红外快速热处理设备的热处理石英腔制造技术

本实用新型专利技术属于超大规模集成电路和半导体制造技术的工艺设备。本装置为红外快速热处理设备和热处理石英腔，由外部绕有高频线圈的石英腔体及腔内的红外反射板组成，其特点是在红外反射板内固定一矩形石墨腔体，在该腔体上部开一测温通孔。本装置不但高频场利用率高，节省能耗，而且腔内温度场更加均匀，保证了半导体片子热处理质量。（*该技术在2003年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于超大规模集成电路和半导体制造技术的工艺设备。为适应超大规模集成电路研制与大量生产的需要，本申请设计人专利技术了采用高频感应加热石英腔内的高纯石墨作为辐射热源，半导体片被送入两平行石墨板之间的加热区加热而迅速升温，到达一定温度后半导体片被拉出加热区而迅速降温的红外快速热处理技术。该技术及其实现设备已获一项美国专利和三项中国专利(美国专利号4794217，中国专利号85100131.9、87202679.5和91219291.7)。该设备热处理石英腔中采用上下两平行石墨板作为辐射热源还存在不足之处，即在两石墨板中心温度要比边缘特别是四角高，为使半导体片受热均匀，要求石墨板的大小远大于被加热的半导体片的尺寸。随着超大规模集成电路的迅速发展，半导体片尺寸越来越大，也就要求石墨板尺寸增大更多，带之而来的是石英腔和绕在其外面的感应加热线圈也越来越大。本技术的目的在于克服已有技术的不足之处，对红外快速热处理设备热处理石英腔的石墨加热器进行改进，使其在高频场中感应产生的涡流可形成闭合回路，发热均匀，不仅能提高高频场利用率、节省能耗，而且对于处理同等尺寸的半导体片子的加热腔体积减小，温度场更加均匀。本技术设计的红外快速热处理设备的热处理石英腔，由矩型石英腔体，绕在石英腔体外的高频线圈，固定在石英腔体内的红外反射板所组成，其特征在于在所说的红外反射板内固定一矩型石墨腔体，在该腔体上部开一测温通孔，对应于该测温孔上的红外反射板也开一通孔。本技术的石墨腔内宽度略大于被处理的半导体片的尺寸，腔内高度使载有半导体片的石英片架顺利进出。石墨腔内外表面可包封一层碳化硅膜以防石墨氧化。本技术石英腔中的加热器采用上下左右封闭的石墨腔结构，其在高频场中感应产生的涡流形成闭合回路，这不仅使整个石墨腔发热均匀，而且从上下左右四周来加热其间的半导体片，使温度场更加均匀。解决了原采用石墨板仅能从上下两面加热，且边缘温度偏低的问题。附图简要说明附图说明图1为本技术一种实施例结构剖面示意图。图2为本实施例图1A－A方向剖面图。本技术设计出一种实施例如图1、图2所示，结合附图描述如下矩形石英腔1外围绕着高频线圈2，石英腔一端有一进气管3，另一端是开扁平孔的腔盖4涂有介质膜的红外反射板5固定在石英腔内，由内外表面包封一层碳化硅膜的封闭的石墨腔6用石英托架7固定在红外反射板内，半导体片放在石英片架8上被送入石墨腔6内加热，石墨腔上部和上反射板的相同位置开有测温孔9。权利要求1.一种红外快速热处理设备的热处理石英腔，由矩型石英腔体，绕在石英腔体外的高频线圈，固定在石英腔体内的红外反射板所组成，其特征在于在所说的红外反射板内固定一矩型石墨腔体，在该腔体上部开一测温通孔，对应于该测温通孔上的红外反射板也开一通孔。2.如权利要求1所述的热处理石英腔，其特征在于所说的石墨腔内外表面包封一层碳化硅膜。专利摘要本技术属于超大规模集成电路和半导体制造技术的工艺设备。本装置为红外快速热处理设备和热处理石英腔，由外部绕有高频线圈的石英腔体及腔内的红外反射板组成，其特点是在红外反射板内固定一矩形石墨腔体，在该腔体上部开一测温通孔。本装置不但高频场利用率高，节省能耗，而且腔内温度场更加均匀，保证了半导体片子热处理质量。文档编号F27B5/00GK2183546SQ93241758公开日1994年11月23日 申请日期1993年10月15日 优先权日1993年10月15日专利技术者钱佩信, 林惠旺, 陈必贤 申请人:清华大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外快速热处理设备的热处理石英腔，由矩型石英腔体，绕在石英腔体外的高频线圈，固定在石英腔体内的红外反射板所组成，其特征在于在所说的红外反射板内固定一矩型石墨腔体，在该腔体上部开一测温通孔，对应于该测温孔上的红外反射板也开一通孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱佩信，林惠旺，陈必贤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]