液晶显示元件的制造方法及液晶显示元件技术

本发明专利技术提供一种在防止液晶分子的变质或劣化的同时，能够以相对短的时间制造具有高的电压保持率的液晶显示元件的液晶显示元件的制造方法、及具有高的电压保持率的液晶显示元件。本发明专利技术的液晶显示元件的制造方法，具有：经由含有液晶分子与至少一种聚合性单体的液晶组合物，将一对基板相向配置的步骤；以及通过对所述液晶组合物照射紫外线而使所述至少一种聚合性单体聚合的步骤，所述紫外线中，波长365nm下的强度X2相对于波长313nm下的强度X1的比(X2/X1)为5～70。

【技术实现步骤摘要】
液晶显示元件的制造方法及液晶显示元件
本专利技术涉及一种液晶显示元件的制造方法及液晶显示元件。
技术介绍
在液晶显示元件中，有时出于改善其特性的目的，而在构成液晶层的液晶组合物中混合聚合物稳定取向(PolymerSustainedAlignment，PSA)等的聚合性单体，控制液晶分子的取向状态。以往，聚合性单体的聚合是通过使施加至液晶组合物的电压从0V起连续或阶段性地上升至规定的值，在保持为上升后的电压的状态下，照射紫外线来进行(例如，参照专利文献1及专利文献2)。就提高电压保持率(VoltageHoldingRatio，VHR)的观点而言，优选使用相对长波长的紫外线，但为了使聚合性单体充分地聚合，需要的时间长。为了提高聚合性单体的聚合速度，以解决所述问题，使用更短波长的紫外线即可，但若使用短波长的紫外线，则液晶分子中容易出现变质或劣化。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2003-177408号公报[专利文献2]日本专利特开2011-221505号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]本专利技术的目的在于提供一种在防止液晶分子的变质或劣化的同时，能够以相对短的时间制造具有高的电压保持率的液晶显示元件的液晶显示元件的制造方法、及因具有高的电压保持率而表现出良好的显示品质的液晶显示元件。[解决问题的技术手段]此种目的通过下述(1)～(11)的本专利技术来达成。(1)一种液晶显示元件的制造方法，其中，具有：经由含有液晶分子与至少一种聚合性单体的液晶组合物，将一对基板相向配置的步骤；以及通过对所述液晶组合物照射紫外线而使所述至少一种聚合性单体聚合的步骤，所述紫外线中，波长365nm下的强度X2相对于波长313nm下的强度X1的比(X2/X1)为5～70。(2)根据所述(1)所述的液晶显示元件的制造方法，其中所述强度X1为0.05mW/cm2～50mW/cm2。(3)根据所述(1)或(2)所述的液晶显示元件的制造方法，其中所述照射紫外线的步骤是使所述至少一种聚合性单体聚合而形成液晶层的液晶层形成步骤。(4)根据所述(3)所述的液晶显示元件的制造方法，其中在所述液晶层形成步骤中，对所述液晶组合物一面施加电压一面照射所述紫外线。(5)根据所述(3)或(4)所述的液晶显示元件的制造方法，其中在所述液晶层形成步骤中，照射所述紫外线直至所述液晶层的温度上升0.1℃～5℃。(6)根据所述(1)或(2)所述的液晶显示元件的制造方法，其中所述照射紫外线的步骤是对使所述至少一种聚合性单体聚合而形成的液晶层照射紫外线的单体消耗步骤。(7)根据所述(6)所述的液晶显示元件的制造方法，其中在所述单体消耗步骤中，照射所述紫外线直至所述液晶层的温度上升1℃～20℃。(8)根据所述(1)至(7)中任一项所述的液晶显示元件的制造方法，其中在所述将一对基板相向配置的步骤中，至少一个所述基板以不经由取向层而直接接触所述液晶组合物的方式配置，所述至少一种聚合性单体包含具有至少一个吸附基的聚合性单体。(9)根据所述(1)至(8)中任一项所述的液晶显示元件的制造方法，其中所述至少一种聚合性单体含有不具有吸附基的聚合性单体。(10)根据所述(9)所述的液晶显示元件的制造方法，其中所述不具有吸附基的聚合性单体由下述一般式(P)所表示；[化1](式(P)中，Rp1表示氢原子、氟原子、氰基、碳原子数1～15的烷基或-Spp2-Pp2，所述烷基中存在的一个或两个以上的-CH2-可分别独立地经-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，但邻接的两个以上的-CH2-不同时经-O-取代，所述烷基中存在的一个或两个以上的氢原子可分别独立地经氰基、氟原子或氯原子取代，Pp1及Pp2分别独立地表示下述一般式(Pp1-1)～式(Pp1-9)中的任一者，[化2][式中，Rp11及Rp12分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的卤化烷基，Wp11表示单键、-O-、-COO-或-CH2-，tp11表示0、1或2，但在分子内存在多个Rp11、Rp12、Wp11和/或tp11的情况下，它们可相同也可不同]，Spp1及Spp2分别独立地表示单键或间隔基，Zp1及Zp2分别独立地表示单键、-O-、-S-、-CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-CO-、-C2H4-、-COO-、-OCO-、-OCOOCH2-、-CH2OCOO-、-OCH2CH2O-、-CO-NRZP1-、-NRZP1-CO-、-SCH2-、-CH2S-、-CH＝CRZP1-COO-、-CH＝CRZP1-OCO-、-COO-CRZP1＝CH-、-OCO-CRZP1＝CH-、-COO-CRZP1＝CH-COO-、-COO-CRZP1＝CH-OCO-、-OCO-CRZP1＝CH-COO-、-OCO-CRZP1＝CH-OCO-、-(CH2)2-COO-、-(CH2)2-OCO-、-OCO-(CH2)2-、-(C＝O)-O-(CH2)2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF2-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-或-C≡C-[式中，RZP1分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，但在分子内存在多个RZP1的情况下，它们可相同也可不同]，Ap1、Ap2及Ap3分别独立地表示选自由(ap)1,4-亚环己基[此基中存在的一个-CH2-或未邻接的两个以上的-CH2-可经-O-取代]、(bp)1,4-亚苯基[此基中存在的一个-CH＝或未邻接的两个以上的-CH＝可经-N＝取代]、及(cp)萘-2,6-二基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基、菲-2,7-二基或蒽-2,6-二基[这些基中存在的一个-CH＝或未邻接的两个以上的-CH＝可经-N＝取代]所组成的群组的基[所述基(ap)、基(bp)及基(cp)分别独立，此基中存在的氢原子可经卤素原子、碳原子数1～8的烷基或碳原子数1～8的烯基、氰基或-Spp2-Pp2取代]，mp1表示0、1、2或3，在分子内存在多个Zp1、Ap2、Spp2和/或Pp2的情况下，它们可相同也可不同，Ap3在mp1为0，且Ap1为所述基(cp)的情况下，也可为单键)。(11)一种液晶显示元件，其中，包括：一对基板；以及液晶层，配置于所述一对基板间且包含聚合物，所述聚合物由至少一种聚合性单体在紫外线照射下形成，所述紫外线中，波长365nm下的强度X2相对于波长313nm下的强度X1的比(X2/X1)为5～70。[专利技术的效果]根据本专利技术，通过使用以规定的强度比在313nm及365nm的波长中具有峰值的紫外线，可在防止液晶分子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示元件的制造方法，其特征在于，具有：/n经由含有液晶分子与至少一种聚合性单体的液晶组合物，将一对基板相向配置的步骤；以及/n通过对所述液晶组合物照射紫外线的步骤而使所述至少一种聚合性单体聚合的步骤，/n所述紫外线中，波长365nm下的强度X2相对于波长313nm下的强度X1的比(X2/X1)为5～70。/n

【技术特征摘要】
20181226 JP 2018-2434591.一种液晶显示元件的制造方法，其特征在于，具有：
经由含有液晶分子与至少一种聚合性单体的液晶组合物，将一对基板相向配置的步骤；以及
通过对所述液晶组合物照射紫外线的步骤而使所述至少一种聚合性单体聚合的步骤，
所述紫外线中，波长365nm下的强度X2相对于波长313nm下的强度X1的比(X2/X1)为5～70。


2.根据权利要求1所述的液晶显示元件的制造方法，其中所述强度X1为0.05mW/cm2～50mW/cm2。


3.根据权利要求1或2所述的液晶显示元件的制造方法，其中所述照射紫外线的步骤是使所述至少一种聚合性单体聚合而形成液晶层的液晶层形成步骤。


4.根据权利要求3所述的液晶显示元件的制造方法，其中在所述液晶层形成步骤中，对所述液晶组合物一面施加电压一面照射所述紫外线。


5.根据权利要求3或4所述的液晶显示元件的制造方法，其中在所述液晶层形成步骤中，照射所述紫外线直至所述液晶层的温度上升0.1℃～5℃。


6.根据权利要求1或2所述的液晶显示元件的制造方法，其中所述照射紫外线的步骤是对使所述至少一种聚合性单体聚合而形成的液晶层照射紫外线的单体消耗步骤。


7.根据权利要求6所述的液晶显示元件的制造方法，其中在所述单体消耗步骤中，照射所述紫外线直至所述液晶层的温度上升1℃～20℃。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的液晶显示元件的制造方法，其中在所述将一对基板相向配置的步骤中，至少一个所述基板以不经由取向层而直接接触所述液晶组合物的方式配置，
所述至少一种聚合性单体包含具有至少一个吸附基的聚合性单体。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的液晶显示元件的制造方法，其中所述至少一种聚合性单体含有不具有吸附基的聚合性单体。


10.根据权利要求9所述的液晶显示元件的制造方法，其中所述不具有吸附基的聚合性单体由下述一般式(P)所表示；



式(P)中，Rp1表示氢原子、氟原子、氰基、碳原子数1～15的烷基或-Spp2-Pp2，所述烷基中存在的一个或两个以上的-CH2-可分别独立地经-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，但邻接的两个以上的-CH2-不同时经-O-取代，所述烷基中存在的一个或两个以上的氢原子可分别独立地经氰基、氟原子或氯原子取代，
Pp1及Pp2分别独立地表示下述一般式(Pp1-1)～式(Pp1-9)中的任一者，



[式中，Rp11及...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村正臣，间宫纯一，井之上雄一，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP