【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于存储器装置中的锁存的偏移消除交叉参考本专利申请要求维梅尔卡蒂(Vimercati)于2017年7月20日提交的标题为“用于存储器装置中的锁存的偏移消除(OffsetCancellationforLatchinginaMemoryDevice)”的第15/655,644号美国专利申请的优先权，所述专利申请转让给本受让人且以引用的方式明确地并入本文中。
技术介绍
下文大体上涉及操作存储器阵列，且更确切地说涉及用于存储器装置中的锁存的偏移消除。存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有两个状态，通常表示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可存储两个以上状态。为了存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(randomaccessmemory，RAM)、只读存储器(read...
【技术保护点】
1.一种用于操作存储器阵列的装置，其包括：/n感测组件，其与存储器阵列和第一电压源成电子连通，其中所述感测组件包括第一晶体管和第二晶体管；/n第一电容器，其经由第一节点耦合到所述第一晶体管；/n第二电容器，其经由第二节点耦合到所述第二晶体管；以及/n第一开关组件，其经由第三节点耦合在第二电压源与所述第一电容器和所述第二电容器之间。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170720 US 15/655,6441.一种用于操作存储器阵列的装置，其包括：
感测组件，其与存储器阵列和第一电压源成电子连通，其中所述感测组件包括第一晶体管和第二晶体管；
第一电容器，其经由第一节点耦合到所述第一晶体管；
第二电容器，其经由第二节点耦合到所述第二晶体管；以及
第一开关组件，其经由第三节点耦合在第二电压源与所述第一电容器和所述第二电容器之间。
2.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述第一电容器定位于所述第一节点和所述第三节点之间，且所述第二电容器定位于所述第二节点和所述第三节点之间。
3.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：
第一参考电压组件，其耦合到所述感测组件的所述第一晶体管，其中所述第一参考电压组件包括第二开关组件；以及
第二参考电压组件，其耦合到所述感测组件的所述第二晶体管，其中所述第二参考电压组件包括第三开关组件。
4.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：
第四开关组件，其经由所述第一节点耦合到所述第一电容器，其中所述第四开关组件包括nMOS晶体管；以及
第五开关组件，其经由所述第二节点耦合到所述第二电容器，其中所述第五开关组件包括nMOS晶体管。
5.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：
第六开关组件，其耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管，其中所述第六开关组件包括pMOS晶体管。
6.一种系统，其包括：
存储器阵列
控制器，其被配置成将数据传递到所述存储器阵列；以及
处理器，其被配置成处理来自所述控制器的信号，其中所述存储器阵列进一步包括：
感测组件，其与存储器阵列和第一电压源成电子连通，其中所述感测组件包括第一晶体管和第二晶体管；
第一电容器，其经由第一节点耦合到所述第一晶体管；
第二电容器，其经由第二节点耦合到所述第二晶体管；以及
第一开关组件，其经由第三节点耦合在第二电压源与所述第一电容器和所述第二电容器之间。
7.根据权利要求6所述的系统，其中：
所述第一电容器定位于所述第一节点和所述第三节点之间，且所述第二电容器定位于所述第二节点和所述第三节点之间。
8.根据权利要求6所述的系统，其进一步包括：
第一参考电压组件，其耦合到所述感测组件的所述第一晶体管，其中所述第一参考电压组件包括第二开关组件；以及
第二参考电压组件，其耦合到所述感测组件的所述第二晶体管，其中所述第二参考电压组件包括第三开关组件。
9.一种用于操作存储器阵列的方法，其包括：
激活耦合在第二电压源与第一电容器和第二电容器之间的第一开关组件；
在激活所述第一开关组件之后将参考电压施加到感测组件，其中所述感测组件耦合到所述第一电容器和所述第二电容器；
在将所述参考电压施加到所述感测组件之后解除激活所述第一开关组件；以及
测量跨越所述第一电容器和所述第二电容器两者的电压偏移。
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于测量所述电压偏移从与所述第一电容器和所述第二电容器成电子连通的存储器单元读取逻辑状态。
11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
在激活所述第一开关组件之后起始感测操作。
12.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
激活与存储器阵列成电子连通的第二开关组件；以及
响应于激活所述第二开关组件产生跨越第一晶体管的第一信号。
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
在跨越所述第一晶体管产生所述第一信号之后解除激活与所述存储器阵列和所述感测组件成电子连通的所述第二开关组件。
14.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
激活与第一参考电压组件和所述感测组件成电子连通的第三开关组件；以及
响应于激活所述第三开关组件产生跨越第二晶体管的第二信号。
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
在跨越所述第二晶体管产生所述第二信号之后解除激活与所述第一参考电压组件和所述感测组件成电子连通的所述第三开关组件。
16.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
在激活所述第一开关组件之后激活第四开关组件和第五开关组件，其中所述第四开关组件经由第一节点耦合到所述第一电容器，且所述第五开关组件经由第二节点耦合到所述第二电容器。
17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：...
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