一种容性耦合结构和介质滤波器制造技术

本申请公开了一种容性耦合结构和介质滤波器，其中容性耦合结构包括：开设于介质滤波器顶面上的第一盲孔和第二盲孔；第一盲孔和第二盲孔连接且呈T型分布；第一盲孔的深度和第二盲孔的深度不相同。现有的介质滤波器中图案开窗的耦合方式，该方式是在介质谐振腔异块之间的耦合，在加工的过程中需要进行产品、图案开窗的结合等，加工过程复杂，而本申请中的介质滤波器，直接在介质滤波器上设置该容性耦合结构，相较于现有图案开窗的方式，不再需要产品或图案开窗之间的结合，加工过程简单，从而解决了现有介质滤波器的容性耦合方式加工复杂的技术问题。

A capacitive coupling structure and dielectric filter

【技术实现步骤摘要】
一种容性耦合结构和介质滤波器
本申请涉及通信
，尤其涉及一种容性耦合结构和介质滤波器。
技术介绍
随着通信技术的发展，尤其是5G时代的到来，对通信系统架构提出了更高的要求，系统模块要做到高度集成化、小型化等，介质滤波器因具有低损耗、峰值功率大、小型化等特点，在5G通信设备中具有广泛的应用前景。为了提高介质滤波器的性能，通常采用耦合结构，其中容性耦合为常用的耦合结构。现有的容性耦合方式为图案耦合，通过在两谐振腔之间加图案开窗，图案开在腔的边缘位置，通过改变图案大小即两腔之间的窗口大小及到边缘的距离来调节耦合，这种方式虽然结构灵活，但是加工复杂。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种容性耦合结构和介质滤波器，解决了现有介质滤波器的容性耦合方式加工复杂的技术问题。本申请第一方面提供了一种介质滤波器，包括：开设于介质滤波器顶面上的第一盲孔和第二盲孔；所述第一盲孔和所述第二盲孔连接且呈T型分布；所述第一盲孔的第一深度和所述第二盲孔的第二深度不相同可选地，所述滤波器顶面的中心为第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种容性耦合结构，其特征在于，包括：开设于介质滤波器顶面上的第一盲孔和第二盲孔；/n所述第一盲孔和所述第二盲孔连接且呈T型分布；/n所述第一盲孔的深度和所述第二盲孔的深度不相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种容性耦合结构，其特征在于，包括：开设于介质滤波器顶面上的第一盲孔和第二盲孔；
所述第一盲孔和所述第二盲孔连接且呈T型分布；
所述第一盲孔的深度和所述第二盲孔的深度不相同。


2.根据权利要求1所述的容性耦合结构，其特征在于，所述滤波器顶面的中心为第一中心，所述第一盲孔的中心为第二中心，所述第二盲孔的中心为第三中心；
所述第二中心和所述第一中心之间的距离小于所述第三中心和所述第一中心之间的距离；
所述第一盲孔为T型的竖直部。


3.根据权利要求2所述的容性耦合结构，其特征在于，所述第一盲孔的深度小于所述第二盲孔的深度。


4.根据权利要求2所述的容性耦合结构，其特征在于，所述第一盲孔的深度大...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙志勇，
申请(专利权)人：广东国华新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44