【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合物、有机膜组合物及图案形成方法
本专利技术涉及新的聚合物、包含上述聚合物的有机膜组合物及使用上述有机膜组合物的图案形成方法。
技术介绍
如今的半导体产业已经从具有数百纳米大小的图案发展到具有几纳米至几十纳米大小的图案的超精细技术。为实现这样的超精细技术，有效的光刻技术是必不可少的。典型的光刻技术包括如下过程：在半导体基板上形成材料层，并在材料层上涂布光刻胶层，进行曝光以及显影而形成光刻胶图案，之后将上述光刻胶图案作为掩膜蚀刻材料层。近来，随着需要形成的图案的尺寸的减小，仅靠上述典型的光刻技术难以形成具有优异轮廓的精细图案。因此，可以在需要蚀刻的材料层与光刻胶层之间形成又称硬掩模层(hardmasklayer)的有机膜来形成精细图案。硬掩模层起到通过选择性蚀刻过程而将光刻胶的精细图案转印到材料层的中间膜的作用。因此，硬掩模层需要具备耐热性以及耐腐蚀性的特性，以便可以承受多次蚀刻过程。另一方面，最近提出了用旋转涂布(spin-oncoating)方法来形成硬掩模层，以代替化学气相沉积方法。旋转...
【技术保护点】
1.一种聚合物，包括由下述化学式1表示的部分，/n[化学式1]/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171103 KR 10-2017-01460401.一种聚合物，包括由下述化学式1表示的部分，
[化学式1]
在所述化学式1中，
X以及Y独立地为包含至少一个杂原子的五边形环基团。
2.根据权利要求1所述的聚合物，还包括：
取代或者未取代的芴部分。
3.根据权利要求2所述的聚合物，包括由下述化学式2表示的结构单元，
[化学式2]
在所述化学式2中，
A以及C独立地为由所述化学式1表示的部分，
B以及D独立地为包括取代或者未取代的芴部分的二价基团，
n是0或者1，
*是连接点。
4.根据权利要求3所述的聚合物，其中，
在所述化学式2中，A以及C独立地为由下述组1列出的部分中的任意一个，
[组1]
5.根据权利要求3所述的聚合物，其中，
在所述化学式2中，B以及D独立地为由下述组2列出的取代或者未取代的二价基团中的任意一个，
[组2]
6.根据权利要求1所述的聚合物，其中，
所述聚合物的重均分子量为500至200,000。
7.一种有机膜组合物，包括：
聚合物，所述聚合物包括由下述化学式1表示的部分；以及
溶剂，
[化学式1]
在所述化学式1中，
X以及Y独立地为包含至少一个杂原子的五边形环基团。
8.根据权利要求7所述的有机膜组合物，其中，
所述聚合物还包括取代或者未取代的芴部分。
9.根据权利要求8所述的有机膜组合物，其中，
...
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