一种陶瓷滤波器谐振单元及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种陶瓷滤波器谐振单元，包括：A陶瓷体；所述A陶瓷体中心设有盲孔；所述盲孔内侧覆盖有第一导体层；顶面与所述A陶瓷体的底面接触并重合的B陶瓷体；所述B陶瓷体顶面设有覆盖盲孔的第二导体层；所述第二导体层与第一导体层连通；覆盖A陶瓷体顶面、侧面与B陶瓷体底面、侧面的第三导体层。与现有技术相比，本发明专利技术提供的陶瓷滤波器谐振单元采用特定结构及连接关系，具有体积小、Q值高的特点，并且二次谐波推远，大于2倍主频以上，最远达到3倍主频以外，具有极大的市场竞争力。具有极大的市场竞争力。具有极大的市场竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷滤波器谐振单元及其制备方法


[0001]本专利技术涉及滤波器
，更具体地说，是涉及一种陶瓷滤波器谐振单元及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G通讯技术的发展，陶瓷介质滤波器有望成为主流技术，具有广阔的市场前景。
[0003]陶瓷谐振器因为其体积小同时还能保证高Q值，能极大降低滤波器的尺寸和重量。但是，目前陶瓷滤波器上采用的传统陶瓷同轴谐振单元Q值低，且二次谐波随着陶瓷的介电常数增大越来越靠近主模，目前市场上用的介电常数20.6左右的微波介质陶瓷的在2.6G和3.5G的二次模通常在1.5倍主频附近，必须通过额外的低通滤波器来抑制，进一步降低了滤波器的Q值。因此在保证高Q值、小体积的前提下，同时能推远二次谐波显得极具意义。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于为介质波导滤波器提供一种全新的陶瓷谐振器，其体积很小、Q值比传统陶瓷滤波器谐振单元高40％以上，且二次谐波推远，大于2倍主频以上，最远达到3倍主频以外；同时，本专利技术还提供了一种陶瓷滤波器谐振单元的制备方法，该制备方法工艺简单、设备要求低，成本低廉，易于实现，为大规模生产提供了便利；本专利技术提供了一种陶瓷滤波器谐振单元及其制备方法，具有极大的市场竞争力。
[0005]本专利技术提供了一种陶瓷滤波器谐振单元，包括：
[0006]A陶瓷体；所述A陶瓷体中心设有盲孔；所述盲孔内侧覆盖有第一导体层；
[0007]顶面与所述A陶瓷体的底面接触并重合的B陶瓷体；所述B陶瓷体顶面设有覆盖盲孔的第二导体层；所述第二导体层与第一导体层连通；
[0008]覆盖A陶瓷体顶面、侧面与B陶瓷体底面、侧面的第三导体层。
[0009]优选的，所述A陶瓷体的材料为介电常数为5～21和/或QF值大于40000GHz的微波介质材料。
[0010]优选的，所述B陶瓷体的材料为介电常数为5～21和/或QF值大于40000GHz的微波介质材料。
[0011]优选的，所述第一导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种；
[0012]所述第二导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种；
[0013]所述第三导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种。
[0014]优选的，所述第二导体层的直径大于盲孔的直径。
[0015]本专利技术还提供了一种陶瓷滤波器谐振单元的制备方法，包括以下步骤：
[0016]a)将A陶瓷体的材料干压成型后进行第一次烧结，得到A陶瓷体；
[0017]b)将B陶瓷体的材料流延成生带后依次经叠层、等静压成型和第二次烧结，得到B陶瓷体；
[0018]c)在B陶瓷体顶面丝印第二导体层后与A陶瓷体进行组装，依次经等静压复合和高温固化，形成整体结构，最后在上述整体结构表面镀第一导体层和第三导体层，得到陶瓷滤波器谐振单元。
[0019]优选的，步骤a)中所述干压成型的压力为60MPa～70MPa；所述第一次烧结的温度为1300℃～1600℃，时间为3h～5h。
[0020]优选的，步骤b)中所述生带的厚度为150μm～250μm；所述等静压成型的压力为55MPa～65MPa，时间为10min～15min；所述第二次烧结的温度为1300℃～1600℃，时间为3h～5h。
[0021]优选的，步骤c)中所述第二导体层的厚度为6μm～50μm。
[0022]优选的，步骤c)中所述等静压复合的压力为40MPa～50MPa；所述高温固化的温度为600℃～700℃，时间为30min～120min。
