【技术实现步骤摘要】
包括电容器的半导体器件
与一些示例实施方式一致的器件和方法涉及包括电容器的半导体器件和形成该半导体器件的方法。
技术介绍
为了半导体器件的高度集成，已经研究了用于在减小电容器尺寸的同时提高电容器的电容的各种方法。电极层被三维排列且电容器电介质层插置在电极层之间。电容器的电容可以与彼此面对的电极层的相应表面的面积大小成比例地确定。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施方式针对提供包括有利于高度集成且能够最大化和/或提高其电容的电容器的半导体器件以及形成该半导体器件的方法。根据一些示例实施方式，提供了一种半导体器件，其包括：在衬底上的一个或更多个开关；第一电极，连接到所述一个或更多个开关并且具有限定螺旋槽的螺旋形状；与第一电极接触的支撑件，螺旋槽在第一电极的一部分和支撑件之间延伸；与第一电极接触的电容器电介质层；以及与电容器电介质层接触的第二电极。根据一些示例实施方式，提供了一种半导体器件，其包括：在衬底上的导电图案；第一电极，在导电图案上并且具有限定螺旋槽的螺旋形状；与第一电极接触的支...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n在衬底上的一个或更多个开关；/n第一电极，连接到所述一个或更多个开关，并且具有限定螺旋槽的螺旋形状；/n与所述第一电极接触的支撑件，所述螺旋槽在所述第一电极的一部分和所述支撑件之间延伸；/n与所述第一电极接触的电容器电介质层；以及/n与所述电容器电介质层接触的第二电极。/n
【技术特征摘要】
20181228 KR 10-2018-01722731.一种半导体器件，包括：
在衬底上的一个或更多个开关；
第一电极，连接到所述一个或更多个开关，并且具有限定螺旋槽的螺旋形状；
与所述第一电极接触的支撑件，所述螺旋槽在所述第一电极的一部分和所述支撑件之间延伸；
与所述第一电极接触的电容器电介质层；以及
与所述电容器电介质层接触的第二电极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述螺旋槽在所述第一电极的侧表面中。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在第一方向上跨越所述螺旋槽的开口的第一距离小于在所述螺旋槽的中心处在所述第一方向上跨越所述螺旋槽的第二距离。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二距离是在所述第一方向上跨越所述螺旋槽的最大距离。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二电极延伸到所述螺旋槽的内部。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电容器电介质层在所述第一电极的所述部分和所述支撑件之间延伸到所述螺旋槽的内部。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二电极在所述第一电极的所述部分和所述支撑件之间延伸到所述螺旋槽的内部。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
牺牲图案，在所述螺旋槽中，包括与所述支撑件和所述第一电极的材料不同的材料。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述牺牲图案包括通过嵌段共聚物层的微相分离而形成的自发分子组装纳米结构。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述嵌段共聚物层包括无机-有机二嵌段共聚物、有机-有机二嵌段共聚物、所述无机-有机二嵌段共聚物的刷状共聚物和所述有机-有机二嵌段共聚物的刷状共聚物中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极的高度大于所...
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