【技术实现步骤摘要】
一种分层式像素补偿电路
本技术涉及像素补偿电路的设计，尤其涉及一种上下分层的新型像素补偿电路设计。
技术介绍
当今，随着科技水平的不断提升，人们对显示器画面的要求也在提高，即对高解析度的需求增大，例如VR，AR，MR等显示器的解析度高达2000PPI以上。对于OLED面板来说，面内2T1CPixel电路会受到Vth漂移的影响导致面板发光亮度不均匀，需要补偿电路提升面板显示效果，而为了达到更好地补偿效果，补偿电路会有多个TFT，可能会有4T，5T，6T…，这样TFT过多会使Pixel所占面积增大，进而导致面板容纳的Pixel数量减少，即解析度变低，无法满足高解析度的要求。如今对面板的显示品质需求水平越来越高，提高显示器的解析度尤为重要。我们知道对于OLED面板来说，由于制程和老化的影响，如产生Vth漂移，会对面板显示效果产生极大的影响，为了消除这一影响，OLED面板的Pixel电路通常会增加TFT做补偿电路，且通常补偿效果越好，TFT会越多，这样会导致Pixel所占面积过大，降低解析度；如将Pixel补偿电路中Driv...
【技术保护点】
1.一种分层式像素补偿电路，其特征在于，包括基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区、所述上层薄膜晶体管区与下层薄膜晶体管区之间还设置有绝缘层，上层薄膜晶体管区的电极与下层薄膜晶体管区的电极通过穿过绝缘层的连接线连接，上层薄膜晶体管区还图案化有机发光二极管，上层薄膜晶体管区域的薄膜晶体管与下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管连接成有机发光二极管的补偿电路；/n所述下层薄膜晶体管区包括薄膜晶体管T1、T2、T4以及电容C；上层薄膜晶体管区包括T3、T5、T6；所述T1的源极与Vdata连接，栅极接第一扫描信号，漏极与T2的源极和电容C的一端连接；所述T2的栅极与第三扫描信号连接...
【技术特征摘要】
1.一种分层式像素补偿电路，其特征在于，包括基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区、所述上层薄膜晶体管区与下层薄膜晶体管区之间还设置有绝缘层，上层薄膜晶体管区的电极与下层薄膜晶体管区的电极通过穿过绝缘层的连接线连接，上层薄膜晶体管区还图案化有机发光二极管，上层薄膜晶体管区域的薄膜晶体管与下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管连接成有机发光二极管的补偿电路；
所述下层薄膜晶体管区包括薄膜晶体管T1、T2、T4以及电容C；上层薄膜晶体管区包括T3、T5、T6；所述T1的源极与Vdata连接，栅极接第一扫描信号，漏极与T2的源极和电容C的一端连接；所述T2的栅极与第三扫描信号连接，T2的漏极与T4的漏极连接；
所述T4的栅极还通过第一上下层接线与T3的漏极连接，所述T3的栅极与第一扫描信号连接，所述T3的源极与T5的漏极连接，T5的栅极与第二扫描信号连接，T5的源极与片上电压VDD连接，T3的源极还通过第二上下层连接线与T4的源极连接；所述T2的漏极还通过第三上下层连接线与T6的漏极和发光像素的正极连接，T6的栅极与第一扫描信号连接，V6的源极与参考电压Vref连接。
2.根据权利要求1所述的分层式像素补偿电路，其特征在于，所述下层薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，下层薄膜晶体管区包括多晶硅有源层，多晶硅有源层与...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾浩，罗敬凯，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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