一种微带隔离器制造技术

本发明专利技术公开了一种微带隔离器，属于微波元器件技术领域，包括旋磁铁氧体基片（2）、陶瓷垫片（3）和永磁体（4），所示旋磁铁氧体基片（2）全金属面与陶瓷垫片（3）连接，所述陶瓷垫片（3）与永磁体（4）连接，所述旋磁铁氧体基片（2）的另一面设置微带电路，所述微带电路中心为开缝六边形结（51），并设置外加匹配节（52）与所述开缝六边形结（51）匹配，并设置有矩形薄膜负载（53），所述矩形薄膜负载后接地；本发明专利技术解决了微带隔离器单面场高隔离度的问题，尤其是极限温度下隔离度能够达到带内23dB。

A microstrip isolator

【技术实现步骤摘要】
一种微带隔离器
本专利技术涉及微波元器件
，尤其涉及一种微带隔离器。
技术介绍
现有的微带隔离器，其结构如图1所示，包括金属底板1、旋磁铁氧体基片2、陶瓷垫片3和永磁体4，其中，金属底板1与旋磁铁氧体基片2的全金属面采用焊接的方式连接，旋磁铁氧体基片2的电路面与陶瓷垫片3之间、陶瓷垫片3与永磁体4之间采用粘接的方式连接。旋磁铁氧体基片2的电路面设置电路结构，其一般采用薄膜微带电路结构，其结构如图2所示。现有的微带隔离器又主要有两种电路结构，分别是:双Y结构电路匹配半圆形接地负载，如图3所示；多路加抗的平面Y谐振结构电路匹配半圆形接地负载，如图4所示。通过设计、计算环行器的基本参数、电磁场仿真软件的仿真优化以及结合实际产品的试验，得到性能优良的电路结构。图3的双Y结构电路的电性能仿真曲线如图5所示，多路加抗的平面Y谐振结构电路的电性能仿真曲线如图6所示。目前，对于微带隔离器的电性能指标如下表1：表1电性能指标但是，上述现有结构的一般隔离器无法在该频段内实现-55℃～+85℃极限工作温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微带隔离器，其特征在于：包括旋磁铁氧体基片（2）、陶瓷垫片（3）和永磁体（4），所示旋磁铁氧体基片（2）全金属面与陶瓷垫片（3）连接，所述陶瓷垫片（3）与永磁体（4）连接，所述旋磁铁氧体基片（2）的另一面设置微带电路，所述微带电路中心为开缝六边形结（51），并设置外加匹配节（52）与所述开缝六边形结（51）匹配，并设置有矩形薄膜负载（53），所述矩形薄膜负载（53）后接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种微带隔离器，其特征在于：包括旋磁铁氧体基片（2）、陶瓷垫片（3）和永磁体（4），所示旋磁铁氧体基片（2）全金属面与陶瓷垫片（3）连接，所述陶瓷垫片（3）与永磁体（4）连接，所述旋磁铁氧体基片（2）的另一面设置微带电路，所述微带电路中心为开缝六边形结（51），并设置外加匹配节（52）与所述开缝六边形结（51）匹配，并设置有矩形薄膜负载（53），所述矩形薄膜负载（53）后接地。


2.根据权利要求1所述的一种微带隔离器，其特征在于：所示旋磁铁氧体基片（2）全金属面与陶瓷垫片（3）之间采...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙静，陈宁，高男，王玉龙，李扬兴，刘红，周俊，徐德超，王怡，王倩，杜俊波，吴燕辉，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第九研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51