一种含有间位的电子给体和电子受体交替连接的TADF聚合物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种含有间位的电子给体和电子受体交替连接的TADF聚合物、其制备方法和在电致发光器件领域中的应用，该聚合物具有式(Ⅰ)所示结构。本发明专利技术提供的聚合物使用相同的电子给体单元和相同的电子受体单元进行交替连接，仅仅通过改变电子给受体之间的连接方式从对位到间位，相应聚合物的光致瞬态衰减曲线的延迟成分逐渐增加，表明TADF性质逐渐增强。给体和受体都采取间位连接的聚合物表现出良好的电致发光性能：作为发光层染料，器件的最大外量子效率为8.8％；作为发光层敏化剂，敏化一种红色磷光染料，器件的最大外量子效率为8.2％。

A TADF polymer with alternate connection between electron donor and electron acceptor and its preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
一种含有间位的电子给体和电子受体交替连接的TADF聚合物及其制备方法和应用
本专利技术属于有机半导体光电材料领域，尤其涉及一种含有间位的电子给体和电子受体交替连接的TADF聚合物及其制备方法和应用。
技术介绍
2012年，日本九州大学的Adachi教授课题组在Nature杂志上报道了一系列基于扭曲构象的咔唑与二氰基苯的化合物，这些分子具有明显的热致延迟荧光(thermallyactivateddelayedfluorescence,TADF)特性，其中4CzIPN表现出高效的电致发光性能，外量子效率(externalquantumefficiency,EQE)达到19.3％(Nature,2012,492,234-238.)。自此，关于TADF分子的设计、合成和性能的研究工作层出不穷，在全可见光谱范围的电致发光EQE都有接近甚至超过30％的报道(Chem.Soc.Rev.,2017,46,915-1016.)。继传统荧光和重金属磷光之后，TADF逐渐成为应用于有机发光二极管(organiclight-emittingdiodes,OLE本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含有间位的电子给体和电子受体交替连接的TADF聚合物，具有式(Ⅰ)结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种含有间位的电子给体和电子受体交替连接的TADF聚合物，具有式(Ⅰ)结构：



其中，为电子给体单元；为电子受体单元；
n＝2～200；
所述电子给体单元选自C6～C60的含芳基基团；
所述电子受体单元选自C6～C60的含芳基基团；
所述电子给体单元和/或电子受体单元采取间位位点进行交替连接。


2.根据权利要求1所述的TADF聚合物，其特征在于，所述选自式(a-1)～(a-27)中任意一种：









所述p表示对位连接位点，m表示间位连接位点；
所述T、M和J独立地选自-NR4、-CR4R5-、-SiR4R5-、-O-或-S-；所述R1、R2、R3、R4和R5独立地选自-H、-X、C1～C20的烷基、C1～C20的杂烷基、C6～C30的芳基或C6～C30的杂芳基；
所述X独立地选自F、Cl、Br或I；所述杂烷基和杂芳基的杂原子独立地选自B、N、O、P、S或Si；所述烷基、杂烷基、芳基和杂芳基可以被取代基任意取代。


3.根据权利要求1所述的TADF聚合物，其特征在于，所述选自式(a-1-1)～(a-3-2)中任意一种：






所述p表示对位连接位点，m表示间位连接位点。


4.根据权利要求1所述的TADF聚合物，其特征在于，所述选自式(b-1)～(b-12)中任意一种：



所述p表示对位连接位点，m表示间位连接位点；
所述E和G独立地选自-CO-、-SO2-、-BR9-或-POR9-；所述R6、R7、R8和R9独立地选自-H、-X、C1～C20的烷基、C1～C20的杂烷基、C6～C30的芳基或C6～C30的杂芳基；
所述X独立地选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁军桥，饶建成，王利祥，王淑萌，赵磊，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22