【技术实现步骤摘要】
一种带助焊功能非流动底部填充胶及其制备方法
本专利技术属于倒装芯片底部填充工艺
,具体涉及一种带助焊功能非流动底部填充胶及其制备方法。
技术介绍
倒装芯片封装技术由于具有较高的单位面积内I/O数量、短的信号路径、高的散热性、良好的电学和热力学性能,在电子封装中被广泛关注。倒装芯片封装技术是把裸芯片通过焊球直接连接在基板上,底部填充胶被填充在芯片与基板之间的间隙,来降低芯片与基板热膨胀系数不匹配产生的应力,提高封装的稳定性。传统的底部填充工艺先将一层助焊剂涂在基板上,然后将焊料凸点对准基板焊盘,加热回流,除去助焊剂,将底部填充胶沿芯片边缘注入,借助于液体的毛细作用,底部填充胶会被吸入并向芯片基板的中心流动,填满后加热固化。其中助焊剂若没有清除干净,会形成离子残渣,从而降低产品设备的可靠性。而且底部填充胶是靠毛细作用填充芯片与基材之间的缝隙,可能会在缝隙中心区留下空隙,造成封装隐患。随着电器元件的精细化,毛细管作用的限制性越来越大。非流动底部填充胶涂在基板上,然后将焊料凸点对准基板焊盘,接着在回流焊过程中同 ...
【技术保护点】
1.一种带助焊功能非流动底部填充胶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/n(1)环氧化改性硅树脂的制备/n以1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、4-乙烯基环氧环己烷、1-十二烯、铂催化剂为原料,在90~130℃下加热搅拌2~4h进行硅氢加成反应,制备得到环氧化改性硅树脂;/n所述原料中,硅氢键与乙烯基的摩尔之比为1:1.2,4-乙烯基环氧环己烷与1-十二烯的摩尔比为1:1~3:1,铂催化剂用量为3~8ppm;/n(2)填充胶的制备/n以步骤(1)制备的环氧化改性硅树脂、固化剂、活化剂、溶剂和其他助剂混合均匀,即制得带助焊功能非流动底部填充胶;/n所述的固化剂为酸酐;/n所述 ...
【技术特征摘要】
1.一种带助焊功能非流动底部填充胶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)环氧化改性硅树脂的制备
以1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、4-乙烯基环氧环己烷、1-十二烯、铂催化剂为原料,在90~130℃下加热搅拌2~4h进行硅氢加成反应,制备得到环氧化改性硅树脂;
所述原料中,硅氢键与乙烯基的摩尔之比为1:1.2,4-乙烯基环氧环己烷与1-十二烯的摩尔比为1:1~3:1,铂催化剂用量为3~8ppm;
(2)填充胶的制备
以步骤(1)制备的环氧化改性硅树脂、固化剂、活化剂、溶剂和其他助剂混合均匀,即制得带助焊功能非流动底部填充胶;
所述的固化剂为酸酐;
所述的活化剂为二官能以上的有机羧酸;
所述的溶剂为醇类;
所述的其他助剂包括表面活性剂、偶联剂和潜伏型固化剂中的一种或两种以上;
所述的环氧化改性硅树脂的用量占填充胶体系的40%~60%;
所述的固化剂的用量占填充胶体系的10%~20%;
所述的活化剂的用量占填充胶体系的10%~20%;
所述的溶剂的用量占填充胶体系的20%~40%;
所述的其他助剂的用量占填充胶体系的1%~5%;
上述的环氧化改性硅树脂、固化剂、活化剂、溶剂和其他助剂的用量总计为100%。
2.根据权利要求1所述的带助焊功能非流动底部填充胶的制备方法,其特征在于:
所述的环氧化改性硅树脂的用量占填充胶体系的40%~52%;
所述的固化剂的用量占填充胶体系的10%~16%;
所述的活化剂的用量占填充胶体系的12%~17%;
所述的溶剂的用量占填充胶体系的20%~30%;
所述的其他助剂的用量占填充胶体系的2%~3.8%。
3.根据权利要求1所述的带助焊功能非流动底部填充胶的制备方法,其特征在于:步骤(1)中所述的硅氢加成反应的条件为在100~120℃下反应3~4h。
4.根据权利要求1~3任一项所述的带助焊功能非流动底部填充胶的制备方法,其特征在于:
步骤(2)中所述的酸酐包括脂环式酸酐、脂肪族酸酐和芳香族酸酐中的一种或两种以上;
步骤(2)中所述的二官能以上的有机羧酸包括饱和脂肪族类二羧酸、不饱和脂肪族类二羧酸、环状脂肪族类羧酸、具有侧链的饱和脂肪族类二羧酸和含羟基类羧酸中的一种或两种以上;
步骤(2)中所述的醇类包括一元醇和...
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