一种容性耦合结构和介质滤波器制造技术

本申请公开了一种容性耦合结构和介质滤波器，其中容性耦合结构包括：开设于介质滤波器顶面上的第一盲孔和第二盲孔；第一盲孔和第二盲孔连接且呈T型分布；第一盲孔的深度和第二盲孔的深度不相同。现有的介质滤波器中图案开窗的耦合方式，该方式是在介质谐振腔异块之间的耦合，在加工的过程中需要进行产品、图案开窗的结合等，加工过程复杂，而本申请中的介质滤波器，直接在介质滤波器上设置该容性耦合结构，相较于现有图案开窗的方式，不再需要产品或图案开窗之间的结合，加工过程简单，从而解决了现有介质滤波器的容性耦合方式加工复杂的技术问题。

A capacitive coupling structure and dielectric filter

【技术实现步骤摘要】
一种容性耦合结构和介质滤波器
本申请涉及通信
，尤其涉及一种容性耦合结构和介质滤波器。
技术介绍
随着通信技术的发展，尤其是5G时代的到来，对通信系统架构提出了更高的要求，系统模块要做到高度集成化、小型化等，介质滤波器因具有低损耗、峰值功率大、小型化等特点，在5G通信设备中具有广泛的应用前景。为了提高介质滤波器的性能，通常采用耦合结构，其中容性耦合为常用的耦合结构。现有的容性耦合方式为图案耦合，通过在两谐振腔之间加图案开窗，图案开在腔的边缘位置，通过改变图案大小即两腔之间的窗口大小及到边缘的距离来调节耦合，这种方式虽然结构灵活，但是加工复杂。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种容性耦合结构和介质滤波器，解决了现有介质滤波器的容性耦合方式加工复杂的技术问题。本申请第一方面提供了一种介质滤波器，包括：开设于介质滤波器顶面上的第一盲孔和第二盲孔；所述第一盲孔和所述第二盲孔连接且呈T型分布；所述第一盲孔的第一深度和所述第二盲孔的第二深度不相同可选地，所述滤波器顶面的中心为第一中心，所述第一盲孔的中心为第二中心，所述第二盲孔的中心为第三中心；所述第二中心和所述第一中心之间的距离小于所述第三中心和所述第一中心之间的距离；所述第一盲孔为T型的竖直部。可选地，所述第一盲孔的深度小于所述第二盲孔的深度。可选地，所述第一盲孔的深度大于所述第二盲孔的深度。可选地，所述第一盲孔的形状为规则形状。r>可选地，所述第一盲孔的形状为矩形。可选地，所述第二盲孔的形状为规则形状。可选地，所述第二盲孔的形状为矩形。本申请第二方面提供了一种介质滤波器，包括如第一方面所述的容性耦合结构。可选地，所述介质滤波器的谐振腔的数量为4个；4个所述谐振腔呈矩形的四个顶点分布。可选地，所述容性耦合结构的数量为1个；所述容性耦合结构设置于所述矩形的边的中点处。从以上技术方案可以看出，本申请具有以下优点：本申请中容性耦合结构包括：开设于介质滤波器顶面上的第一盲孔和第二盲孔；第一盲孔和第二盲孔连接且呈T型分布；第一盲孔的第一深度和第二盲孔的第二深度不相同。现有的介质滤波器中图案开窗的耦合方式，该方式是在介质谐振腔异块之间的耦合，在加工的过程中需要进行产品、图案开窗的结合等，加工过程复杂，而本申请中的介质滤波器，直接在介质滤波器上设置该容性耦合结构，相较于现有图案开窗的方式，不再需要产品或图案开窗之间的结合，加工过程简单，从而解决了现有介质滤波器的容性耦合方式加工复杂的技术问题。附图说明图1为本申请实施例提供的一种容性耦合结构的结构示意图；图2为本申请实施例提供的一种介质滤波器的结构示意图；其中，附图标记如下：104、第一盲孔；105、第二盲孔；101、谐振腔；103、容性耦合结构。具体实施方式本申请实施例提供了一种容性耦合结构和介质滤波器，解决了现有介质滤波器的容性耦合方式加工复杂的技术问题。下面将结合附图对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请实施例一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请实施例中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请实施例保护的范围。在本申请实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请实施例的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可更换连接，或一体地连接，可以是机械连接，也可以是电连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。本申请实施例提供一种容性耦合结构的第一实施例，具体请参阅图1。本实施例中的容性耦合结构，包括：开设于介质滤波器顶面上的第一盲孔104和第二盲孔105；第一盲孔104和第二盲孔105连接且呈T型分布；第一盲孔104的深度和第二盲孔105的深度不相同。本实施例中的容性耦合结构由第一盲孔104和第二盲孔105构成，其中第一盲孔104和第二盲孔105连接，且呈T型分布，同时第一盲孔104的深度和第二盲孔105的深度不相同，即本申请中的容性耦合结构呈T型台阶孔。本实施例中的容性耦合结构适用于同块之间的耦合，故此时没有产品的结合，同时容性耦合结构也可以直接一次加工完毕，不再需要将异块上的图案开窗进行拼合等操作，加工简单。本实施例中的容性耦合结构由第一盲孔104和第二盲孔105组成，其中第一盲孔104的深度和第二盲孔105的深度不相同，现有的介质滤波器中图案开窗的耦合方式，该方式是在介质谐振腔异块之间的耦合，在加工的过程中需要进行产品、图案开窗的结合等，加工过程复杂，而本申请中的介质滤波器，直接在介质滤波器上设置该容性耦合结构，相较于现有图案开窗的方式，不再需要产品或图案开窗之间的结合，加工过程简单，从而解决了现有介质滤波器的容性耦合方式加工复杂的技术问题。以上为本申请实施例提供的一种容性耦合结构的实施例一，以下为本申请实施例提供的一种容性耦合结构的实施例二，具体请参阅图1。本实施例中的容性耦合结构，包括：开设于介质滤波器顶面上的第一盲孔104和第二盲孔105；第一盲孔104和第二盲孔105连接且呈T型分布；第一盲孔104的深度和第二盲孔105的深度不相同。本实施例中，T型分布的第一盲孔104和第二盲孔105中，T型分布中位于竖直部的第一盲孔104是距离介质滤波器的中心较近的一个，且第一盲孔104的深度小于第二盲孔105的深度。可以理解的是，上述的结构还可以是，距离介质滤波器近的为T型的横部，该横部的孔的深度可以小于竖直部的孔的深度，也可以大于竖直部的孔的深度。可以理解的是，由于第一盲孔104和第一盲孔104的孔深可以调节，灵活调整低端谐波(基模)位置，改善低端抑制性能，具体哪个孔的深度更深，具体深多少，本领域技术人员根据具体应用场景可以选择，在此不再赘述。可以理解的是，当第一盲孔104为T型的竖直部时，第一盲孔104的长度小于第二盲孔105的长度，当然上述的设置并不是唯一的，本领域技术人员可以根据需要进行设置，在此不做具体限定和赘述。同样的，T型的竖直部和横部的长度哪个设计的更长，具体长多少，本领本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种容性耦合结构，其特征在于，包括：开设于介质滤波器顶面上的第一盲孔和第二盲孔；/n所述第一盲孔和所述第二盲孔连接且呈T型分布；/n所述第一盲孔的深度和所述第二盲孔的深度不相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种容性耦合结构，其特征在于，包括：开设于介质滤波器顶面上的第一盲孔和第二盲孔；
所述第一盲孔和所述第二盲孔连接且呈T型分布；
所述第一盲孔的深度和所述第二盲孔的深度不相同。


2.根据权利要求1所述的容性耦合结构，其特征在于，所述滤波器顶面的中心为第一中心，所述第一盲孔的中心为第二中心，所述第二盲孔的中心为第三中心；
所述第二中心和所述第一中心之间的距离小于所述第三中心和所述第一中心之间的距离；
所述第一盲孔为T型的竖直部。


3.根据权利要求2所述的容性耦合结构，其特征在于，所述第一盲孔的深度小于所述第二盲孔的深度。


4.根据权利要求2所述的容性耦合结构，其特征在于，所述第一盲孔的深度大...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙志勇，
申请(专利权)人：广东国华新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44