一种量子点膜及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开一种量子点膜的制备方法及其应用，所述量子点膜的制备方法包括步骤：将量子点溶液和含巯基的硅氧烷类聚合物溶液混合，使所述巯基硅氧烷类聚合物与量子点表面结合，得到混合液；将所述混合液涂覆在基板上并加热，制得所述量子点膜。含巯基的硅氧烷类聚合物作为一种优良的流平剂，其结合在量子点表面后可有效降低混合液的表面张力，同时提升混合液的流动性，使得所述混合液在涂覆基板表面后，可以自发地流平，并得到平整度好、均一性高的量子点量子点膜。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点膜及其制备方法与应用
本专利技术涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点膜及其制备方法与应用。
技术介绍
量子点（QDs）材料又称半导体纳米晶，是一种三维尺寸在2-10nm范围内的特殊纳米材料，具有明显的量子效应。量子点发光二极管显示器(QuantumDotsLightEmittingDoideDisplay,QLED)是基于有机发光显示器的基础发展起来的一种新型显示技术。相比于有机发光二极管显示器件(OLED)，QLED具有发光峰窄，色彩饱和度高，色域宽等优点。溶液旋涂法是量子点发光二极管显示器研究中主要采用的量子点膜制备方法，具有成本低、操控简单以及重复性高的优势。然而，旋涂技术本身的工艺特性限制了量子点膜的大面积制备和批量化生产，严重制约了其在量子点显示在商业化生产中的应用。此外，溶液旋涂技术在制备的过程中具有较低的量子点材料利用率(小于等于5％)，也凸显出经济性低和环境不友好的缺点。因此，发展大面积、工艺稳定和经济的量子点量子点膜制备技术，对于量子点材料在光电显示器件领域上的应用显得尤为重要。作为一种快速有效的量子点本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点膜，其特征在于，包括量子点以及结合在量子点表面的含巯基的硅氧烷类聚合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点膜，其特征在于，包括量子点以及结合在量子点表面的含巯基的硅氧烷类聚合物。


2.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述含巯基的硅氧烷类聚合物的分子量为2000-5000。


3.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述含巯基的硅氧烷类聚合物选自聚巯丙基三甲氧基硅烷、巯丙基三甲氧基硅烷-二甲基二甲氧基硅氧烷共聚物和巯丙基三甲氧基硅烷-二甲基二乙氧基硅氧烷共聚物中的一种或多种。


4.一种量子点膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
将量子点溶液和含巯基的硅氧烷类聚合物溶液混合，得到混合液；
将所述混合液涂覆在基板上并加热，制得所述量子点膜。


5.根据权利要求4所述量子点膜的制备方法，其特征在于，将量子点溶液和含巯基的硅氧烷类聚合物溶液混合，使所述含巯基的硅氧烷类聚合物与量子点表面结合，得到混合液。


6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘洁龙，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44