量子点的后处理方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点的后处理方法，包括：提供初始量子点溶液；将所述初始量子点溶液与第一化合物或第一化合物组合进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；将所述第一量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液。

【技术实现步骤摘要】
量子点的后处理方法
本专利技术属于量子点制备
，尤其涉及一种量子点的后处理方法。
技术介绍
纳米科学和纳米技术是一门新兴的科学技术并且存在潜在的应用价值和经济效益，因而在世界范围内备受科学家的关注。相对于体相材料，纳米晶体(NCs)能够呈现出非常有趣的现象主要是依赖于其电学、光学、磁学和电化学特性(相应的体相材料是无法实现)。半导体纳米晶体，又称量子点(QD)，其尺寸范围从1到10nm，当粒径大小发生变化时，半导体纳米晶的带隙价带和导带也会改变(量子尺寸效应)，如CdSe纳米晶体的吸收和发射几乎覆盖了整个可见光谱范围，因此，半导体纳米晶体表现出与尺寸有关的光致发光性质的现象。半导体纳米晶体已经在许多
被应用如生物标记、诊断、化学传感器、发光二极管、电子发光器件、光伏器件、激光器和电子晶体管等。然而针对不同
的应用需要自备不同类别的半导体量子点，制备高质量的半导体量子点是半导体量子点尺寸效应有效应用的前提。在过去的几十年中，为了得到高质量的半导体纳米晶，科研学者开了了很多种方法。现有的技术中主要有表面配体处理、核壳结构的设计。通常，制备得到的量子点不作处理直接用作功能材料，这种量子点在使用时存在溶解性弱等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种量子点的后处理方法，旨在解决制备得到的量子点不作处理直接使用时存在溶解性能不足的的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术提供一种量子点的后处理方法，包括如下步骤：提供初始量子点溶液；将所述初始量子点溶液与第一化合物或第一化合物组合进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；将所述第一量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；其中，所述第一化合物选自有机羧酸或有机胺，所述第一化合物组合选自有机羧酸和有机膦或有机胺和有机膦；所述第二化合物选自有机羧酸或有机胺，所述第二化合物组合选自有机羧酸和有机膦或有机胺和有机膦；且仅有一个次序的混合并加热过程中采用的化合物为有机羧酸或采用的化合物组合中含有有机羧酸，且仅有一个的混合并加热过程中采用的化合物为有机胺或采用的化合物组合中含有有机胺。本专利技术提供的量子点的后处理方法，采用第一化合物或第一化合物组合、第二化合物或第二化合物组合依次对初始量子点溶液中的量子点进行两个次序的混合并加热。其中，相邻次序的混合并加热过程中采用的化合物或化合物组合中不能同时含有有机羧酸或者相邻次序的混合并加热过程中采用的化合物或化合物组合中不能同时含有有机胺；且同一次序的混合并加热过程中采用的化合物组合不能同时含有有机羧酸和有机胺。采用本专利技术上述方法对量子点进行后处理方法，一方面，第一化合物或第一化合物组合、第二化合物或第二化合物组合能够充分的钝化量子点表面的金属原子和非金属原子，提升量子点的抗水氧的能力进而改善量子点的稳定性；另一方面，第一化合物或第一化合物组合、第二化合物或第二化合物组合会相互交错的结合在量子点的表面，因两类化合物或化合物组合的类别不同以及链长各有差异，会增加量子点表面配体的空间位阻效应，进而增加量子点的溶解性。此外，采用本专利技术上述方法对量子点进行后处理方法，还可以改善量子点的荧光强度或改善量子点的瞬态荧光。具体的，当将所述初始量子点溶液与有机羧酸或将所述初始量子点溶液与有机羧酸和有机膦进行第一次序的混合并加热时，有机羧酸对初始量子点进行处理后，能够优化量子点表面的阳离子空位，增强了量子点的荧光强度。进一步在采用第二化合物或第二化合物组合对量子点进行第二次序的混合并加热后，第二化合物或第二化合物组合能够与有机羧酸共同交错附着在量子点表面，不仅增加量子点的抗水氧能力，而且又能够降低量子点混合液的浊度值，改善量子点的成膜性。当将所述初始量子点溶液与有机胺或将所述初始量子点溶液与有机胺和有机膦进行第一次序的混合并加热时，能够有效降低量子点表面的缺陷态，进而提高量子点的荧光强度。但有机胺对初始量子点进行处理后，由于量子点表面含有质子化的有机胺在量子点表面会产生激子捕获，降低量子点的瞬态荧光寿命。采用第二化合物或第二化合物组合对量子点进行第二次序的混合并加热后，第二化合物或第二化合物组合能够对量子点进行后处理，有效去除量子点表面的质子化的有机胺，进而增加了量子点的瞬态荧光寿命。当将所述初始量子点溶液与有机膦进行第一次序的混合并加热时，有机膦对初始量子点进行处理后，优化量子点表面的阴离子空位。进一步采用第二化合物或第二化合物组合对量子点进行第二次序的混合并加热后，第二化合物或第二化合物组合能够与第一化合物或第一化合物组合有机膦共同交错附着在量子点表面，不仅增加量子点表面配体空间位阻效应，而且也加强了量子点表面配体的势垒效应，减小了激子的扩散半径进而增强了量子点的荧光强度和稳定性。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。本专利技术实施例提供了一种量子点的后处理方法，包括如下步骤：S01.提供初始量子点溶液；S02.将所述初始量子点溶液与第一化合物或第一化合物组合进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；将所述第一量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；其中，所述第一化合物选自有机羧酸、有机胺或有机膦，所述第一化合物组合选自有机羧酸和有机膦或有机胺和有机膦；所述第二化合物选自有机羧酸、有机胺或有机膦，所述第二化合物组合选自有机羧酸和有机膦或有机胺和有机膦；且有一个次序的混合并加热过程中采用的化合物为有机羧酸或采用的化合物组合中含有有机羧酸，有一个次序的混合并加热过程中采用的化合物为有机胺或采用的化合物组合中含有有机胺。本专利技术实施例提供的量子点的后处理方法，采用第一化合物或第一化合物组合、第二化合物或第二化合物组合依次对初始量子点溶液中的量子点进行两个次序的混合并加热。其中，相邻次序的混合并加热过程中采用的化合物或化合物组合中不能同时含有有机羧酸或者相邻次序的混合并加热过程中采用的化合物或化合物组合中不能同时含有有机胺；且同一次序的混合并加热过程中采用的化合物组合不能同时含有有机羧酸和有机胺；且至少有一个次序的混合并加热过程中采用的化合物或化合物组合中含有有机羧酸、有机胺或有机膦。采用本专利技术上述方法对量子点进行后处理方法，一方面，第一化合物或第一化合物组合、第二化合物或第二化合物组合能够充分的钝化量子点表面的金属原子和非金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点的后处理方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供初始量子点溶液；/n将所述初始量子点溶液与第一化合物或第一化合物组合进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；/n将所述第一量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；/n其中，所述第一化合物选自有机羧酸或有机胺，所述第一化合物组合选自有机羧酸和有机膦或有机胺和有机膦；所述第二化合物选自有机羧酸或有机胺，所述第二化合物组合选自有机羧酸和有机膦或有机胺和有机膦；/n且有一个次序的混合并加热过程中采用的化合物为有机羧酸或采用的化合物组合中含有有机羧酸，有一个次序的混合并加热过程中采用的化合物为有机胺或采用的化合物组合中含有有机胺。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点的后处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供初始量子点溶液；
将所述初始量子点溶液与第一化合物或第一化合物组合进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；
将所述第一量子点溶液与第二化合物或第二化合物组合进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液；
其中，所述第一化合物选自有机羧酸或有机胺，所述第一化合物组合选自有机羧酸和有机膦或有机胺和有机膦；所述第二化合物选自有机羧酸或有机胺，所述第二化合物组合选自有机羧酸和有机膦或有机胺和有机膦；
且有一个次序的混合并加热过程中采用的化合物为有机羧酸或采用的化合物组合中含有有机羧酸，有一个次序的混合并加热过程中采用的化合物为有机胺或采用的化合物组合中含有有机胺。


