TEM样品制备方法技术

本申请涉及一种TEM样品制备方法，包括：确定半导体衬底上存在缺陷的目标位置并从半导体衬底的背面对半导体衬底进行减薄，制成平面TEM样品，目标位置位于平面TEM样品内；用粘合胶将平面TEM样品的背面粘贴于导电垫片上，粘合胶的厚度小于或等于50μm；及确定缺陷的平面形貌和位置并采用聚焦离子束在缺陷位置处垂直于平面TEM样品进行切割，制成剖面TEM样品，缺陷位于剖面TEM样品的剖面上。上述制备方法制成剖面TEM样品，可以获取半导体衬底厚度方向的缺陷信息，如缺陷的深度信息，从而推导出导致缺陷的工序，以对工序进行改进，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
TEM样品制备方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种TEM样品制备方法。
技术介绍
在半导体器件制备工艺中，通常包含对半导体衬底进行阱注入、离子推进、退火等工序，容易使半导体衬底内部晶格排列发生错乱而产生缺陷。同时，随着半导体器件尺寸的越来越小，半导体器件集成度越来越高，缺陷对器件的良率和可靠性的影响越来越大。因此在半导体器件失效分析中，找到半导体衬底缺陷的位置并获取缺陷的相关信息，可以反推出导致该缺陷的工序，从而可以对相关工序进行改进，避免后续出现类型缺陷，提高产品良率和器件的可靠性。目前，有两种方法可以获知缺陷信息：一种是对半导体衬底进行化学腐蚀并利用SEM(scanningelectronmicroscopy，扫描电子显微镜)进行观察，可以确定半导体衬底上是否存在缺陷以及缺陷的大概位置，但是对于缺陷的具体位置和形貌无法获知；另一种是制备平面TEM(TransmissionElectronMicroscope，透射电镜)样品并利用TEM进行观察，可以获取缺陷的平面位置及平面形貌，但是无法获知半导体衬底厚度方向的缺陷信息，如缺陷的深度信本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TEM样品制备方法，其特征在于，包括：/n确定半导体衬底上存在缺陷的目标位置，并从所述半导体衬底的背面对所述半导体衬底进行减薄，制成平面TEM样品，所述目标位置位于所述平面TEM样品内；/n用粘合胶将所述平面TEM样品的背面粘贴于导电垫片上，所述粘合胶的厚度小于或等于50μm；及/n确定所述缺陷的形貌和平面位置，并采用聚焦离子束在所述缺陷的所述平面位置处垂直于所述平面TEM样品进行切割，制成剖面TEM样品，所述缺陷位于所述剖面TEM样品的剖面上。/n

【技术特征摘要】
1.一种TEM样品制备方法，其特征在于，包括：
确定半导体衬底上存在缺陷的目标位置，并从所述半导体衬底的背面对所述半导体衬底进行减薄，制成平面TEM样品，所述目标位置位于所述平面TEM样品内；
用粘合胶将所述平面TEM样品的背面粘贴于导电垫片上，所述粘合胶的厚度小于或等于50μm；及
确定所述缺陷的形貌和平面位置，并采用聚焦离子束在所述缺陷的所述平面位置处垂直于所述平面TEM样品进行切割，制成剖面TEM样品，所述缺陷位于所述剖面TEM样品的剖面上。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述制成平面TEM样品后的步骤后，以及在所述用粘合胶将所述平面TEM样品的背面粘贴于导电垫片上的步骤之前，还包括：
对所述平面TEM样品进行观察，判断所述平面TEM样品内是否存在所述缺陷，若存在，则执行所述用粘合胶将所述平面TEM样品的背面粘贴于导电垫片上的步骤。


3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电垫片为硅片。


4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述粘合胶为双组份环氧树脂粘合剂。


5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述粘合胶的厚度范围为10μm～50μm。


6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在制成所述剖面TEM样品之后，还包括：
对所述剖面TEM样品的所述剖面进行观察并测量所述缺陷的深度。


7.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓丽，王金成，王佳龙，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32