阱，所述PTOP将所述深N型阱隔断为上部区域和下部区域，所述PTOP的两端分别与第一P型阱和所述第二P型阱接触，所述至少两个N型阱位于所述上部区域；场氧层，所述场氧层形成于所述深N型阱上，所述深N型阱覆盖所述场氧层的底部；P型重掺杂区，所述P型重掺杂区形成于所述深N型阱内且位于所述N型阱外；第一N型重掺杂区，所述第一N型重掺杂区形成于所述第一N型阱内；第二N型重掺杂区，所述第二N型重掺杂区形成于所述第二N型阱内。可选的，所述衬底上形成有至少四个场氧层，沿所述衬底的剖面的长的方向，所述至少四个场氧层包括依次包括第一场氧层、第二场氧层、第三场氧层和第四场氧层，所述至少两个N型阱依次包括第一N型阱和第二N型阱；所述第一场氧层和所述第二场氧层形成于所述第一N型阱上，所述第三场氧层和所述第四场氧层形成于所述第二N型阱上。可选的，所述P型重掺杂区形成于所述第二场氧层和所述第三场氧层之间，所述第一N型重掺杂区形成于所述第一场氧层和所述第二场氧层之间，所述第二N型重掺杂区形成于所述第三场氧层和所述第四场氧层之间。可选的，所述P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区上形成有金属电极。本申请技术方案，至少包括如下优点：通过在JFET器件的深N型阱中形成至少两个N型阱，由于N型阱的载流子浓度较高，解决了由于深N型阱的载流子浓度低所导致的JFET器件的导通电流较小的问题，提高了JFET器件的导通电流。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是示出了一种基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种JFET器件的制备方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底为P型衬底，所述衬底中形成有深N型阱；/n在所述衬底上形成场氧层，所述深N型阱覆盖所述场氧层的底部；/n在所述深N型阱中形成至少两个N型阱，在所述深N型阱的外周侧形成第一P型阱和第二P型阱；/n在所述深N型阱中形成PTOP，所述PTOP将所述深N型阱隔断为上部区域和下部区域，所述PTOP的两端分别与第一P型阱和所述第二P型阱接触，所述至少两个N型阱位于所述上部区域；/n在所述深N型阱内N型阱外形成P型重掺杂区，在所述第一N型阱内形成第一N型重掺杂区，在所述第二N型阱内形成第二N型重掺杂区。/n

【技术特征摘要】
1.一种JFET器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底为P型衬底，所述衬底中形成有深N型阱；
在所述衬底上形成场氧层，所述深N型阱覆盖所述场氧层的底部；
在所述深N型阱中形成至少两个N型阱，在所述深N型阱的外周侧形成第一P型阱和第二P型阱；
在所述深N型阱中形成PTOP，所述PTOP将所述深N型阱隔断为上部区域和下部区域，所述PTOP的两端分别与第一P型阱和所述第二P型阱接触，所述至少两个N型阱位于所述上部区域；
在所述深N型阱内N型阱外形成P型重掺杂区，在所述第一N型阱内形成第一N型重掺杂区，在所述第二N型阱内形成第二N型重掺杂区。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底上形成有至少四个场氧层；
所述衬底上形成有所述在所述衬底上形成场氧层，包括：
通过光刻工艺在第一目标区域覆盖光阻，所述第一目标区域是所述衬底上除所述至少四个场氧层对应的区域以外的其它区域；
通过场氧工艺在所述衬底上暴露的区域生长场氧层，形成所述至少四个场氧层；
去除所述光阻。


3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，沿所述衬底的剖面的长的方向，所述至少四个场氧层包括依次包括第一场氧层、第二场氧层、第三场氧层和第四场氧层，所述至少两个N型阱依次包括第一N型阱和第二N型阱；
所述第一场氧层和所述第二场氧层形成于所述第一N型阱上，所述第三场氧层和所述第四场氧层形成于所述第二N型阱上。


4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述P型重掺杂区形成于所述第二场氧层和所述第三场氧层之间，所述第一N型重掺杂区形成于所述第一场氧层和所述第二场氧层之间，所述第二N型重掺杂区形成于所述第三场氧层和所述第四场氧层之间。


5.根据权利要求1至4任一所述的制备方法，其特征在于，所述在所述上部区域形成P型重掺杂区，在所述第一N型阱内形成第一N型重掺杂区，在所述第二N型阱内形成第二N型重掺杂区之后，还包括：
在所述P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区上形成金属电极。


6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成场氧层之前，还包括：
在所述衬底上进行N型离子注入，形成所述深N型阱。


7.根据权利要求6所述的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：段文婷，房子荃，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31