【技术实现步骤摘要】
宽频的相移器及应用其的相位阵列模块
本公开涉及一种宽频的相移器及应用其的相位阵列模块。
技术介绍
随着通信技术的发展，发展出各式天线模块。天线模块所采用的相位阵列模块含有相移器。5G通信所适用的频率例如为28GHz和39GHz，相移器可应用的频带必须够宽，才可以让天线模块同时应用在这两个频率。要达成够宽的频带，需要在整个频带内维持够低的均方根相位误差(RMSphaseerror)和均方根增益误差(RMSgainerror)。均方根相位误差为相移器的相位误差的平均值。均方根增益误差为相移器馈入损耗的平均误差值。举例来说，均方根相位误差例如是依据下式(1)计算，均方根增益误差例如是依据下式(2)计算。其中，N为状态数量，i为第几个状态，θΔi为第i个状态与理想状态的误差，Ai为第i个状态的馈入损耗，AAvg为所有状态的馈入损耗平均值。传统切换式5位的相移器需要5个不同角度的相移单元，通过每个相移单元的开启(on)状态/关闭(off)状态的切换可以形成32种不同的相位状态。然而，在传统的相移器中，要在整个频带中维持够小的均方根相位误差与够小的均方根增益误差，是相当困难的一项挑战。因此，如何设计一个能够应用于宽频的相移器，已成为未来发展的主要研究方向。
技术实现思路
本公开涉及一种宽频的相移器及应用其的相位阵列模块。根据本公开的一实施例，提出一种相移器。相移器包括至少一相移单元。相移单元包括一第一开关、一第一电容、一第二电容、一第一电...
【技术保护点】
1.一种相移器，其特征在于该相移器包括至少一相移单元，该相移单元包括：/n第一开关，具有第一端、第二端及第三端；/n第一电容；/n第二电容；/n第一电感，该第一电容连接于该第一电感与该第一开关的该第二端之间，该第二电容连接于该第一电感与该第一开关的该第三端之间；/n第二开关，具有第一端、第二端及第三端，该第二开关之第二端连接于一接地端；/n第二电感，该第二电感的两端分别连接于一接地端及该第二开关的该第三端，该第一电感连接于该第一电容及该第二开关的该第三端之间；/n第一电阻，连接于该第一开关的该第一端与第一控制电压之间；以及/n第二电阻，连接于该第二开关的该第一端与第二控制电压之间，该第一控制电压为该第二控制电压的反向电压。/n
【技术特征摘要】
1.一种相移器，其特征在于该相移器包括至少一相移单元，该相移单元包括：
第一开关，具有第一端、第二端及第三端；
第一电容；
第二电容；
第一电感，该第一电容连接于该第一电感与该第一开关的该第二端之间，该第二电容连接于该第一电感与该第一开关的该第三端之间；
第二开关，具有第一端、第二端及第三端，该第二开关之第二端连接于一接地端；
第二电感，该第二电感的两端分别连接于一接地端及该第二开关的该第三端，该第一电感连接于该第一电容及该第二开关的该第三端之间；
第一电阻，连接于该第一开关的该第一端与第一控制电压之间；以及
第二电阻，连接于该第二开关的该第一端与第二控制电压之间，该第一控制电压为该第二控制电压的反向电压。
2.如权利要求1所述的相移器，其中该第一开关为场效应晶体管，该第一开关还具有第四端，该第二开关为场效应晶体管，该第二开关还具有第四端，该相移单元还包括：
第三电阻，连接该第一开关的该第四端；以及
第四电阻，连接该第二开关的该第四端。
3.如权利要求2所述的相移器，其中该第三电阻连接于该第一开关的该第四端与接地点之间，该第四电阻连接于该第二开关的该第四端与接地点之间。
4.如权利要求2所述的相移器，其中该第一开关的该第四端为基底端，该第二开关的该第四端为基底端。
5.如权利要求1所述的相移器，其中该第一开关的该第一端为栅极端，该第一开关的该第二端及该第三端的其中之一为源极端，该第一开关的该第二端及该第三端的其中之另一为漏极端，该第二开关的该第一端为栅极端，该第二开关的该第二端及该第三端的其中之一为源极端，该第二开关的该第二端及该第三端的其中之另一为漏极端。
6.一种相位阵列模块，其特征在于该相位阵列模块包括：
功率分配器；
可调式衰减器阵列，连接于该功率分配器；
相移阵列，连接于该可调式衰减器阵列，该相移阵列包括多个相移器，这些...
【专利技术属性】
技术研发人员：林彦亨，蔡作敏，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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