一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，其包括并联MOS管单元、采样电路单元、比较电路单元、PNP型三极管和控制单元，并联MOS单元经采样电路单元、比较电路单元与PNP型三极管的基极相连接，控制单元的输出端与PNP型三极管的发射极相连接，其中，并联MOS单元包括并联的第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管的栅极与PNP型三极管的发射极相连接，第二MOS管的栅极与PNP型三极管的集电极相连接。本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，能够在使用两个或多个MOS管并联，实现较高变换功率的基础上，显著降低电源轻载或者空载待机功耗。

A parallel adaptive adjustment circuit of MOS switches on primary side of flyback topology

【技术实现步骤摘要】
一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路
本技术涉及电子
，具体涉及一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路。
技术介绍
在开关电源的拓扑中，反激拓扑为最常用的拓扑之一。现有反激拓扑开关电源工作时，当输出功率较高时，初级侧开关需使用两个或多个MOS管并联，以满足初级侧的峰值电流要求。虽然满载输出时，多个MOS管的使用有利于提高转换效率，但当轻载或者空载工作时，初级侧峰值电流幅值较小，两个或多个MOS管的并联使用会额外增加MOS管的开关损耗，从而导致开关电源空载待机功耗升高的缺陷。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：克服现有开关电源初级侧开关的轻载或者空载待机功耗，提供一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路。为解决上述技术问题，本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，其特征是：包括并联MOS管单元、采样电路单元、比较电路单元、PNP型三极管和控制单元，并联MOS单元经采样电路单元、比较电路单元与所述PNP型三极管的基极相连接，所述控制单元的输出端与所述PNP型三极管的发射极相连接，其中，所述并联MOS单元包括并联的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述PNP型三极管的发射极相连接，所述第二MOS管的栅极与所述PNP型三极管的集电极相连接。进一步的，所述采样电路单元包括取样电阻、保持二极管和保持电容。进一步的，所述比较电路单元第一分压电阻、第二分压电阻和运算放大器。>进一步的，所述控制单元为PWM控制芯片。本技术一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路的有益效果为：能够在使用两个或多个MOS管并联，实现较高变换功率的基础上，显著降低电源轻载或者空载待机功耗，不仅节省了能耗，而且提升了电源的使用寿命和整体可靠性。附图说明下面结合附图对本技术一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路作进一步说明：图1是本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路的结构线框图；图2是本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路的电路图；图3是本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路的应用图。具体实施方式在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系均为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。如图1所示：本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，其特征是：包括并联MOS管单元、采样电路单元、比较电路单元、PNP型三极管和控制单元，并联MOS单元经采样电路单元、比较电路单元与所述PNP型三极管的基极相连接，所述控制单元的输出端与所述PNP型三极管的发射极相连接，如图2所示：所述并联MOS单元包括并联的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述PNP型三极管的发射极相连接，所述第二MOS管的栅极与所述PNP型三极管的集电极相连接。所述采样电路单元包括取样电阻、保持二极管和保持电容。所述比较电路单元第一分压电阻、第二分压电阻和运算放大器。所述控制单元为PWM控制芯片。如图3所示：当开关电源负载为满载状态时：输入峰值电流最高，此时取样电阻R3上的取样电压最高，取样信号经保持二极管D2和保持电容C7的取样保持后，与预设的第一分压电阻R2、第二分压电阻R4对VCC的分压电平进行比较，满载时取样保持电平高于分压电平，此时运算放大器U2输出低电平，当PWM控制芯片U1输出高电平时，PNP型三极管Q2的发射极相应为高电平，而此时PNP型三极管Q2基极为低电平，PNP型三极管Q2可以导通，PWM控制芯片U1可以正常驱动第二MOS管Q3开通，与第一MOS管Q2形成并联逻辑，共同完成开关动作。当开关电源负载为空载或轻载时：输入峰值电流较小，此时取样电阻R3上的取样电压较低，取样信号经保持二极管D2和保持电容C7的取样保持后，低于第一分压电阻R2、第二分压电阻R4的分压电平，此时运算放大器U2输出高电平，当PWM控制芯片U1输出高电平时，PNP型三极管Q2的发射极、基极均为高电平，无法形成电位差，PNP型三极管Q2无法导通，此时第二MOS管Q3不会进行开关动作，仅第一MOS管Q1进行开关动作，降低了第二MOS管Q3的开关损耗，进而降低了开关电源的待机功耗。本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，能够在使用两个或多个MOS管并联，实现较高变换功率的基础上，显著降低电源轻载或者空载待机功耗，不仅节省了能耗，而且提升了电源的使用寿命和整体可靠性。上述实施方式旨在举例说明本专利技术可为本领域专业技术人员实现或使用，对上述实施方式进行修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，故本专利技术包括但不限于上述实施方式，任何符合本权利要求书或说明书描述，符合与本文所公开的原理和新颖性、创造性特点的方法、工艺、产品，均落入本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，其特征是：包括并联MOS管单元、采样电路单元、比较电路单元、PNP型三极管和控制单元，并联MOS单元经采样电路单元、比较电路单元与所述PNP型三极管的基极相连接，所述控制单元的输出端与所述PNP型三极管的发射极相连接，其中，/n所述并联MOS单元包括并联的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述PNP型三极管的发射极相连接，所述第二MOS管的栅极与所述PNP型三极管的集电极相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，其特征是：包括并联MOS管单元、采样电路单元、比较电路单元、PNP型三极管和控制单元，并联MOS单元经采样电路单元、比较电路单元与所述PNP型三极管的基极相连接，所述控制单元的输出端与所述PNP型三极管的发射极相连接，其中，
所述并联MOS单元包括并联的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述PNP型三极管的发射极相连接，所述第二MOS管的栅极与所述PNP型三极管的集电极相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建华，许峰，
申请(专利权)人：青岛元通电子有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37