JFET器件的制备方法、JFET器件及其版图结构技术

本申请公开了一种JFET器件的制备方法、JFET器件及其版图结构，该方法包括：提供一衬底，衬底中形成有深N型阱，衬底上形成有场氧层；在衬底中形成P型阱，P型阱与场氧层的底部相交叠；在场氧层上形成第一栅场板、第二栅场板和第三栅场板；在衬底中形成第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区；在衬底中形成第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区。本申请通过在制备JFET器件的过程中，使P型阱向漏极扩张，包覆场氧层底部的部分区域，从而降低了靠近第一栅极的场氧层的电场强度，在一定程度上降低了在对场氧层进行减薄后的击穿风险，提高了JFET器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
JFET器件的制备方法、JFET器件及其版图结构
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种JFET器件的制备方法、JFET器件及其版图结构。
技术介绍
结型场效应晶体管(JunctionField-EffectTransistor，JFET)是由PN结的栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)构成的一种具有放大功能的三端有源器件,其工作原理是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺为在同一芯片(Die)上制作双极晶体管(BipolarJunctionTransistor，BJT)器件、互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，CMOS)器件和DMOS器件的工艺。采用BCD工艺制造的器件广泛应用于电源管理、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域。参考图1，其示出了相关技术中基于BCD工艺制备得到的JFET器件的剖面示意图，如图1所示，该JFET器件包括栅氧化层(GateOxide，GOX)120，该栅氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种JFET器件的制备方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底为P型衬底，所述衬底中形成有深N型阱，所述衬底上形成有场氧层，所述深N型阱覆盖所述场氧层的底部；/n进行P型离子注入，在所述衬底中形成P型阱，所述P型阱与所述场氧层的底部相交叠；/n在所述场氧层上形成第一栅场板、第二栅场板和第三栅场板；/n进行P型离子重掺杂注入，在所述衬底中形成第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区，所述第一P型重掺杂区位于所述深N型阱外，所述第二P型重掺杂区位于所述P型阱内；/n进行N型离子重掺杂注入，在所述衬底中形成第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区，所述第一N型重掺杂区位于所述深N型...

【技术特征摘要】
1.一种JFET器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底为P型衬底，所述衬底中形成有深N型阱，所述衬底上形成有场氧层，所述深N型阱覆盖所述场氧层的底部；
进行P型离子注入，在所述衬底中形成P型阱，所述P型阱与所述场氧层的底部相交叠；
在所述场氧层上形成第一栅场板、第二栅场板和第三栅场板；
进行P型离子重掺杂注入，在所述衬底中形成第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区，所述第一P型重掺杂区位于所述深N型阱外，所述第二P型重掺杂区位于所述P型阱内；
进行N型离子重掺杂注入，在所述衬底中形成第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区，所述第一N型重掺杂区位于所述深N型阱内且位于所述P型阱外，所述第二N型重掺杂区位于所述P型阱内且与所述第一栅场板连接，所述第三N型重掺杂区位于所述P型阱内；
沿所述场氧层的剖面长度的方向，所述第一P型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区位于所述场氧层的一侧，所述第三N型重掺杂区位于所述场氧层的另一侧。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述P型阱与所述场氧层的底部的交叠区域的长度小于20微米。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述进行P型离子注入之前，还包括：
进行深N型阱离子注入，在所述衬底中形成所述深N型阱；
通过场氧化工艺在所述深N型阱上形成所述场氧层。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述进行深N型阱离子注入，在所述衬底中形成所述深N型阱，包括：
通过光刻工艺在所述衬底上定义所述深N型阱的注入区域；
对所述深N型阱的注入区域进行所述深N型阱离子注入后，通过高温推阱工艺在所述衬底中形成所述深N型阱；
清除所述光刻工艺中覆盖的光阻。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述进行P型离子注入，在所述衬底中形成P型阱，包括：
通过光刻工艺在所述衬底上定义P型阱的离子注入区；
对所述P型阱的离子注入区进行所述P型离子注入后，通过快速热退火工艺在所述衬底中形成所述P型阱；
清除所述光刻工艺中覆盖的光阻。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述场氧层上形成第一栅场板、第二栅场板和第三栅场板，包括：
在所述衬底上依次沉积硅氧化物层和多晶硅层；
通过光刻工艺定义栅场板的区域；
对所述除所述栅场板的区域的其它区域进行刻蚀，使所述衬底暴露，形成所述第一栅场板、所述第二栅场板和所述第三栅场板；
清除所述光刻工艺中覆盖的光阻。


7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述进行N型离子重掺杂注入之后，还包括：
在所述衬底和所述场氧层上形成层间介质层；
在所述层间介质层中形成多个通孔，每个通孔分别使所述第一P型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区、所述第一栅场板、所述第二栅场板、所述第三栅场板和所述第三N型重掺杂区暴露；
在所述通孔中填充金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡莹，金锋，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31