一种量子点膜及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开一种量子点膜的制备方法及其应用，所述量子点膜的制备方法包括步骤：将量子点溶液和含巯基的硅氧烷类聚合物溶液混合，使所述巯基硅氧烷类聚合物与量子点表面结合，得到混合液；将所述混合液涂覆在基板上并加热，制得所述量子点膜。含巯基的硅氧烷类聚合物作为一种优良的流平剂，其结合在量子点表面后可有效降低混合液的表面张力，同时提升混合液的流动性，使得所述混合液在涂覆基板表面后，可以自发地流平，并得到平整度好、均一性高的量子点量子点膜。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点膜及其制备方法与应用
本专利技术涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点膜及其制备方法与应用。
技术介绍
量子点（QDs）材料又称半导体纳米晶，是一种三维尺寸在2-10nm范围内的特殊纳米材料，具有明显的量子效应。量子点发光二极管显示器(QuantumDotsLightEmittingDoideDisplay,QLED)是基于有机发光显示器的基础发展起来的一种新型显示技术。相比于有机发光二极管显示器件(OLED)，QLED具有发光峰窄，色彩饱和度高，色域宽等优点。溶液旋涂法是量子点发光二极管显示器研究中主要采用的量子点膜制备方法，具有成本低、操控简单以及重复性高的优势。然而，旋涂技术本身的工艺特性限制了量子点膜的大面积制备和批量化生产，严重制约了其在量子点显示在商业化生产中的应用。此外，溶液旋涂技术在制备的过程中具有较低的量子点材料利用率(小于等于5％)，也凸显出经济性低和环境不友好的缺点。因此，发展大面积、工艺稳定和经济的量子点量子点膜制备技术，对于量子点材料在光电显示器件领域上的应用显得尤为重要。作为一种快速有效的量子点膜制备方法，溶液刮涂技术有望被引入到量子点量子点膜的大面积、快速制备中。刮涂法制备量子点量子点膜首先被应用于钙钛矿量子点膜的制备领域，采用刮涂法制备的量子点量子点膜显示出优越的器件性能和可操作性，目前，通过该方法制备的光伏器件，其光电转换效率超过18%，可满足商业化需求。刮涂法制备量子点膜时，具有原材料利用率高，以及大规模、低成本和工业化制备的独特优势，因此，刮涂法制备量子点量子点膜技术在量子点量子点膜的工业化生产中具有极大的应用潜力。目前，刮涂法制备的量子点量子点膜，其均一性程度较低并且水氧隔绝能力较差，这导致量子点发光二极管的稳定性有待提高。因此，现有技术还有待于改进。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点膜及其制备方法与应用，旨在解决现有技术制备的量子点膜均一性程度较低以及水氧隔绝能力较差，导致量子点发光二极管的稳定性较差的问题。本专利技术的技术方案如下：一种量子点膜，其中，包括量子点以及结合在量子点表面的含巯基的硅氧烷类聚合物。一种量子点膜的制备方法，其中，包括步骤：将量子点溶液和含巯基的硅氧烷类聚合物溶液混合，得到混合液；将所述混合液涂覆在基板上并加热，制得所述量子点膜。一种量子点膜的应用，其中，将本专利技术量子点膜或本专利技术制备方法制备的量子点膜用作量子点发光二极管的发光层。有益效果：本专利技术提供一种量子点膜的制备方法，通过将量子点溶液和含巯基的硅氧烷类聚合物溶液混合使所述含巯基的硅氧烷类聚合物与量子点表面结合，得到混合液；将所述混合液涂覆在基板上并加热，制得所述量子点膜。含巯基的硅氧烷类聚合物作为一种优良的流平剂，其结合在量子点表面后可有效降低混合液的表面张力，同时提升混合液的流动性，使得所述混合液在涂覆到基板表面后，可以自发地流平，并得到平整度好、均一性高的量子点量子点膜。附图说明图1为本专利技术一种量子点膜的制备方法较佳实施例的流程图。具体实施方式本专利技术提供一种量子点膜及其制备方法与应用，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图1，本专利技术提供一种量子点膜的制备方法较佳实施例的流程图，其中，如图所示，包括步骤：S100、将量子点溶液和含巯基的硅氧烷类聚合物溶液混合，使所述含巯基的硅氧烷类聚合物与量子点表面结合，得到混合液；S200、将所述混合液涂覆在基板上并加热，制得所述量子点膜。本实施例提供的量子点膜制备方法操作简单，重复性高，易实现工业化生产，且制得的量子点膜具有平整度好、均一性高、水氧隔绝能力强的特点。