具有金属氧化物涂层的引线框架及其形成方法技术

本公开涉及具有金属氧化物涂层的引线框架及其形成方法。公开了一种包括在引线框架的至少部分上的金属氧化层的引线框架。更特别地，描述了在锡电镀层被形成之前具有在一个或多个引线上形成金属层和金属氧化物层的引线框架。在一个或多个引线与锡电镀层之间的金属层和金属氧化物层减少了锡晶须的形成，因此减少了短路的可能性，并且改善了封装结构和被生产的器件的总体可靠性。

【技术实现步骤摘要】
具有金属氧化物涂层的引线框架及其形成方法
本公开内容涉及引线框架，其包括在表面的至少部分上的金属氧化物涂层。
技术介绍
铜引线框架通常被用在封装空间中。半导体裸片被耦合到引线框架的中央位置，并且由引线包围。在引线的处理期间，(多个)锡层被电镀到铜的表面上。然而，在电镀期间，铜锡(Cu6Sn5)金属间化合物(intermetallic)层被形成。在该层中一定等级的压缩应力引起单晶锡晶须的生长。此类晶须可以长达102-103微米(μm)。因此，晶须可以接触相邻的引线并引起短路。附加地，已知这些晶须破坏其他元件和引起其他元件之间的短路。数种策略已经被采用以防止该结果。例如，通常的是在电镀之后执行后烘步骤(例如，150℃达一小时)。该后烘步骤在金属间化合物层中通过松弛压缩应力来减少或避免晶须的生长。然而，后烘步骤不防止金属间化合物层的形成，并且因此不是彻底有效的解决方案。备选地，引线框架的成分可以被修改，例如铁镍合金(例如FeNi42)可以被使用。然而，其他引线框架成分与许多用于锡层的电镀化学成分不兼容。因此，引线框架的成分的改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件，包括：/n铜引线框架；/n金属层，在所述铜引线框架的至少部分上；以及/n金属氧化物层，在所述金属层上。/n

【技术特征摘要】
20181231 US 62/787,026;20191223 US 16/726,0701.一种器件，包括：
铜引线框架；
金属层，在所述铜引线框架的至少部分上；以及
金属氧化物层，在所述金属层上。


2.根据权利要求1所述的器件，其中所述引线框架的所述部分包括引线。


3.根据权利要求2所述的器件，还包括：锡层，在所述金属氧化物层的至少部分上。


4.根据权利要求3所述的器件，其中所述金属层被布置在所述铜引线框架的第一侧上。


5.根据权利要求4所述的器件，其中所述金属层被布置在所述铜引线框架的第二侧上，所述铜引线框架的所述第二侧与所述铜引线框架的所述第一侧相反。


6.根据权利要求3所述的器件，还包括：模塑化合物，在所述金属氧化物层的至少第二部分上。


7.根据权利要求1所述的器件，其中所述金属层包括：镍、金、银、或其组合。


8.根据权利要求7所述的器件，其中所述金属氧化物层包括：氧化镍、氧化金、氧化银、或其组合。


9.一种器件，包括：
铜引线框架；
金属氧化物层，在所述铜引线框架的至少第一部分上；以及
锡层，在所述铜引线框架的至少第二部分上，所述金属氧化物层在所述锡层和所述铜引线框架之间。


10.根据权利要求9所述的器件，还包括：第一金属层，在所述铜引线...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·M·C·迪迪奥，
申请(专利权)人：意法半导体国际有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH