一种可提升单面PERC电池转换效率的背膜制备方法技术

本发明专利技术涉及一种可提升单面PERC电池转换效率的背膜制备方法。它包括制备氧化铝膜、背面制备氧化硅膜、背面制备氮氧化硅膜、背面制备双层氮化硅膜。现有生产工艺得到的硅片背膜结构一般只有氧化铝层和氮化硅层，本发明专利技术提供的方法使背膜增加了高致密性氮氧化硅膜和氧化硅膜层。高折射率的氮氧化硅膜可以很好的增加电池背面对长波段太阳光的反射，使长波光再次进入硅片体内，增加长波光的吸收，从而提升电池开压和电流最终实现转换效率的提升，同时背面增加的高折射率氮氧化硅膜和氧化硅膜可以很好的阻挡水汽、金属离子进入电池片内部造成的效率衰减，提高产品的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种可提升单面PERC电池转换效率的背膜制备方法
本专利技术涉及一种单面PERC电池的背膜制备方法，尤其是涉及一种可提升单面PERC电池转换效率的背膜制备方法。
技术介绍
目前，随着环境问题和能源问题得到越来越多人的关注，太阳能电池作为一种清洁能源，人们对其研究开发利用已经进入到了一个新的阶段。为了降低晶硅成本，适应竞争激烈的光伏产业，晶硅电池厚度越来越薄，因为晶体硅是间隙带材料，光吸收系数小，由透射光引起的损失会随着硅片厚度的减小而增大，所以在晶硅日益减薄的今天，基于较薄晶硅的高效电池技术是各大企业与高校机构的研究重点。目前主要研究热点有HIT电池、WMT电池、N型双面电池、P型SEPERC电池等，其中P型SEPERC电池因其工艺相对成熟，量产难度低，已成为市场主流电池技术。因此改进背面膜层结构以及优化镀膜工艺，增强电池片背反射，增加长波光的吸收，提升P型单面电池的光电转换效率，是太阳能电池行业研究的重点。
技术实现思路
本专利技术提供了一种可提升单面PERC电池转换效率的背膜制备方法；解决现有技术中存在硅片厚度减本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可提升单面PERC电池转换效率的背膜制备方法，步骤1：制备氧化铝膜（2），将电池片（1）装入石墨舟中，并送入沉积炉管内，首先在电池片（1）背面上制备氧化铝膜（2）；其特征在于：/n步骤2：背面制备氧化硅膜（3），在沉积炉管中进行氧化硅膜（3）的沉积，氧化硅膜（3）的沉积温度为400℃～500℃，射频功率为8kw～11kw，占空比为1:25～1:30，炉管压力为900～1200mtorr，氧化硅膜（3）的沉积气体流量比为SiH

【技术特征摘要】
1.一种可提升单面PERC电池转换效率的背膜制备方法，步骤1：制备氧化铝膜（2），将电池片（1）装入石墨舟中，并送入沉积炉管内，首先在电池片（1）背面上制备氧化铝膜（2）；其特征在于：
步骤2：背面制备氧化硅膜（3），在沉积炉管中进行氧化硅膜（3）的沉积，氧化硅膜（3）的沉积温度为400℃～500℃，射频功率为8kw～11kw，占空比为1:25～1:30，炉管压力为900～1200mtorr，氧化硅膜（3）的沉积气体流量比为SiH4：N2O=0.10:1～0.03:1，氧化硅膜（3）的沉积时间为220±30s；
步骤3：背面制备氮氧化硅膜（4），在沉积炉管中进行氮氧化硅膜（4）的沉积，氮氧化硅膜（4）的沉积温度为400℃～500℃，射频功率为8kw～11kw，占空比为1:14～1:18，炉管压力为1300～1600mtorr，氮氧化硅膜（4）的沉积气体流量比为SiH4：NH3：N2O=1:3:0.6～1:2:0.4，氮氧化硅膜（4）的沉积时间为100±30s；
步骤4：背面制备双层氮化硅膜（5），在沉积炉管中进行氮化硅膜（5）的沉积，氮化硅膜（5）的沉积温度为400℃～500℃，射频功率为10kw～15kw，占空比为1:10～1:15，炉管压力为1400～1800mtorr，第一层氮化硅膜（51）的沉积气体流量比为S...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡茂界，丁晨，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33