一种介质波导滤波器的电容耦合结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种介质波导滤波器的电容耦合结构，包括介质本体，所述介质本体的两端分别设置有用于调节频率的第一盲孔和第二盲孔，介质本体上还开设有第一盲槽、第二盲槽、第三盲槽和第四盲槽，第一盲槽和第二盲槽构成第一“T”型槽，第三盲槽和第四盲槽构成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的开槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体上呈上下交错布置。本实用新型专利技术提出了一种结构简单、易于加工的电容交叉耦合结构，与普通窗口耦合相比其相位相差180°，可以在通带低端形成一个传输零点，在介质波导滤波器中有广泛应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种介质波导滤波器的电容耦合结构
本技术涉及滤波器
，具体为一种介质波导滤波器的电容耦合结构。
技术介绍
随着MassiveMIMO技术在5G通信系统中的应用，陶瓷介质波导滤波器以其小尺寸、轻重量、性能优异的特性被广泛的使用。由于通信系统越来越严格的带外抑制要求，传统的切比雪夫滤波器已无法满足应用要求，具有有限传输零点的广义切比雪夫滤波器是改善滤波器性能的关键技术，因而需要在陶瓷介质波导添加交叉耦合结构，形成传输零点，增强滤波器的频率选择性。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种介质波导滤波器的电容耦合结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种介质波导滤波器的电容耦合结构，包括介质本体，所述介质本体的两端分别设置有用于调节频率的第一盲孔和第二盲孔，介质本体上还开设有第一盲槽、第二盲槽、第三盲槽和第四盲槽，第一盲槽和第二盲槽构成第一“T”型槽，第三盲槽和第四盲槽构成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的开槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质波导滤波器的电容耦合结构，包括介质本体(100)，其特征在于：所述介质本体(100)的两端分别设置有用于调节频率的第一盲孔(102)和第二盲孔(103)，介质本体(100)上还开设有第一盲槽(104)、第二盲槽(105)、第三盲槽(106)和第四盲槽(107)，第一盲槽(104)和第二盲槽(105)构成第一“T”型槽，第三盲槽(106)和第四盲槽(107)构成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的开槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体(100)上呈上下交错布置。/n

【技术特征摘要】
1.一种介质波导滤波器的电容耦合结构，包括介质本体(100)，其特征在于：所述介质本体(100)的两端分别设置有用于调节频率的第一盲孔(102)和第二盲孔(103)，介质本体(100)上还开设有第一盲槽(104)、第二盲槽(105)、第三盲槽(106)和第四盲槽(107)，第一盲槽(104)和第二盲槽(105)构成第一“T”型槽，第三盲槽(106)和第四盲槽(107)构成第二“T”型槽，第一“T”型槽和第二“T”型槽的开槽深度方向相反，且第一“T”型槽和第二“T”型槽在介质本体(100)上呈上下交错布置。


2.根据权利要求1所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述第一“T”型槽的开槽深度方向从介质本体(100)的正面朝向背面，第一“T”型槽的开槽深度小于介质本体(100)的厚度；所述第二“T”型槽的开槽深度方向从介质本体(100)的背面朝向正面，第二“T”型槽的开槽深度小于介质本体(100)的厚度。


3.根据权利要求2所述的一种介质波导滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述第一盲孔(102)和第二盲孔(103)的中...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗晓涛，
申请(专利权)人：苏州海瓷达材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32