一种量子点固态膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点固态膜及其制备方法，其中，所述量子点固态膜包括表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点，所述第一量子点表面的硫羧酸和第二量子点表面的巯基胺通过所述硫羧酸中的羧酸根离子与巯基胺中的铵根离子结合。本发明专利技术提供的量子点固态膜具有优良的均一性和致密性。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点固态膜及其制备方法
本专利技术涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点固态膜及其制备方法。
技术介绍
量子点纳米晶是一种重要的纳米材料，涉及量子点纳米的应用面比较广，例如：发光二极管、电池、生物、显示、照明等诸多领域。量子点的应用领域比较广泛，对于不同的领域而言通常需要的量子点的组成形态不一样，对于量子点发光器件、电池、照明、显示领域而言都需要制备量子点固态膜；如何制备一种均一性致密性非常好的量子点固态膜对于上述应用非常重要。现有的制备量子点固态膜的技术方案主要是采用旋涂、涂布技术，而这些技术并不能够制得厚度均一的量子点固态膜。因此，现有技术还有待于改进。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点固态膜及其制备方法，旨在解决现有技术在制备的量子点固态膜均一性以及致密性较差的问题。本专利技术的技术方案如下：一种量子点固态膜，其中，所述量子点固态膜包括表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点，所述第一量子点表面的硫羧酸和第二量子点表面的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点固态膜，其特征在于，所述量子点固态膜包括表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点，所述第一量子点表面的硫羧酸和第二量子点表面的巯基胺通过所述硫羧酸中的羧酸根离子与巯基胺中的铵根离子结合。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点固态膜，其特征在于，所述量子点固态膜包括表面结合有硫羧酸的第一量子点和表面结合有巯基胺的第二量子点，所述第一量子点表面的硫羧酸和第二量子点表面的巯基胺通过所述硫羧酸中的羧酸根离子与巯基胺中的铵根离子结合。


2.根据权利要求1所述的量子点固态膜，其特征在于，所述硫羧酸的化学结构通式为HS-(CH2)n-COOH，其中n为大于等于1且小于等于11的整数。


3.根据权利要求1所述的量子点固态膜，其特征在于，所述巯基胺的化学结构通式为HS-(CH2)m-NH2，其中m为大于等于1且小于等于11的整数。


4.根据权利要求1所述的量子点固态膜，其特征在于，所述第一量子点和第二量子点独立的选自二元相量子点、三元相量子点和四元相量子点中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的量子点固态膜，其特征在于，所述第一量子点和第二量子点为组成元素相同的量子点；和/或，所述第一量子点选自CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS、ZnCdS、CuInS、ZnCdSe、ZnSeS、ZnCdTe、PbSeS、ZnCdS/ZnSe、CuInS/ZnS、ZnCdSe/ZnS、CuInSeS、ZnCdTe/ZnS和PbSeS/ZnS中的一种或多种；和/或，所述第二量子点选自CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、Pb...

【专利技术属性】
技术研发人员：程陆玲，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44