【技术实现步骤摘要】
靶材的制作方法
本专利技术涉及半导体制备领域,特别涉及一种靶材的制作方法。
技术介绍
热等静压焊接的靶坯和背板在热等静压焊接过程中,要先加压升温至要求的温度和压力,然后进行保温保压,保温保压过程靶坯和背板进行充分扩散,保温保压结束后需要降温降压。在降温冷却过程中,产品会收缩,由于靶坯和背板的材质不一样,热膨胀系数也会不同,如降温速度过快导致在冷却过程中靶坯和背板会在短时间内出现较大幅度收缩。靶坯和背板收缩程度不同,会导致产品出现较大的变形。如靶坯是脆性材料,则可能会导致在冷却收缩过程中靶材出现开裂;如靶材是贵重金属,产品在冷却收缩过程中出现较大程度变形,则需要通过机加工车平,这种情况会导致贵金属材料的浪费。因此,需要提供一种降温办法,使得在降温后所述靶坯和背板减小变形或开裂的情况。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是热等静压焊接之后减小所述靶坯和背板减小变形或开裂的情况。为解决上述问题,本专利技术提供一种靶材的制作方法包括:将靶坯与背板焊接,形成靶材;对所述靶材进行分段式降温。可 ...
【技术保护点】
1.一种靶材的制作方法,其特征在于,包括:/n将靶坯与背板焊接,形成靶材;/n对所述靶材进行分段式降温。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种靶材的制作方法,其特征在于,包括:
将靶坯与背板焊接,形成靶材;
对所述靶材进行分段式降温。
2.如权利要求1所述制作方法,其特征在于,所述靶材分两段降温。
3.如权利要求2所述制作方法,其特征在于,所述靶材温度为700℃-1800℃时,所述靶材的降温速率控制在0.5℃/min-1℃/min;所述靶材温度为100℃-700℃时,所述靶材的降温速率控制在0.8℃/min-3℃/min。
4.如权利要求2所述制作方法,其特征在于,所述靶材温度为400℃-1800℃时,所述靶材的降温速率控制在0.5℃/min-1.2℃/min;所述靶材温度为100℃-400℃时,所述靶材的降温速率控制在1℃/min-3℃/min。
5.如权利要求1所述制作方法,其特征在于,所述靶材分三段降温。
6.如权利要求5所述制作方法,其特征在于,所述靶材温度为700℃-1800℃时,所述靶材的降温速率控制在0.5℃/min-1℃/min;所述靶材温度为400℃-700℃时,所述靶材的降温速率控制在0.8℃/min-1.2℃/min;所述靶材温度为100℃-400℃时,所述靶材的降温速率控制在1℃/min-3℃/min。
技术研发人员:姚力军,潘杰,王学泽,廖培君,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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