2.如权利要求1所述的量子点的后处理方法，其特征在于，所述初始量子点溶液中的量子点为ⅡB-ⅥA纳米晶的单核量子点或者壳层为ⅡB-ⅥA纳米晶的核壳量子点；
两个次序的混合并加热过程包括：
将所述初始量子点溶液与有机羧酸进行第一次序的混合并加热或将所述初始量子点溶液与有机羧酸和有机膦进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；
将所述第一量子点溶液与有机胺进行第二次序的混合并加热或将所述第一量子点溶液与有机胺和有机膦进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液。


3.如权利要求2所述的量子点的后处理方法，其特征在于，将所述初始量子点溶液与有机羧酸进行第一次序的混合并加热的步骤或将所述初始量子点溶液与有机羧酸和有机膦进行第一次序的混合并加热的步骤，在温度为200～350℃的条件下进行；和/或
将所述第一量子点溶液与有机胺进行第二次序的混合并加热的步骤或将所述第一量子点溶液与有机胺和有机膦进行第二次序的混合并加热的步骤，在温度为80℃～200℃的条件下进行。


4.如权利要求1所述的量子点的后处理方法，其特征在于，所述初始量子点溶液中的量子点为ⅢA-ⅤA纳米晶的单核量子点或者壳层为ⅢA-ⅤA纳米晶的核壳量子点；
两个次序的混合并加热过程包括：
将所述初始量子点溶液与有机羧酸和有机膦进行第一次序的混合并加热，得到第一量子点溶液；
将所述第一量子点溶液与有机胺进行第二次序的混合并加热或将所述第一量子点溶液与有机胺和有机膦进行第二次序的混合并加热，得到第二量子点溶液。


5.如权利要求4所述的量子点的后处理方法，其特征在于，将所述初始量子点溶液与有机羧酸和有机膦进行第一次序的混合并加热的步骤，在温度为200～350℃的条件下进行；和/或
将所述第一量子点溶液与有机胺进行第二次序的混合并加热或将所述第一量子点溶液与有机胺和有机膦进行第二次序的混合并加热的步骤，在温度为80℃～200℃的条件下进行。


6.如权利要求1所述的量子点的后处理方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：程陆玲，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44