阵列数据位反转制造技术

本申请案涉及阵列数据位反转。描述用于存储器阵列位反转的方法、系统及设备。存储器单元(例如，铁电存储器单元)可经写入有与逻辑状态相关联的电荷，所述逻辑状态可为所述单元的预期逻辑状态的反转。即，一或多个存储器单元的实际逻辑状态可经反转，但所述存储器单元的所述预期逻辑状态可保持不变。不同组晶体管可经配置在单元的感测组件周围以能够从所述单元读取预期逻辑状态及反转逻辑状态或将所述预期逻辑状态及所述反转逻辑状态写入到所述单元。例如，第一组晶体管可用于读取当前存储于存储器单元处的逻辑状态，而第二组晶体管可用于读取从所述当前存储的逻辑状态反转的逻辑状态。

【技术实现步骤摘要】
阵列数据位反转分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2017年6月1日、申请号为201780038714.3、专利技术名称为“阵列数据位反转”的专利技术专利申请案。相关申请案的交叉参考本专利申请案主张2017年6月1日申请的标题为“阵列数据位反转(ArrayDataBitInversion)”的PCT申请案第PCT/US2017/035452号的优先权，所述案主张2016年6月21日申请的英格斯(Ingalls)等的标题为“阵列数据位反转(ArrayDataBitInversion)”的美国专利申请案第15/188,890号的优先权，所述案经转让给其受让人，且所述案的每一者的全部内容以引用的方式明确并入本文中。
本
涉及阵列数据位反转。
技术介绍
下文大体上涉及存储器装置且更具体来说涉及维持存储逻辑值达延长时段的铁电存储器单元的性能。存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。例如，二进制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n由感测组件通过第一组晶体管而感测存储在存储器单元处的第一逻辑值；以及/n通过不同于所述第一组晶体管的第二组晶体管将所述感测组件的输出施加到所述存储器单元，所述感测组件的所述输出对应于所述第一逻辑值，其中不同于所述第一逻辑值的第二逻辑值至少部分基于所述施加而存储在所述存储器单元处。/n

【技术特征摘要】
20160621 US 15/188,8901.一种方法，其包括：
由感测组件通过第一组晶体管而感测存储在存储器单元处的第一逻辑值；以及
通过不同于所述第一组晶体管的第二组晶体管将所述感测组件的输出施加到所述存储器单元，所述感测组件的所述输出对应于所述第一逻辑值，其中不同于所述第一逻辑值的第二逻辑值至少部分基于所述施加而存储在所述存储器单元处。


2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在所述感测之前激活所述第一组晶体管；以及
在所述感测之前将所述存储器单元存储的电荷转移到与所述感测组件电子连通的数字线，其中所述感测组件的所述输出至少部分是基于转移到所述数字线的电荷的量。


3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述电荷转移包括：
将虚拟接地施加到所述数字线；
至少部分基于施加所述虚拟接地而将第二电压施加到与所述存储器单元电子连通的字线；以及
至少部分基于施加所述第二电压而将第三电压施加到与所述存储器单元电子连通的极板线。


4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
通过撤销激活所述第一组晶体管以及所述第二组晶体管在所述感测之前将所述感测组件从所述数字线以及参考线隔离，其中所述数字线与所述存储器单元以及所述感测组件电子连通，且其中所述参考线与所述感测组件电子连通。


5.根据权利要求1所述的方法，其中将所述感测组件的所述输出施加到所述存储器单元包括：
激活所述第二组晶体管；以及
至少部分基于激活所述第二组晶体管而将所施加的电压从与所述存储器单元电子连通的极板线移除。


6.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述第一组晶体管的第一晶体管与所述感测组件的第一输入以及数字线电子连通，
所述第一组晶体管的第二晶体管与所述感测组件的第二输入以及参考线电子连通，
所述第二组晶体管的第一晶体管与所述感测组件的所述第二输入以及所述数字线电子连通，及
所述第二组晶体管的第二晶体管与所述感测组件的所述第一输入以及所述参考线电子连通。


7.根据权利要求1所述的方法，其中感测所述第一逻辑值包括：
将所述感测组件的第一输入处的第一电压与所述感测组件的第二输入处的第二电压进行比较，其中所述感测组件的输出电压至少部分是基于所述比较。


8.一种方法，包括：
确定存储器单元是处于初始状态还是反转状态；
至少部分基于所述确定而选择第一组晶体管或第二组晶体管；以及
通过所述第一组晶体管或所述第二组晶体管中的一者而至少部分基于所述选择来存取所述存储器单元。


9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
向所述存储器单元写入第一逻辑值；以及
在翻转操作期间以及在向所述存储器单元写入所述第一逻辑值之后，向所述存储器单元写入不同于所述第一逻辑值的第二逻辑值，其中确定所述存储器单元是处于所述初始状态还是所述反转状态包括：
至少部分基于所述翻转操作而确定所述存储器单元是处于所述反转状态。


10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
在所述翻转操作之后，选择存储有用于读取操作的第二逻辑值的所述存储器单元，其中存取所述存储器单元包括至少部分基于确定所述存储器单元是处于所述反转状态，由感测组件在所述读取操作期间通过所述第二组晶体管而感测所述存储器单元；以及
至少部分基于通过所述第二组晶体管而感测存储有所述第二逻辑值的所述存储器单元，从所述感测组件读取对应于所述第一逻辑值的输出电压。


11.根据权利要求9所述的方法，其进一步...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·L·英戈尔斯，S·J·德尔纳，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US