一种实现eGaN HEMT并联动态均流的耦合电感栅极驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种实现eGaN HEMT并联动态均流的耦合电感栅极驱动电路，包括连接在正向供电电源与负向供电电源之间的电压图腾柱结构单元，与电压图腾柱结构单元连接的耦合电感驱动单元，耦合电感驱动单元包括第一驱动电阻、第一二极管、第二驱动电阻、第二二极管以及第一耦合电感和第二耦合电感。耦合电感驱动电路通过第一耦合电感副边连接到第二功率管的栅极，通过第二耦合电感副边连接到第一功率管的栅极，第一功率管和第二功率管并联。此种驱动电路通过耦合电感给栅极提供补偿信号，在满足eGaN HEMT高速开关的同时实现并联动态均流。

【技术实现步骤摘要】
一种实现eGaNHEMT并联动态均流的耦合电感栅极驱动电路
本专利技术属于电力电子技术与电工
，涉及一种适用于eGaNHEMT的驱动电路，特别涉及一种实现eGaNHEMT并联动态均流的耦合电感栅极驱动电路。
技术介绍
氮化镓(GaN)器件作为新型宽禁带半导体代表性器件之一，比Si器件具有更低的导通电阻、更快的开关速度和更高的结温工作能力等器件优势，用其代替Si器件作为制作变换器的功率器件有望显著提高变换器的最高工作频率、效率，降低其体积、重量。现有商用GaN器件的电流定额相对较低，不能满足于较大容量系统的需求，因此可通过并联的方式来扩大其工作电流。实际使用中，由于器件参数分散性和电路参数不对称性等因素，会造成并联器件出现不均流问题。目前已有文献中针对GaN基并联电路应用中的并联不均流问题，提出了筛选并联器件、对称布局设计、阻抗平衡、栅极电阻补偿等方法，但这些方法均有一定的局限性，其设计部分或完全依赖对并联器件的筛选和布局设计，电路不具有主动控制电流不平衡的功能，实际应用价值受限。专利技术内容专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种实现eGaN HEMT并联动态均流的耦合电感栅极驱动电路，连接到eGaN HEMT功率电路，所述eGaN HEMT功率电路包括并联的第一功率管和第二功率管，其特征在于：所述耦合电感栅极驱动电路包括连接在正向供电电源与负向供电电源之间的电压图腾柱结构单元，与电压图腾柱结构单元连接的耦合电感驱动单元；所述耦合电感驱动单元包括第一驱动电阻、第一二极管、第二驱动电阻、第二二极管以及第一耦合电感和第二耦合电感，所述耦合电感驱动单元通过第一耦合电感副边连接到第二功率管的栅极，通过第二耦合电感副边连接到第一功率管的栅极。/n

【技术特征摘要】
1.一种实现eGaNHEMT并联动态均流的耦合电感栅极驱动电路，连接到eGaNHEMT功率电路，所述eGaNHEMT功率电路包括并联的第一功率管和第二功率管，其特征在于：所述耦合电感栅极驱动电路包括连接在正向供电电源与负向供电电源之间的电压图腾柱结构单元，与电压图腾柱结构单元连接的耦合电感驱动单元；所述耦合电感驱动单元包括第一驱动电阻、第一二极管、第二驱动电阻、第二二极管以及第一耦合电感和第二耦合电感，所述耦合电感驱动单元通过第一耦合电感副边连接到第二功率管的栅极，通过第二耦合电感副边连接到第一功率管的栅极。


2.如权利要求1所述的实现eGaNHEMT并联动态均流的耦合电感栅极驱动电路，其特征在于：所述电压图腾柱结构单元包括第一开关管和第二开关管，其中，第一开关管的漏极连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪文璐，秦海鸿，彭子和，修强，龚佳燕，刘奥，柏松，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32