一种LED芯片及其制作方法技术

本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：第一衬底、外延结构、欧姆接触层、第一电极以及保护层，其中，所述第一电极包括第一焊盘电极和至少一个与所述第一焊盘电极电连接的第一扩展电极，所述保护层完全覆盖所述第一扩展电极，以避免所述第一扩展电极在后续工艺中被划伤，且所述保护层曝露所述外延结构的至少部分发光区域，以提高所述外延结构的光提取效率，从而提高所述LED芯片的亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及其制作方法
本申请涉及发光二极管
，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法。
技术介绍
随着发光二极管技术的发展，LED的应用越来越普遍，已逐渐应用到各种照明领域。目前，红光LED的主流衬底材料为砷化镓衬底，主要因砷化镓在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料中是生产工艺最为成熟、应用最为广泛的材料，在微电子材料中仅次于硅，是目前制作半导体发光器件、光电探测器件的基础材料。因此，如何提高砷化镓衬底的LED的光提取效率，从而提高LED的发光亮度成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，以提高所述外延结构的光提取效率，从而提高所述LED芯片的亮度。为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：一种LED芯片，包括：第一衬底；位于所述第一衬底第一侧表面的外延结构；位于所述外延结构背离所述第一衬底一侧部分区域的欧姆接触层；位于所述欧姆接触层背离所述外延结构一侧的第一电极，所述第一电极包括第一焊盘电极和至少一个与所述第一焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：/n第一衬底；/n位于所述第一衬底第一侧表面的外延结构；/n位于所述外延结构背离所述第一衬底一侧部分区域的欧姆接触层；/n位于所述欧姆接触层背离所述外延结构一侧的第一电极，所述第一电极包括第一焊盘电极和至少一个与所述第一焊盘电极电连接的第一扩展电极；/n位于所述第一扩展电极背离所述欧姆接触层一侧的保护层，所述保护层完全覆盖所述第一扩展电极，且曝露所述外延结构的至少部分发光区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
第一衬底；
位于所述第一衬底第一侧表面的外延结构；
位于所述外延结构背离所述第一衬底一侧部分区域的欧姆接触层；
位于所述欧姆接触层背离所述外延结构一侧的第一电极，所述第一电极包括第一焊盘电极和至少一个与所述第一焊盘电极电连接的第一扩展电极；
位于所述第一扩展电极背离所述欧姆接触层一侧的保护层，所述保护层完全覆盖所述第一扩展电极，且曝露所述外延结构的至少部分发光区域。


2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一焊盘电极包括边缘区域和中心区域，所述保护层完全覆盖所述第一扩展电极以及所述第一焊盘电极的边缘区域，且曝露所述第一焊盘电极的中心区域。


3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，在预设方向上，所述保护层在所述外延结构上的正投影宽度大于其覆盖所述第一电极部分在所述外延结构上的正投影宽度。


4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，在所述预设方向上，所述保护层在所述外延结构上的正投影宽度比其覆盖所述第一电极部分在所述外延结构上的正投影宽度大第一宽度，所述第一宽度的取值范围为4微米～5微米，包括端点值。


5.根据权利要求1-4任一项所述LED芯片，其特征在于，所述保护层还覆盖所述外延结构的侧面和所述外延结构的边缘区域。


6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延结构裸露的所述至少部分发光区域具有粗化表面。


7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述保护层为氮化硅层。


8.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在第二衬底上形成外延片，所述外延片包括至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭凤丽，王洪占，徐洲，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32