【技术实现步骤摘要】
一种三元共聚物及其电存储器件的制备方法
本专利技术属于有机存储材料
，具体涉及一种三元共聚物及其合成方法，特别涉及该聚合物作为有机层的电存储器件及其制备方法。
技术介绍
随着信息技术的飞速发展，电子数码产品快速更新，使得人们对电存储芯片的需求日益增长。利用传统的无机半导体材料制备电存储器件的技术已经非常成熟，使其在各信息领域得到充分应用。随着移动应用需求的增加不断地推动了存储技术和设备的不断发展，人们对具有高容量、良好的系统性能、低能耗、更小尺寸和更低成本的存储器的需求不断增加。然而，大量的材料和成本因素限制了目前主流的无机半导体存储器的尺寸微型化。新的记忆存储结构和材料的发展正迎来新的机遇。最近，聚合物电存储器件作为有机电子学方面的新兴领域引起了人们的极大关注。有机电存储器件是根据高、低电导率响应变化来储存数据的，并且表现出双稳定性。聚合物材料的特殊性能，获得人们的极大关注。聚合物材料具有良好的加工性能、单元尺寸的可伸缩性以及可以通过分子设计和化学合成来调整材料的电学性质，使其成为未来微纳米和分子规模器存储材...
【技术保护点】
1.一种三元共聚物，其特征在于，所述聚合物具有以下重复单元：/n
【技术特征摘要】
1.一种三元共聚物，其特征在于，所述聚合物具有以下重复单元：
其中，R1、R2各自独立地为含3～31个碳原子的烷基，R3、R4各自独立地为氢、烷基、芳基或杂环类基团。
2.根据权利要求1所述聚合物，其特征在于，所述聚合物具有以下结构部分：
n为20至300的整数，m为20至300的整数；
所述R1、R2各自独立地为含6～21个碳原子的烷基；和/或
所述R3、R4各自独立地为氢、烷基、芳基或杂环类基团。
3.一种三元共聚物，其特征在于，所述三元共聚物由卤代咔唑类单体、卤代苯并咪唑类单体与芴类单体聚合而成。
4.一种三元共聚物的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤1、将卤代咔唑类单体、卤代苯并咪唑类单体与芴类单体加入到溶剂中，加热反应，得到聚合物溶液；
步骤2、对聚合物溶液进行后处理，得到三元共聚物。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤1中，
所述卤代咔唑类单体为卤代N-烷基咔唑，优选地，所述卤代咔唑类单体的2和7位被卤素取代；和/或
所述卤代苯并咪唑类单体选自苯并咪唑并杂环类基团，所述卤代苯并咪唑类单体中苯并咪唑的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王淑红，张洪岩，仲华，汪成，张营娜，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：发明
国别省市：黑龙;23
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