有机半导体化合物制造技术

技术编号:24595595 阅读:87 留言:0更新日期:2020-06-21 03:27
本发明专利技术涉及含有多环单元的新型有机半导体化合物,其制备方法和所使用的离析物或中间体,包含它们的组合物、聚合物共混物和制剂,所述化合物、组合物和聚合物共混物作为有机半导体或用于制备有机电子(OE)器件,尤其是有机光伏(OPV)器件,钙钛矿基太阳能电池(PSC)器件,有机光电探测器(OPD),有机场效应晶体管(OFET)和有机发光二极管(OLED)的用途,以及包含这些化合物、组合物或聚合物共混物的OE,OPV,PSC,OPD,OFET和OLED器件。

Organic semiconductor compound

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机半导体化合物
本专利技术涉及含有多环单元的新型有机半导体化合物,它们的制备方法和所使用的离析物或中间体,包含它们的组合物、聚合物共混物和制剂,所述化合物、组合物和聚合物共混物作为有机半导体用于制备有机电子(OE)器件,尤其是有机光伏(OPV)器件,钙钛矿基太阳能电池(PSC)器件,有机光电探测器(OPD),有机场效应晶体管(OFET)和有机发光二极管(OLED)的用途,以及包含这些化合物,组合物或聚合物共混物的OE,OPV,PSC,OPD,OFET和OLED器件。背景近年来,已经开发了有机半导体(OSC)材料,以生产功能更广泛,成本更低的电子器件。此类材料可用于各种器件或装置,包括有机场效应晶体管(OFET),有机发光二极管(OLED),有机光电探测器(OPD),有机光伏(OPV)电池,钙钛矿基太阳能电池(PSC)器件,传感器,存储元件和逻辑电路等。有机半导体材料通常以薄层的形式存在于电子器件中,例如厚度在50至300nm之间。一个重要的特定领域是有机光伏(OPV)。已发现共轭聚合物可用于OPV,因为它们允许通过溶液处理技术,例如旋转浇本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.式I的化合物/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171102 EP 17199637.41.式I的化合物



其中各个基团彼此独立地并且在每次出现时相同或不同地具有以下含义:
Ar1选自下式



Ar2选自下式



Ar3选自下式






Ar4,Ar5,Ar6为具有5至20个环原子的亚芳基或杂亚芳基,其为单环或多环的,任选地包含稠环,并且未被取代或被一个或多个相同或不同的基团L取代,或CY1=CY2或-C≡C-,
Y1,Y2为F,Cl或CN,
U1为CR3R4,SiR3R4,GeR3R4,NR3或C=O,
V1为CR5或N,
W1为S,O,Se或C=O,
R1-7为RW,H,F,Cl,CN或具有1至30个C原子的直链,支链或环状烷基,其中一个或多个CH2基团各自任选地被-O-,-S-,-C(=O)-,-C(=S)-,-C(=O)-O-,-O-C(=O)-,-NR0-,-SiR0R00-,-CF2-,-CR0=CR00-,-CY1=CY2-或-C≡C-以O和/或S原子不直接彼此连接的方式替代,并且一个或多个H原子各自任选地被F,Cl,Br,I或CN替代,并且其中一个或多个CH2或CH3基团各自任选地被阳离子或阴离子基团替代,或芳基,杂芳基,芳基烷基,杂芳基烷基,芳氧基或杂芳氧基,其中每个上述环状基团具有5至20个环原子,是单环或多环的,任选地包含稠环,并且未被取代或被一个或多个相同或不同的基团L取代,
并且R1和R2对以及它们所连接的C原子也可以形成具有5至20个环原子的螺环基团,该螺环基团是单环或多环的,任选地包含稠环,并且未被取代或被一个或多个相同或不同的基团L取代,
并且R1和R2对以及它们所连接的C,Si或Ge原子也可以形成具有5至20个环原子的螺环基团,该螺环基团是单环或多环的,任选地包含稠环,并且未被取代或被一个或多个相同或不同的基团L取代,
RW为吸电子基团,
L为F,Cl,-NO2,-CN,-NC,-NCO,-NCS,-OCN,-SCN,R0,OR0,SR0,-C(=O)X0,-C(=O)R0,-C(=O)-OR0,-O-C(=O)-R0,-NH2,-NHR0,-NR0R00,-C(=O)NHR0,-C(=O)NR0R00,-SO3R0,-SO2R0,-OH,-CF3,-SF5,或任选取代的甲硅烷基,或具有1至30个,优选1至20个碳原子的碳基或烃基,其任选地被取代并且任选地包含一个或多个杂原子,
R0,R00为H或具有1至20个,优选1至12个C原子的直链或支链烷基,其任选地被氟代,
X0为卤素,
RT1,RT2为H,F,Cl,CN,NO2,或具有1到30个C原子的碳基或烃基,其任选地被一个或多个基团L取代并且任选地包含一个或多个杂原子,
a,b,c为0或1到10的整数,
d为1、2或3,
e为0、1、2或3,
k为0或1到10的整数,
m为0或1到10的整数,
其中RT1和RT2中的至少一个是吸电子基团,并且其中式I包含选自下式的至少一个部分





2.根据权利要求1的化合物,其特征在于式I中的基团Ar1在每次出现时相同或不同地选自下式和它们的镜像



其中R3和R4如权利要求1所定义。


3.根据权利要求1或2的化合物,其特征在于式I中的基团Ar2在每次出现时相同或不同地选自下式和它们的镜像






其中R1-7如权利要求1所定义。


4.根据权利要求1至3中一项或多项的化合物,其特征在于式I中的基团Ar3在每次出现时相同或不同地选自下式和它们的镜像






其中R1-7如权利要求1所定义。


5.根据权利要求1至4中一项或多项的化合物,其特征在于式I中的基团Ar4,Ar5和Ar6各自独立地并且在每次出现时相同或不同地选自下式和它们的镜像



其中V1,W1,R5,R6和R7如权利要求1所定义,R8具有对于R5给出的含义之一,
V2是CR6或N,
W2是S,O,Se或C=O,
W3是S,O,Se,NR0或C=O,
并且R0具有在权利要求1中给出的定义。


6.根据权利要求1至5中一项或多项的化合物,其特征在于式I中的基团Ar4,Ar5和Ar6彼此独立地并且在每次出现时相同或不同地选自下式和它们的镜像



其中X1,X2,X3和X4具有权利要求1中对于R1给出的含义之一。


7.根据权利要求1至6中一项或多项的化合物,其特征在于RT1和RT2各自独立地选自H,F,Cl,Br,-NO2,-CN,-CF3,R*,-CF2-R*,-O-R*,-S-R*,-SO2-R*,-SO3-R*,-C(=O)-H,-C(=O)-R*,-C(=S)-R*,-C(=O)-CF2-R*,-C(=O)-OR*,-C(=S)-OR*,-O-C(=O)-R*,-O-C(=S)-R*,-C(=O)-SR*,-S-C(=O)-R*,-C(=O)NR*R**,-NR*-C(=O)-R*,-NHR*,-NR*R**,-CR*=CR*R**,-C≡C-R*,-C≡C-SiR*R**R***,-SiR*R**R***,-CH=CH(CN),-CH=C(CN)2,-C(CN)=C(CN)2,-CH=C(CN)(Ra),-CH=C(CN)-C(=O)-OR*,-CH=C(CO-OR*)2,-CH=C(CO-NR*R**)2,和下式







...

【专利技术属性】
技术研发人员:W·米切尔A·普罗M·德拉瓦里K·赫德
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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