有机电致发光材料及器件制造技术

本发明专利技术涉及一种新型有机化合物，具有如下式(Ⅰ)的结构：

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光材料及器件
本专利技术涉及一种有机化合物，其可以用作有机电致发光器件发光层材料；本专利技术还涉及该化合物在有机电致发光器件中的应用。
技术介绍
近年，基于磷光金属配合物的有机发光器件迅速发展起来。不同于传统的有机小分子和共轭高分子材料，过渡金属配合物可以同时获得单线态和三线态激子，实现理论上最大的内量子效率为100％。在经典的磷光OLED器件中，除了发光染料外，主体材料也同样不可缺少。磷光染料通常不单独作为发光层，而是将其掺杂在合适的主体材料中，形成主客体发光体系，以削弱三线态激子的高浓度淬灭效应。为了实现有效的能量传递，通常要求主体材料的能隙大于染料、且三线态能级ET要高于染料分子的三线态能级ET。这样才能顺利把T1态能量从主体材料传递至磷光染料或将三线态激子限制于染料分子中，从而实现高效率的磷光发射。CBP是一种广为使用的磷光主体材料，另外有报道使用BCP、BAlq等作为空穴阻挡材料获得高效率的OLED器件。日本先锋公司等也曾报道了使用BAlq衍生物作为主体材料获得高效率OLED器件。另外，由于功率效率＝(π/电压)*电流效率，因此功率效率与电压成反比。实际使用中，虽然磷光材料比荧光材料有更高的电流效率，但使用BAlq、CBP或者类似材料作为磷光主体材料，由于工作电压高导致这类OLED器件在功率效率上并没有明显提高。此外，主体材料的玻璃化转变温度Tg关系到材料的成膜性和热稳定性。Tg温度低的材料热稳定性差且容易结晶或团聚，将大大降低器件的寿命，严重降低器件效率，CBP较低的玻璃化转变温度导致热稳定性较差，在高温蒸镀制备器件的过程中容易发生热分解。由使用这类材料作为主体的OLED器件，由于较高的电压导致器件寿命较短。因此，开发具有高热稳定性和高光电性能的新型主体材料具有很重要的实际应用价值。国际专利公开号WO2017164632A1还公开了一种使用吲哚衍生物作为发光主体材料，可以显著降低器件电压，提高器件的效率，同时可以大幅提升器件的寿命。然而尽管这些传统材料具有较好的光电性能，但现状是是在蓬勃发展的有机电致发光领域，其光电性能还是不尽如人意，期待开发更好的用于磷光元器件主体材料。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的问题，本专利技术的目的在于，提供用于有机电致发光器件的新的化合物，以满足对OLED器件的光电性能不断提升的需求。本专利技术提供一种由如下通式(Ⅰ)表示的化合物，其中，A、B不同，其中一个为式a代表的基团，另一为取代或未取代的亚苯基。X1、X2相同或不同，分别独立选自CR4R5、NR6、O、或S；并且当X2为S时，X1不为NR6。优选的，X1选自CR4R5、NR6、O或S中的一种，X2选自CR4R5、NR6或O中的一种。上述的R4～R6各自独立地选自氢、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、或取代或未取代的C3～C30杂芳基。更进一步的，优选X1、X2分别独立地选自CR4R5或NR6，更优选X1和X2均为甲基。L为单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种。进一步的，通式(1)如下式(2-1)至(2-4)中任一所示：式(2-1)至(2-4)中：L、Ar、R1～R3、m、n、p、X1和X2的定义均与在式(1)和式a中的定义相同；R7独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；R7可以与相连接的苯环稠合形成C9～C30芳基或杂芳基，所形成的芳基或杂芳基任选地被0、1、2、3、4或5个各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的取代基所取代；q为0～4的整数。进一步的，式(1)和下式(2-1)至(2-4)中，L优选为单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基或亚吡啶基，具体如下述结构所示：其中，*表示与氮原子或Ar基团的键合位置，“—”划过的环结构的表达方式，表示连接位点位于该环结构上任意能够成键的位置；更进一步的，L更优选单键或亚苯基。进一步的，式(1)和下式(2-1)至(2-4)中，Ar为取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。进一步优选的，Ar为取代或未取代的含N原子的C3～C30的杂芳基；更优选的，Ar为取代或未取代的含1个至3个N原子的C3～C30的缺π电子性杂芳基；更进一步的，Ar优选为吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌琳基、1,8-二氮杂萘基、2,7-二氮杂萘基及其衍生物中的一种。Ar最优选为喹唑啉基、喹喔啉基、嘧啶基、三嗪基。进一步的，Ar选自如下A1-A32结构：式(1)和下式(2-1)至(2-4)中，R1～R3彼此相同或不同，且各自独立地为氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、或取代或未取代的C3～C30杂芳基；R1～R3各自独立地与相连接的苯环稠合形成C9～C30芳基或杂芳基，所形成的芳基或杂芳基任选地被0、1、2、3、4或5个各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的取代基所取代；进一步的，R1～R3各自独立地优选为H、F、Cl、Br、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、芴基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基及其衍生物。更进一步的，R1～R3优选甲基、乙基、叔丁基、苯基、萘基、菲基、三亚苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基及其衍生物；式(1)和下式(2-1)至(2-4)中，n、p彼此相同或不同，且各自独立地为0～4的整数；优选n，p各自独立地为0～2的整数。m为0～2整数。再进一步的，作为本专利技术的化合物的优选例子，可举出选用下述代表性化合物C1-C81：作为本专利技术的另一个方面，本专利技术还提供了一种如上所述的化合物在有机电致发光器件中的应用。本专利技术的化合物优选用于有机电致发光器件中的发光主体材料。作为本专利技术的又一个方面，本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极和插入在所述第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通式化合物，如下式(Ⅰ)所示：/n

【技术特征摘要】
1.一种通式化合物，如下式(Ⅰ)所示：



其中：
A和B中的一个为式a代表的基团，另一个为取代或未取代的亚苯基；
L为单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；
Ar为取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
R1～R3彼此相同或不同，各自独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种，并且R1～R3各自独立地可以与相连接的苯环稠合形成C9～C30芳基或C9～C30杂芳基，上述稠合形成的芳基或杂芳基可任选地独立地被0、1、2、3、4或5个下述基团所取代：C1～C12烷基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、C6～C30芳基或C3～C30杂芳基；
n、p彼此相同或不同，各自独立地为0～4的整数，优选各自独立地为0～2的整数；
m为0～2的整数；
X1、X2相同或不同，分别独立选自CR4R5、NR6、O、或S中的一种，并且当X2为S时，X1不为NR6；
上述的R4～R6各自独立地选自氢、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
当上述基团存在取代基时，所述取代基团分别独立选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3-C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团中的一种。


2.根据权利要求1所述的通式化合物，如下式(2-1)至(2-4)中任一所示：



式(2-1)至(2-4)中：
L、Ar、R1～R3、m、n、p、X1和X2的定义均与在式(1)和式a中的定义相同；
R7独立地选自氢、C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、氨基、取代或未取代的C6～C30芳基氨基、取代或未取代的C3～C30杂芳基氨基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
R7可以与相连接的苯环稠合形成C9～C30芳基或杂芳基，所形成的芳基或杂芳基任选地被0、1、2、3、4或5个各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、卤素、氰基、硝基、羟基、硅烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的取代基所取代；
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙恩涛，曾礼昌，吴俊宇，任雪艳，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11