[0023]本专利技术提供了一种陶瓷滤波器谐振单元，包括：A陶瓷体；所述A陶瓷体中心设有盲孔；所述盲孔内侧覆盖有第一导体层；顶面与所述A陶瓷体的底面接触并重合的B陶瓷体；所述B陶瓷体顶面设有覆盖盲孔的第二导体层；所述第二导体层与第一导体层连通；覆盖A陶瓷体顶面、侧面与B陶瓷体底面、侧面的第三导体层。与现有技术相比，本专利技术提供的陶瓷滤波器谐振单元采用特定结构及连接关系，具有体积小、Q值高的特点，并且二次谐波推远，大于2倍主频以上，最远达到3倍主频以外，具有极大的市场竞争力。
[0024]此外，本专利技术还提供了一种陶瓷滤波器谐振单元的制备方法，该制备方法工艺简单、设备要求低，成本低廉，易于实现，为大规模生产提供了便利。
附图说明
[0025]图1为本专利技术实施例提供的陶瓷滤波器谐振单元的结构示意图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]本专利技术提供了一种陶瓷滤波器谐振单元，包括：
[0028]A陶瓷体；所述A陶瓷体中心设有盲孔；所述盲孔内侧覆盖有第一导体层；
[0029]顶面与所述A陶瓷体的底面接触并重合的B陶瓷体；所述B陶瓷体顶面设有覆盖盲孔的第二导体层；所述第二导体层与第一导体层连通；
[0030]覆盖A陶瓷体顶面、侧面与B陶瓷体底面、侧面的第三导体层。
[0031]请参阅图1，图1为本专利技术实施例提供的陶瓷滤波器谐振单元的结构示意图。
[0032]在本专利技术中，所述陶瓷滤波器谐振单元包括A陶瓷体、B陶瓷体和导体层，优选由A陶瓷体、B陶瓷体和导体层组成。
[0033]在本专利技术中，所述A陶瓷体的材料优选为介电常数为5～21和/或QF值大于40000GHz的微波介质材料，更优选为介电常数为5～21且QF值大于40000GHz的微波介质材料。本专利技术对所述A陶瓷体的材料的来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的制备方
法制备得到的高性能的微波介质陶瓷材料即可。在本专利技术优选的实施例中，所述A陶瓷体的材料为介电常数5，QF值为50000GHz的材料，或介电常数20.5，QF值为65000GHz的材料。
[0034]在本专利技术中，所述A陶瓷体的外形为圆柱形或者根据滤波器设计的其他形状均可，本专利技术对此没有特殊限制；所述A陶瓷体的中心(几何中心)设有盲孔，其直径为D1；所述盲孔内侧覆盖有第一导体层。
[0035]在本专利技术中，所述第一导体层的材料优选选自铜、银和金中的一种或多种，更优选为银；本专利技术对所述第一导体层的材料的来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的市售商品即可。
[0036]在本专利技术中，所述B陶瓷体的材料优选为介电常数为5～21和/或QF值大于40000GHz的微波介质材料，更优选为介电常数为5～21且QF值大于40000GHz的微波介质材料。本专利技术对所述B陶瓷体的材料的来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的制备方法制备得到的高性能的微波介质陶瓷材料即可。在本专利技术优选的实施例中，所述B陶瓷体的材料为介电常数5，QF值为50000GHz的材料，或介电常数20.6，QF值为65000GHz的材料，或介电常数为12，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷滤波器谐振单元，包括：A陶瓷体；所述A陶瓷体中心设有盲孔；所述盲孔内侧覆盖有第一导体层；顶面与所述A陶瓷体的底面接触并重合的B陶瓷体；所述B陶瓷体顶面设有覆盖盲孔的第二导体层；所述第二导体层与第一导体层连通；覆盖A陶瓷体顶面、侧面与B陶瓷体底面、侧面的第三导体层。2.根据权利要求1所述的陶瓷滤波器谐振单元，其特征在于，所述A陶瓷体的材料为介电常数为5～21和/或QF值大于40000GHz的微波介质材料。3.根据权利要求1所述的陶瓷滤波器谐振单元，其特征在于，所述B陶瓷体的材料为介电常数为5～21和/或QF值大于40000GHz的微波介质材料。4.根据权利要求1所述的陶瓷滤波器谐振单元，其特征在于，所述第一导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种；所述第二导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种；所述第三导体层的材料选自铜、银和金中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的陶瓷滤波器谐振单元，其特征在于，所述第二导体层的直径大于盲孔的直径。6.一种陶瓷滤波器谐振单元的制备方法，包括以下步骤：a)将A陶瓷体的材料干压成型后进行第一次烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：马才兵，孙廷伟，刘潮锋，龙志勇，
申请(专利权)人：广东国华新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：