实现上述效果的机理具体如下：本实施例中，所述含巯基的硅氧烷类聚合物中的硫原子作为优秀的电子供体，可以高效地与量子点表面的金属原子进行配位结合，因此，将量子点溶液和含巯基的硅氧烷类聚合物溶液混合后可使得所述含巯基的硅氧烷类聚合物与量子点表面结合，得到混合液；所述含巯基的硅氧烷类聚合物作为优良的流平剂，其结合在量子点表面后可有效降低混合液的表面张力，同时提升混合液的流动性，使得所述混合液在涂覆到基板表面后，可以自发地流平，并得到平整度好、均一性高的量子点量子点膜；进一步的，所述含巯基的硅氧烷类聚合物还具有优异的水氧隔绝能力，所述含巯基的硅氧烷类聚合物可有效地保护量子点量子点膜，防止量子点量子点膜因水氧侵蚀而发生猝灭，因此可延长采用所述量子点膜作为光致发光器件的量子点光致发光膜使用寿命；更进一步的，所述含巯基的硅氧烷类聚合物与所述量子点表面配位结合后，可有效地钝化量子点表面的缺陷，进而提升以所述量子点膜作为发光层的量子点发光二极管的外量子效率。在一些实施方式中，所述量子点溶液的制备方法包括：将量子点溶解在有机溶剂中，制得量子点溶液。所述量子点选自二元相量子点、三元相量子点以及四元相量子点中的一种或多种。作为举例，所述量子点可选自ZnSe、CdSe、CdSe/ZnSe、CdZnSe/ZnSe、CdSe/CdZnSe/ZnSe、CdTe/ZnSe、CdZnTe/ZnSe、CdTe/CdZnTe/ZnSe、CdTe/CdZnSe/ZnSe、CdTe/CdZnTe/ZnSe、CdS、CdS/ZnS、CdZnSe/ZnS、CdSe/CdZnSe/ZnS、CdTe/ZnS、CdZnTe/ZnS、CdTe/CdZnTe/ZnS、CdTe/CdZnSe/ZnS、CdTe/CdZnTe/ZnS、CdZnSeS/ZnS等量子点中的一种或多种。所述有机溶剂选自氯仿、甲苯、正己烷和正辛烷中的一种或多种。在一些具体的实施方式中，将量子点与有机溶剂混合，在氩气气氛下搅拌至量子点完全溶解，制得量子点溶液。优选的，所述量子点溶液的浓度为10-100mg/ml，若量子点浓度过小，则在制备溶液的过程中需要大量的有机溶剂，不环保，且处理效率较低；若量子点浓度过大，则难以确保所有量子点分散完全，不利于量子点量子效率提升。在一些实施方式中，所述含巯基的硅氧烷类聚合物溶液的制备方法包括步骤：将含巯基的硅氧烷类聚合物溶解在有机溶剂中，制得含巯基的硅氧烷类聚合物溶液。优选的，所述含巯基的硅氧烷类聚合物的分子量为2000-5000，若含巯基的硅氧烷类聚合物的分子量过小，则其流平效果较差，影响量子点成膜的均一性；若含巯基的硅氧烷类聚合物的分子量过大，则含巯基的硅氧烷类聚合物难以溶解在有机溶剂中，同样影响量子点成膜效果。作为举例，所述含巯基的硅氧烷类聚合物选自聚巯丙基三甲氧基硅烷、巯丙基三甲氧基硅烷-二甲基二甲氧基硅氧烷共聚物和巯丙基三甲氧基硅烷-二甲基二乙氧基硅氧烷共聚物中的一种或多种，但不限于此。所述有机溶剂选自氯仿、甲苯、正己烷和正辛烷中的一种或多种。在一些具体的实施方式中，将含巯基的硅氧烷类聚合物与有机物混合，在在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点膜，其特征在于，包括量子点以及结合在量子点表面的含巯基的硅氧烷类聚合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点膜，其特征在于，包括量子点以及结合在量子点表面的含巯基的硅氧烷类聚合物。


2.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述含巯基的硅氧烷类聚合物的分子量为2000-5000。


3.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述含巯基的硅氧烷类聚合物选自聚巯丙基三甲氧基硅烷、巯丙基三甲氧基硅烷-二甲基二甲氧基硅氧烷共聚物和巯丙基三甲氧基硅烷-二甲基二乙氧基硅氧烷共聚物中的一种或多种。


4.一种量子点膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
将量子点溶液和含巯基的硅氧烷类聚合物溶液混合，得到混合液；
将所述混合液涂覆在基板上并加热，制得所述量子点膜。


5.根据权利要求4所述量子点膜的制备方法，其特征在于，将量子点溶液和含巯基的硅氧烷类聚合物溶液混合，使所述含巯基的硅氧烷类聚合物与量子点表面结合，得到混合液。


6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘洁龙，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44