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本申请公开了一种JFET器件的制备方法、JFET器件及其版图结构，该方法包括：提供一衬底，衬底中形成有深N型阱，衬底上形成有场氧层；在衬底中形成P型阱，P型阱与场氧层的底部相交叠；在场氧层上形成第一栅场板、第二栅场板和第三栅场板；在衬底中形...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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